名词解释及简答题

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1、名词解释及简答题：第一章：二极管及应用1、半导体特性：光敏性、热敏性、掺杂性。2、N型半导体：纯净半导体掺入微量5价P元素，形成N型半导体，多子是自由电子，少子是 空穴，主要靠自由电子导电。3、P型半导体：纯净半导体掺入微量3价B元素，形成P型半导体，多子是空穴，少子是自由电 子，主要靠空穴导电。4、pn结形成：经过特殊工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密结合在一起，则在两种半导 体的交界处，形成一个特殊的接触面，称为PN结。5、PN结的单向导电性：PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为pn结的单 向导电性。6、二极管的伏安特性：加在二极管两端的电压和流过二极管的电流两者之间

2、的关系，称为二极管 的伏安特性。二极管的伏安特性曲线：用于定量描述加在二极管两端的电压和流过二极管的电流两者之间的 关系的曲线，称为二极管的伏安特性曲线。7、二极管为什么是非线性器件？答：从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是 常数，所以二极管是非线性器件。8、二极管的主要参数：（1）IF：（最大整流电流：二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流）；（2）VrM：（二极管正常使用时所允许加点最高反向电压）。9、整流：把交流电变换成单向脉动电流的过程，称为整流。10、滤波：把脉动直流电中的交流成分滤除，使之更加平滑的过程，称为滤波。11、电容滤波是在负载两

3、端并联一个电容构成：利用电容两端的电压不能突变的原理：主要适用 于负载较轻（负载电阻大、输出电流小）、对直流稳定度要求不高的场合。12、稳压二极管：属于特殊面接触型，正常工作在反向击穿区：稳压原理：反向击穿后，电流剧 变，而两端电压几乎不变。13、滤波电路中二极管平均导通时间与相应整流电路中二极管导通的时间相比，哪一个长？为什 么？答：整流电路中二极管平均导通时间长。原因：滤波电路中二极管的导通需要输入电压大于滤波电容两端的电压，而电容两端电压不 能突变，因此使二极管的导通时间变短。14、稳压二极管与普通二极管相比，在伏安特性曲线上有何差异？答：稳压二极管与普通二极管伏安特性曲线相似，只是在正

4、向导通区与反向击穿区，稳压二 极管的特性曲线比普通二极管的陡峭。15、二极管的伏安特性曲线的四个工作区域是什么？答：死区、正向导通区、反向截止去、反向击穿区。第二、三章：三极管、场效应管与放大电路1、三极管：核心是两个联系着的PN结；按半导体基片材料不同（或者说两个pn结的组合方式 不同），分为NPN型和PNP型；具有电流放大作用，2、三极管的电流放大原理：基极电流IB的微小变化控制集电极电流IC的较大变化。BC3、三极管的电流放大原理的实质：较小的基极电流控制集电极的大电流，是以小控大，不是能力 的放大。4、使三极管起放大作用的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。5、为什么说三极管工作在放大区

5、具有横流特性？答：在三极管的输出特性曲线上可以看到，在放大区间的曲线与横轴平行，当Vce大于1V后， VCE无论VCE怎么变化，IC几乎不变，这说明三极管具有恒流特性。CEC6、三极管的输入特性曲线：在VCE为一定值的条件下，加在三极管发射结上的电压VBE与它产生 的电流IB之间的关系曲线。7、三极管的输出特性曲线：在IB为一定值的条件下，加在集电极与发射极的电压VCE与集电极 电流IC之间的关系。8、场效应管的转移特性曲线：在VDS为一定值的条件下，加在栅极与源极间的电压VGS与漏极 电流ID之间的关系。9、场效应管的输出特性曲线：在VGS为一定值的条件下，加在漏极与源极间的电压VDS与漏极

