21秋《数学物理方法》平时作业二参考答案53

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1、21秋数学物理方法平时作业二参考答案1. 在探究凸透镜成像规律的实验中:(1)某同学依次把点燃的蜡烛、透镜、光屏放在光具座上。但是在实验中无论怎样移在探究凸透镜成像规律的实验中:(1)某同学依次把点燃的蜡烛、透镜、光屏放在光具座上。但是在实验中无论怎样移动光屏都找不到清晰的像,请你帮他们找出可能的原因。(写出2个可能原因)(2)有2个实验小组分别进行了4次操作,并把实验数据准确记录在下面表格中。请分析以下数据,你能得到什么结论?(写出2个结论)第一小组第二小组12341234凸透镜焦距/cm1414141416161616物距/cm4030201240302012像距/cm2226472734

2、80像的正、倒倒立倒立倒立正立倒立倒立倒立正立像的大、小缩小较小放大放大缩小较小放大放大像的虚、实实像实像实像虚像实像实像实像虚像(3)凸透镜的折光能力可能与什么因素有关?请你就此问题作出猜想并通过分析表中数据说明理由。(1)蜡烛、透镜、光屏不在同一高度;蜡烛在凸透镜的一倍焦距以内(或焦点上);像的位置在光具座以外等。(2)物距大于二倍焦距,成倒立、缩小的实像;物距在二倍焦距和一倍焦距之间,成倒立、放大的实像;物距小于焦距,成正立、放大的实像;凸透镜成实像时,物距减小,像距变大,像变大;焦距不同的凸透镜成实像时,物距相同,焦距越长(短),像距越大(小);1倍焦距外成实像,1倍焦距内成虚像;实像

3、都是倒立的、虚像都是正立的等。(3)透镜的折光能力与透镜的焦距有关。原因是焦距不同的凸透镜成实像时,物距相同时,焦距越长,像距越大,说明凸透镜的焦距越长(短),折光本领越弱(强)。略2. 质量70kg的人股骨长为60cm、平均截面积为5.0cm2.试求: (1)此人双腿站立时,股骨中的压应力和股骨长度的改变质量70kg的人股骨长为60cm、平均截面积为5.0cm2.试求:(1)此人双腿站立时,股骨中的压应力和股骨长度的改变量;(2)此人单腿站立时,股骨中的压应力和股骨长度的改变量查表可知,骨压缩时的杨氏模量E=0.91010Nm-2. (1)双腿站立时腿骨中的改变量l=l0=7.6210-56

4、010-2=4.5710-5(m) (2)单腿站立时腿骨中的改变量l=l0=1.5210-46010-2=9.1210-5(m) 答(1)此人双腿站立时,股骨长度的改变量为4.5710-5m;(2)此人单腿站立时,股骨长度的改变量为9.1210-5m3. 某高聚物熔体以1106Pa的压力差通过直径为2mm,长度为8mm的毛细管时的流率为0.05cm3/s,在同样的温度下,以51某高聚物熔体以1106Pa的压力差通过直径为2mm,长度为8mm的毛细管时的流率为0.05cm3/s,在同样的温度下,以5106Pa的压力差试验时,流率为0.5cm3/s,问该熔体在毛细管中是牛顿型流动还是非牛顿型流动?

5、试求其流变参数。0.699,3191。4. 一物经凸透镜在光屏上成一倒立等大的实像,则物、像之间的距离为 A、2倍焦距 B、4倍焦距 C、大于4倍焦距 D、小一物经凸透镜在光屏上成一倒立等大的实像,则物、像之间的距离为A、2倍焦距B、4倍焦距C、大于4倍焦距D、小于4倍焦距B5. 3一甲基一3一庚醇质谱基峰的mz是多少?为什么?谱图中是否会出现mz59、45、31峰?如果有,给出可能的3一甲基一3一庚醇质谱基峰的mz是多少?为什么?谱图中是否会出现mz59、45、31峰?如果有,给出可能的裂解过程。正确答案:基峰mz是73醇类化合物典型裂解是羟基的CC键断裂形成极强的mz31系列峰此处化合物为

6、叔醇按照最大烷基优先丢失原则失去丁基形成mz73的基峰。谱图中会出现mz59、45、31峰。其裂解过程如下:rn基峰mz是73,醇类化合物典型裂解是羟基的CC键断裂,形成极强的mz31系列峰,此处化合物为叔醇,按照最大烷基优先丢失原则,失去丁基形成mz73的基峰。谱图中会出现mz59、45、31峰。其裂解过程如下:6. 当高分子稀溶液处于状态时,其化学位为零。 ( )当高分子稀溶液处于状态时,其化学位为零。()错误7. 把一段通电直导线放在匀强磁场中,导线与磁场方向_时,导线受到的安培力最大;当导线与磁场方向_时,把一段通电直导线放在匀强磁场中,导线与磁场方向_时,导线受到的安培力最大;当导线

7、与磁场方向_时,导线受到的安培力为零。垂直,$平行8. 在下列情况下,你能确定一个点波源的位置吗?在下列情况下,你能确定一个点波源的位置吗?点源激发球面波,我们可以利用球面波的特点来确定一个点源的位置 如图11-1所示,设P1,P2,P2三场点接收到的强度分别为I1,I2,I3根据球面波的强度反比于场点到振源的距离的平方,可得 由此我们只能得到两个场点到源点距离的比值,还不能确定点源的位置$设首波之间的时差分别t12,t23,波速为v根据球面波的球对称性,可得 r2-r1=t12v, r3-r2=t23v 此时只能确定三场点的距离差,仍不能确定点源的位置$如(1),(2)同时已知,则点源位置唯

