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1、3.10霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场互相作用而产生电动势的效应。1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。后来曾有人运用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又运用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应明显而得到实用和发展,目前广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基本。近年来,霍尔效应实验不断有新发现。190年原西德物理学家冯克利青研究二维电子气系统的输运特
2、性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。目前对量子霍尔效应正在进行进一步研究，并获得了重要应用，例如用于拟定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细构造常数等。 在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,运用它观测磁场直观、干扰小、敏捷度高、效果明显。【实验目的】1、测量单个通电圆线圈中磁感应强度；、测量亥姆霍兹线圈轴线上各点的磁感应强度;3、测量两个通电圆线圈不同间距时的线圈轴线上各点的磁感应强度；、测量通电圆线圈轴线外各点的磁感应强度。【实验仪器】D451N型三维亥姆霍兹线圈磁场实验仪一套【实验原理】1霍尔效应霍尔效应从本质上讲
3、，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。如右图310-1所示，磁场B位于图 3-10-1的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流），假设载流子为电子(N型半导体材料)，它沿着与电流Is相反的负向运动。 由于洛仑兹力f 作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B侧形成电子积累，而相对的侧形成正电荷积累。与此同步运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 的作用。随着电荷积累的增长, E增大,
4、当两力大小相等（方向相反）时, L ,则电子积累便达到动态平衡。这时在、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场，相应的电势差称为霍尔电势V 。设电子按均一速度,向图310-1所示的X负方向运动,在磁场B作用下,所受洛仑兹力为：-式中：e为电子电量,为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。同步,电场作用于电子的力为：f El 式中：E为霍尔电场强度，V为霍尔电势，l为霍尔元件宽度。当达到动态平衡时: L=-f E BVH/l (3-10-)设霍尔元件宽度为，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的工作电流为： （-10)由(310-1)、(3-10-2）两式可得: （3-1-3)即霍尔电压VH（、B间电压
5、)与s、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比,比例系数 称为霍尔系数（严格来说，对于半导体材料，在弱磁场下应引入一种修正因子 ，从而有 ),它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导率的关系，还可以得到:或 (3-10-4）式中：为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率不小于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N型半导体材料。当霍尔元件的材料和厚度拟定期,设： （-1)将式(3-10-5）代入式(3-10-3)中得： （3-0-6)式中：称为元件的敏捷度,它表达霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是mV/mT，一般规定愈大愈好。由于金
6、属的电子浓度很高，因此它的R或KH都不大，因此不合适作霍尔元件。此外元件厚度d愈薄,K愈高，因此制作时，往往采用减少的措施来增长敏捷度，但不能觉得d愈薄愈好,由于此时元件的输入和输出电阻将会增长，这对霍尔元件是不但愿的。本实验采用的霍尔片的厚度的d为02mm，宽度为mm，长度L为1.5m。应当注意:当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时(如图3102）,作用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量,此时： (-0-7）因此一般在使用时应调节元件两平面方位,使V达到最大，即：，由式(-07)可知,当工作电流Is或磁感应强度B,两者之一变化方向时，霍尔电势VH方向随之变化；若两者方向同步变化，则霍尔