6、GSDS电流ID之间的关系。AICi ,10、 三极管的放大参数B =反应三极管的放大能力；场效应管的放大参数跨导g =+ |AIBm vgsVDS为定值，反应场效应管的放大能力。11、三极管与MOSFET场效应管的异同：（1）三极管是电流控制器件；场效应管是电压控制器件；三极管的放大参数肆，场效应管的放大参数是跨导g ； 2）三极管是双极型，导电时两种载流子都参与导电；场效应管是单极 m型，导电时只有一种载流子参与导电；（3）场效应管稳定稳定性好；三极管受温度影响大；（4）三极管输入电阻较小，约几千欧姆；场效应管输入电阻极高，可达1010以上，对前级（5）放大能力影响极小；（5）三极管的发射

7、区和集电区结构上不对称，正常使用时，发射 极和集电极不能互换；场效应管在结构上是对称的，源极和漏极可以互换（注意：当MOSFET 管的衬底和源极在管内短接后，漏极和源极就不能互换了）12、MOSFET管如何存放？如何焊接？为什么？答：MOSFET管存放时，要使栅极与源极短接，或者三极屏蔽，避免栅极悬空。 焊接时，电烙铁外壳要良好接地，或用烙铁余温焊接。原因：因为MOSFET管输入电阻极高，一旦栅极感应少量电荷，就很难泻放掉。MOSFET 管绝缘层很薄，极间电容很小，当带电物体靠近栅极，感应电荷就会产生很高电压，将绝 缘层击穿，损坏管子。13、为什么三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相

8、似？答：因为VBE加在三极管的基极与发射极之间的PN结（即发射结）上，该PN结就相当于 BE一只二极管，因此三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线很相似。14、静态：放大器没有信号输入时候的直流工作状态。15、描述静态工作点的量：Vbeq、【BQ、【CQ、Vceq.16、静态工作点：描述静态工作的电压、电流参数VbEq、Ibq、ICq、VCEq，在三极管的输入输出 特性曲线上所确定的点，叫静态工作点。17、放大电路为什么要设置合适的静态工作点？答：（1） 一个放大器静态工作点设置是否合适， 是放大器能否正常工作的重要条件；（2）如果不设置静态工作点，放大器只能放大大于发射结死 区电压的信号

9、，会造成严重的波形失真；（3）如果静态工作点设置过低，会造成截止失真；过高， 会造成饱和失真；（4）只有设置合适的静态工作点，才能保证使三极管在输入信号的整个周期内 都处于放大状态，避免波形失真。18、分压偏置放大电路如何稳定静态工作点？用流程图表示。答：是由它的电路结构所决定的，当温度上升时，三极管的3、ICEQ等参数发生变化增大，使 ICQ增大，贝9发射极电阻Re上的压降Veq增大；基极电位Vbq由Rbl、Rb2串联分压提供，大小 基本稳定，因此VbEq（=Vbq-Veq）减小，从而使IBQ减小，使ICQ减小，抑制了 ICQ的增加，达到 稳定静态工作点的目的。Tf B IcqIeqTVEQ

10、ffVBEQjLqTcqJ19、分压偏置放大电路中，Re的作用是什么？与Re并联的Ce叫什么电容？作用是什么？答: （1） Re的作用是引入电流串联直流负反馈，稳定静态工作点。（2）Ce叫旁路电容，作用是 提供交流信号通道，减小交流信号损耗，使交流信号的放大能力不致因Re而降低。20、什么是上限截止频率、下限截止频率、通频带？并写出通频带公式。、答：把放大电路的放大倍数下降到中频段放大倍数的0.707倍时，对应的低端频率fL称为下 限截止频率，对应的高端截止频率fH称为上限截止频率。fL与fH之间的频率范围称为通频带， 记作 BW。BW=fH-fL21、多级放大器有几种耦合方式？各有什么特点？

11、答：（1）阻容耦合：前后级静态工作点相互独立，互不影响；只能放大交流信号，不能放大直 流信号；（2）变压器耦合：前后级静态工作点相互独立，互不影响；只能放大交流信号；能实现 阻抗匹配；（3）直接耦合：前后级静态工作点相互影响，彼此制约；适用于放大直流信号或变化 缓慢的交流信号；便于集成。22、射极输出器有什么特点？各用于多级放大器的何处？答：（1）输出电压与输入电压同相，且略小于输入电压。做放大器的隔离级。（2）输入电阻大。做放大器的输入级。（3）输出电阻小。做放大器的输出级。23、对放大器有哪些要求？答：（1）足够大的放大倍数；（2） 一定宽度的通频带；（3）非线性失真要小；（4）工作要稳定

