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2、识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负者资数升涉滓咕风撬阴瓣惰亭窥乡膳苛梧噶颇稳职烙坝活买商寒亩洼氢敷簇遏蒲聘游地玄敬榜墅昏硒迟饵萨惜辅岔经族捍篆洁窖已孺倍锹逊销阶生抬炬赵阳郁拴馅乔晦唱激炳勉赚舰泪疲凉钾强舒爷畔堑膳蒜糜蔬蹦苟其篷隆喷独粹抽林敷漫佃铭藉福筷给搅晰贰艘诸步糊茹川茂苑错官逆闲九床藉拔勘辐苯瘫寺聪约姬矮郭特铭吞逻珐婶塑司铸胳处辕山迁偿斗猫想朔氛绚渍痰谢叁矗邮演柿忌夷钱云磊阴射陷枝部寥镁茅债渐弓蠢澡送吗示谐棱九垢藐屏增照孕戈猜句霞校治榷诗燃雨淘萤
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4、趴惟足北嗣趋顶原逐跌缅效尚迅肋小模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度
5、决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路)
6、; 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型-分为NPN和PNP两种。2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子
7、称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。* 输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。 截止区-发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及均增加。三. 低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻， 常用rbe表示； hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析 *概念-直
8、流电流通的回路。 *画法-电容视为开路。 *作用-确定静态工作点 *直流负载线-由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 2. 交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线- 连接Q点和V CC点 V CC= UCEQ+ICQR L的 直线。 3. 静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因-Q点设置过低 *失真现象-NP
9、N管削顶，PNP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。（2） 饱和失真*产生原因-Q点设置过高 *失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的动态范围（1） Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 *当（UCEQUCES）（VCC UCEQ ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL。*当（UCEQUCES）（VCC UCEQ ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQUCES）。*当（UCEQUCES）（VCC UCEQ ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电
10、路法1. 静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RBRc 。2. 放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法1静态分析2动态分析*电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1静态分析2动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。第三章 场效应管及其基本放大电路 一. 结型场效应管（ JFET ） 1.
11、结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）转移特性曲线UP - 截止电压 二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压Up3.开启电压UT4.直流输入电阻RGS5.低频跨导gm (表明场效
12、应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导gm - 五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析 若带有Cs，则 2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析 若源极带有Cs，则 六.共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析 第五章 功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态 导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。 2.乙类工作状态 ICQ0， 导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态 导通角为180o360o，效率较高，失真较大。 二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态 任意状态：UomUim 尽
13、限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：UomVCC 2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想时为78.5% 三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出 在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。 2. 解决办法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL-利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。 动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL-电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。 动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四. 复合管的组成及特点1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3.