7、电势VH极性不变。图3-2 图310-霍尔元件测量磁场的基本电路如图-10-3，将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直,在其控制端输入恒定的工作电流Is，霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势VH的值。2圆线圈轴线上磁场的计算根据毕奥萨伐尔定律，载流线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线上某点的磁应强度为： (3-11）式中I为通过线圈的电流强度,N为线圈的匝数，R为线圈平均半径，x为圆心到该点的距离,O为真空磁导率。因此，圆心处的磁感应强度B为: (-012)轴线外的磁场分布计算公式较复杂,这里简略。亥姆霍兹线圈是一对匝数和半径相似的共轴平行放置的圆线圈
8、,两线圈间的距离d正好等于圆形线圈的半径R。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，故在生产和科研中有较大的实用价值,其磁场合成示意图如图-0-6所示。根据霍尔效应：探测头置于磁场中，运动的电荷受洛仑兹力,运动方向发生偏转。在偏向的一侧会有电荷积累,这样两侧就形成电势差.通过测电势差就可懂得其磁场的大小。当两通电线圈的通电电流方向同样时，线圈内部形成的磁场方向也一致,这样两线圈之间的部分就形成均匀磁场。当探头在磁场内运动时其测量的数值几乎不变。当两通电线圈电流方向不同步在两线圈中心的磁场应为0。图306 亥姆霍兹线圈磁场分布图图3107圆线圈间不同距离时轴线上的磁场分布图设
9、Z为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点处的距离,则亥姆霍兹线圈轴线上任点的磁感应强度为： （3-0-13)而在亥姆霍兹线圈轴线上中心处磁感应强度O为： （10-1）在I0.5、N=0、=0100的实验条件下,单个线圈圆心处的磁场强度为： 当两圆线圈间的距离d正好等于圆形线圈的半径R,构成亥姆霍兹线圈时,轴线上中心O处磁感应强度BO为：当两圆线圈间的距离d不等于圆形线圈的半径R时,轴线上中心处磁感应强度O按本实验所述的公式（10-3）计算。在d=1R、R、2时,相应的曲线见图3-107。由于霍尔元件的敏捷度受温度及其她因素的影响较大,因此实验仪器提供的敏捷度仅供参照。当励磁电流IM为.5A时，本实
10、验采用的亥姆霍兹线圈的中心磁感应强度为：当B=B0时,霍尔电压为V0,则根据公式，可得到霍尔元件的实际敏捷度为：（3-10-15）其中VH0为I=.A、N=00、R=0.m的实验条件下，B02.25mT时的霍尔电压。可以测量出不同三维位置时的H值,这样再根据公式可知 （3-6-16) 从而求得不同三维位置的磁感应强度B。【实验内容】在开机前先将工作电流IS和励磁电流I调节到最小,即逆时针方向将电位器调节到最小。以防冲击电流将霍尔传感器损坏。1. 实验仪信号源与三维亥姆霍兹线圈磁场测试架的连接。1、将信号源面板右下方的励磁电流M的直流恒流输出端（.500A),接测试架上的励磁线圈电流I的输入端,
11、注意对的的极性。信号源面板右侧的表头显示目前励磁电流的大小。做霍尔效应实验时，应将两个圆线圈串联,如圆线圈(）的正极接信号源正输出端、负极接圆线圈（1）的正极,圆线圈()的负极接信号源负输出端。2、测试架的铜管尾部的霍尔传感器信号线测试架背面板上的专用四芯插座。实验仪S霍尔片工作电流输出端及VH、V测量输入端,连接测试架时,与测试架上相应的接线端子一一相应连接,（红接线柱与红接线柱相连，黑接线柱与黑接线柱相连。）当测量霍尔电压VH时,实验仪与测试架的H、测量转换开关都按至VH测量位置,即此开关处在按下位置。二、测量单个通电圆线圈轴线上的磁感应强度测量前将亥姆霍兹线圈的距离设为R,即00mm处；
12、铜管位置至R处;Y向导轨(5)、Z向导轨（7)均置于，并紧固相应的螺母，这样使霍尔元件位于亥姆霍兹线圈轴线上。、测量单个通电圆线圈（）中磁感应强度。用连接线将励磁电流输出端连接到圆线圈(），霍尔传感器的信号插头连接到测试架背面板的专用四芯插座。其他连接线一一相应连接好。开机，预热1分钟。用短接线将数显毫伏表输入端短接,或者调节IS、IM电流均为零，再调节面板上的调零电位器旋钮,使毫伏表显示为.00。调节工作电流使IS=5.00mA,调节励磁电流=0.A,移动X向导轨（10),测量单个圆线圈(1）通电时，轴线上的各点处的霍尔电压,可以每隔1m测量一种数据。将测量的数据记录在表格3-101中,再根
13、据公式（3-10-16）计算出各点的磁感应强度B,并绘出B（)-X图，即圆线圈轴线上B的分布图。将测得的圆线圈轴线上(X向)各点的磁感应强度与理论公式(-11）计算的成果相比较。以上测量VH过程较为精确,对于仅进行磁场分布实验来说,较为复杂,在减少一定的精确性前提下,可以考虑如下简便的措施实现VH测量：开机，预热1分钟后，选择IS、H、IM为正向。调节工作电流使IS=5.mA,IM=0。再调节面板上的调零电位器旋钮，使毫伏表显示为0.00。这样做是消除不等电势对测量的影响,实测的数据表白,不等电势在几种副效应中对测量的成果影响最大。再调节励磁电流IM=05A，测量单个圆线圈(1)通电时,轴线上的各点处的霍尔电压,可以每隔.00cm测量一种数据。这种简便的措施同样合用于如下实验。表3-10- B(1)X S =50mA I=500mAX(mm）V1(V)V2(mV)V3(m)V4（V）()（m)B（1）(mT)+Is 、
