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1、现代材料动态2010年第3期的高-宽比（AR）问题：对堆栈电容器DRAM接触，AR, 20:1,对逻辑器件AR, 10:1,而用 通常的CVDW沉枳很难作到无孔洞注入。这一新加工方法最大限度地减小了质量输运效应（而 它会形成孔洞），利用了 “脉冲核化层（PNLxT）技术”和“多段逐次沉积（MSSD）结构”， 在不同的温度下同时沉积核化层和注入层。把较低温度下的“特征”注入和较髙温度下附体” 注入结合起来，这就减缓了通常CVD系统中所遇到的沉积速率低和产量低的问题。（邓志杰摘译）MIT用“干涉”光刻步骤制成36nm线MIT （麻省理工学院）的一个研究组用干涉图形和光致变色材料制出36nm线宽，并
2、称这 一技术可以延伸到分子尺度图形化。这一研究结果发表在2009年4月第10期“科学”杂志 上。它是基于“吸收调制”，涉及干涉图形化，用不同波长的光去相互增强或相互抵消。这 一加工要用到光致变色材料即对光的响应是变色和不透明性，且在尸始“曝光”后性质稳定 （该研究组通过试验找到了一类比较光稳定的囉吩一氟化环戊烯材料），在一个波长的亮线 与另一波长的暗线相一致，形成一 “带层”，它是有着不透明材料的清晰的材料散置的非常 窄线的“带层”。然后，第一个波长“发光”起着使下面的光致抗蚀剂图形化的“纳米尺度 写入束”的作用。所用“装置”包括Si衬底（自旋涂敷200nm的防反射涂层）、200nm的光 致抗
3、蚀剂，8nm厚的阻挡层和410nm的光致变色层。该研究组称：这一加工技术不仅可用于半导体制造，还可用于其它多种领域的纳米尺度 图形化，例如：光子学射流技术、纳米电子学和纳米生物系统，已成立一公司致力于将该项 技术产业化，预计在5年内实现商业化生产。（邓志杰摘译）IMEC发布到10nm的内连计划I.MEC已证实了到10nm工艺代内连的可行性（将在2022年实现）。该中心称：己有20nm 内连的解决方法，10nm结构正在研究中。对22血工艺，该中心评价了几种势垒金属（TaN/Ta、 RuTa、TaN+Co和MnOx）对Cu填充能力、电学性能和CMP （化学机械平面化）兼容性。RuTa 是对TaPV
4、D的一种可替代品。并指出，至少在30nm工艺代，W用作接触是可行的。除目前 的TaN/Ta PVD外，有几种先进的金属化方法，如PVD Ru合金，Ta PVD和Co CVD等。其它 先进的金属化方法有自形成势垒然后进行湿碱涂敷再进行电化学抛光。20nm工艺代后，空 气间隙是个有希望的解决办法，特别是用“检孔”的CVD法，它优于通过分解“牺牲”材料 的方法（它常常留下剩余碳而成为导电通道）。（邓志杰摘译）200mmSi片中因机械负载引起的塑性形变随着对无晶体原生颗粒（COP） Si衬底需求量的增加，大直径Si片在高至1200-C下的 Ar或比气氛中退火变得越来越重要。这里面，无滑移高温加工是一个关键问题。一般说来, 加工过程中热或重量作用会在晶片中产生剪切应力。在临界情况下，与温度相关的负载所致 最大可分解剪切应力可能超过Si晶体的屈服应力而产生位错并最终造成塑性形变。但从11