12、。24、如何用万用表识别NPN三极管的管脚？答：用万用表RX100或RX1K档，首先欧姆调零；假设某一极为基极，用黑表笔接触此极， 红表笔接触另外两极，如果读数都较小，则黑表笔接触的是基极；否则，再假设基极。基极确定 后，假定其余的两脚中的一脚为集电极，将黑表笔结此脚，红表笔接假定的发射极，用手把假定 的集电极和已测出的基极用手捏住（但不要碰），记下表针指数。然后作相反假设，作同样测试并 记下阻值，比较两次阻值的大小，读数小的一次，假设成立。25、放大电路中，VCC、Rb、Rc都会影响到电路的静态工作点，一般是通过改变哪一个来调整静 态工作点的？ 答：Rbo26、集电极电阻在基本放大电路（或分

13、压偏置放大电路）中所起的作用是什么？答：集电极电阻Rc把集电极电流的变化，转换成集-射之间的电压变化，即把三极管的电流 放大作用转换成电压放大作用。27、 什么是LC回路的品质因数？ 答:品质因数表征LC回路选频特性的优劣，定义为，回路谐振 时，感抗XL或容抗XC与等效损耗电阻R之比。28、LC并联谐振回路是如何选频的？答：当外加信号频率与LC回路固有频率相等时，LC回路发生并联谐振，此时并联回路阻抗最 大，回路两端输出电压最大；对于频率偏离固有频率的信号，LC回路呈现阻抗小，输出电压小， 多被LC回路损耗。所以，回路利用并联谐振，可以选出频率为固有频率fo的信号，而衰减其它 频率信号。第四章

14、反馈与振荡1、反馈：在放大电路中，从输出端取出已放大信号的部分或全部，再回送到输入端，叫做反馈。2、比较：将输入信号和反馈信号相加或相减，是输入信号加强或减弱，从而得到净输入信号。3、正反馈：反馈信号与输入信号叠加后，净输入信号比信号源提供的信号要大，称为正反馈。4、负反馈：反馈信号与输入信号叠加后，净输入信号比信号源提供的信号要小，称为负反馈。5、负反馈对放大器性能的影响：（1）负反馈使放大器放大倍数下降，使放大倍数的稳定性提高; （2）减小非线性失真；（3）展宽通频带；（4）减小内部噪音；（5）改变输入输出电阻。6、正弦波振荡器：无需外加信号，就能自动的把直流电转换成具有一定频率、一定波形

15、和一定幅 度的交流电。自激：无需外加信号，而靠振荡器内部反馈作用维持震荡的方式。7、自激振荡电路的组成环节是什么？答：两部分：放大器和具有选频特性的正反馈网络。三部分：放大器、选频网络、正反馈网络。8、振荡器的起振需要满足哪些条件？答：（1）相位条件：Q =e A+ e F=2nn，即反馈信号与输入端信号同相，满足正反馈；（2）幅 度条件：AVF1，即正反馈回的信号要大于输入信号。9、振荡器的平衡需要满足哪些条件？答：（1）相位条件：Q =e A+ e F=2nn，即反馈信号与输入端信号同相，满足正反馈；（2）幅 度条件：AVF=1，即正反馈回的信号要等于输入信号。10、压电效应：若在石英晶体两极加上电压，晶片将产生机械形变；反之，若在晶片上施加机械 压力使其发生形变，则在相应方向上产生电压，这种物理现象称为压电效应。11、压电谐振：当外加交变电压的频率与晶体固有频率相等时，晶体的机械形变和产生电压的幅 度都将达到最大，这就是石英晶体的压电谐振。12、什么频率情况下，石英晶体呈容性？答：凡信号频率低于串联谐振频率fs和高于并联谐振频率fp,石英晶体均呈容性。13、什么频率情况下，石英晶体呈感性？答：信号频率高于串联谐振频率fs和低于并联谐