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1、二极管1. 本征半导体热激发时的两种载流子分别是 、 。2. N型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。 3. P型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。4. 在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 ,5. 在常温下锗二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 ,6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ;当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ; A. 大于 B.小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变PN结的空间电荷区有哪些称谓? 为何这样称谓?二极管有哪些特性？其中最重要的特性是 。1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为 B
2、、P型半导体 2、N型半导体中少数载流子为 B、空穴 3、P型半导体是 C、中性4、PN结加正向电压时，其正向电流是 A、多数载流子扩散形成的 8、稳压二极管是利用PN结的 B、反向击穿特性 9、PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压） C、其反向电流不变1.15 试判断图1.40中的二极管是否导通,还是截止 ,并求出两端电压uAOU0 =8vD的导通电压为0.7v u0 =1Vvi1/V 6.5 电路如图P6.5（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD0.7V。试画出输出电压vO的波形，并标出幅值。图P6.5 vi1R D1+VCC（5V） D2vi2t
3、3 t 3 vi2/V (a) (b)vo0.3 0.3 解：uO的波形如解图P1.2所示。6.8二极管电路如图6.8所示，试判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压VAB，设二极管是理想的。图P6.8 _VABD_R 5kD26V12V12VD1+AABBVAB15V_D212VD1+ABVAB6VR 5kR 5k(a) (b) (c)解:图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为6 V，阴极电位为12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=6 V。图b：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，而其阳极为15 V，故D2反偏
4、截止，VAO=0 V。图c：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为6V故D2更易导通，此后使VA6V；D1反偏而截止，故VAO6V。晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即_区、_区和_区。当三极管工作在_区时，关系式IC=IB才成立；当三极管工作在_区时，IC=0；当三极管工作在_区时，UCE0。2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是_，_极电位最低。3、晶体三极管有两个PN结，即_和_，在放大电路中_必须正偏，_反偏。4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而_，穿透电流ICEO随温度
5、升高而_，值随温度升高而_。5、硅三极管发射结的死区电压约为_V，锗三极管发射结的死区电压约为_V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为_V，锗三极管发射结的导通电压约为_V。6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为_。7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_。8当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流。9、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为 ， ， 三种。10、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。11、(2-1，中)三极管输入
6、特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，与之间的关系。12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生 失真，应调RB，使其 ，则IB ，这样可克服失真。14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。18
7、、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为3.5V，2.8 V，5V，试判断：a脚是 ，脚是 ，脚是 （e, b，c）；b管型是 （NPN，PNP）；c材料是 （硅，锗）。20、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。21、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致IC，静态工作点。22、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降VBE则随温度的增加而。23、(2-1
8、，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。24、(2-2，低)在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。25、(2-2，低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，。26、(2-2，中)在多级放大电路的耦合方式中，只能放大交流信号，不能放大直流信号的是放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电路，放大电路各级静态工作点是互不影响的。放大电路如图8所示，已知三极管的=40，VBEQ=0.7V。（1）估算静态工作点ICQ、IBQ、VCEQ。（2）用流程图说明温度升高时，稳定静态工作点的过程。2、(2-1，中)已知如下图所示电路中，三极管均为硅管（UBEQ=
9、0.7V），且=50，试估算静态值IB、IC、UCE。三、放大电路如下图所示，已知：VCC=12 V，RS=10kW，RB1=120 kW， RB2=39 kW，RC=3.9 kW，RE=2.1 kW，RL=3.9 kW，电流放大系数 b = 50，电路中电容容量足够大，要求：usRB1C2+RB2RS+VCC+RECERLVC1_+_RC1求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ = 0.6 V )；2画出放大电路的微变等效电路；3求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。4去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au ，输入电阻Ri 。 差分放大电路. . .
10、 . .（3）选用差分放大电路的原因是 克服零点漂移 。（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 A ，共模信号是两个输入端信号的 C 。 A.差 B.和 C.平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大集成运放通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。对输入级的要求
11、：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。7.3 运算电路如图T7.3所示，试分别求出各电路输出电压的大小。(a) (b)图T 7.3【解7.3】(a) ；(b)7.4 写出图T7.4所示各电路的名称，分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。 (a) (b) (c)图T 7.4【解7.4】(a) 反相比例运算电路，；(b) 同相比例运算电路，；(c) 同相比例运算电路，也可认为是减法电路，。7.5 运放应用电路如图T7.5所示，试分别求出各电路的输出电压。(a) (b)图T 7.5【解7.5】(a) ，；(b) ，7.6 图T7.6所示的电路中，当时，试求电阻的值。图T 7.6【解7.6】，7.4 试求图P7.4所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。 (a) (b) (c) (d)图P 7.4【解7.4