8、一确定联立方程,可得 由此分别以P1,P2,P3点为圆心,以r1,r2,r3为半径作圆弧得一交点,即为点波源的位置 9. 顺磁质和铁磁质的磁导率明显地依赖于温度,而抗磁质的磁导率则几乎与温度无关,为什么?顺磁质和铁磁质的磁导率明显地依赖于温度,而抗磁质的磁导率则几乎与温度无关,为什么?顺磁质和铁磁质的磁化主要是其固有磁矩在外磁场作用下整齐排列,而原子的热运动是抵抗这种排列的。温度越高,热运动对这种排列的抵抗越强,因而明显地影响到顺磁质和铁磁质的磁导率。抗磁质的磁化是外加磁场的作用产生了感生磁矩,与温度无关,所以抗磁质的磁导率也就基本上与温度无关了。10. 裂解过程中,若优先消去游离基如羟基,则

9、裂解后离子所带电子的奇偶数( )。A发生变化B不变C不裂解过程中,若优先消去游离基如羟基,则裂解后离子所带电子的奇偶数( )。A发生变化B不变C不确定正确答案:A11. 四配位化合物的构型是四面体还是平面正方形?与哪些因素有关?四配位化合物的构型是四面体还是平面正方形?与哪些因素有关?正确答案:晶体场稳定化能和配位体的相互排斥作用是四配位化合物采取哪一种构型的两个主要因素。从晶体场稳定化能来看d电子数不同弱场中的两种构型的CFSE差值与强场中的两种构型的CFSE差值不同。d0、d5、d10在弱场中的两种型构的CFSE均为0因此主要考虑配体间的排斥力四面体构型中四个配体间的斥力小所以采取四面体构

10、型如TiCl4、FeCl4-、ZnX42-均为四面体构型。d1、d6两种构型的CFSE差值很小排斥作用占优势所以仍为四面体构型如VCl4、FeCl42-。d2、d7在弱场中两种构型的CFSE差值仍较小四面体与平面四方形均有如CoX42-(XCl、Br、I、NCS)均为四面体而有些配合物为平面四方形。d3、d4的两种构型的CFSE差值较大平面四方形可获得较多的CFSE但实验数据不多。d8的两种构型的CFSE差值大应是平面四方形构型稳定这时配合物自旋成对呈反磁性。第二、三长周期过渡元素确实如此如PdCl42-、PtCl42-、Au2Cl6、AgF4-Rh(CO)2Cl2等。但第一周期过渡元素凶中心

11、离子较小若配体电负性高、体积大则需考虑排斥因素所以四面体与平面四方形均有NiX42是四面体(r+r-0414)而Ni(CN)42-为平面四方形(CN-为强场)。d9的Cu2+配合物从CFSE来看应为平面正方形。晶体场稳定化能和配位体的相互排斥作用是四配位化合物采取哪一种构型的两个主要因素。从晶体场稳定化能来看,d电子数不同,弱场中的两种构型的CFSE差值与强场中的两种构型的CFSE差值不同。d0、d5、d10在弱场中的两种型构的CFSE均为0,因此主要考虑配体间的排斥力,四面体构型中四个配体间的斥力小,所以采取四面体构型,如TiCl4、FeCl4-、ZnX42-均为四面体构型。d1、d6两种构

12、型的CFSE差值很小,排斥作用占优势,所以仍为四面体构型,如VCl4、FeCl42-。d2、d7在弱场中两种构型的CFSE差值仍较小,四面体与平面四方形均有,如CoX42-(XCl、Br、I、NCS)均为四面体,而有些配合物为平面四方形。d3、d4的两种构型的CFSE差值较大,平面四方形可获得较多的CFSE,但实验数据不多。d8的两种构型的CFSE差值大,应是平面四方形构型稳定,这时配合物自旋成对,呈反磁性。第二、三长周期过渡元素确实如此,如PdCl42-、PtCl42-、Au2Cl6、AgF4-Rh(CO)2Cl2等。但第一周期过渡元素凶中心离子较小,若配体电负性高、体积大,则需考虑排斥因素

13、,所以四面体与平面四方形均有,NiX42是四面体(r+r-0414),而Ni(CN)42-为平面四方形(CN-为强场)。d9的Cu2+配合物从CFSE来看应为平面正方形。12. 光的_现象说明光的波动性,光的_现象说明光是横波。光的_现象说明光的波动性,光的_现象说明光是横波。干涉,$衍射、偏振13. 从原理上如何计算物体在始末状态之间进行不可逆过程引起的熵变?从原理上如何计算物体在始末状态之间进行不可逆过程引起的熵变?正确答案:14. 一个各向同性的点源沿所有方向均匀地辐射。如果离开点波源10m处测得电场振动为10V/m,试确定辐射功率。一个各向同性的点源沿所有方向均匀地辐射。如果离开点波源

14、10m处测得电场振动为10V/m,试确定辐射功率。由于 辐射功率P=I.4r2=167W 15. 己知在无限长理想导体板围成的矩形区域内(0xa,0yb),电场复矢量为己知在无限长理想导体板围成的矩形区域内(0xa,0yb),电场复矢量为利用复麦克斯韦方程可以求出磁场强度的复矢量 写成分量形式为 Hy=0 所以$根据电场和磁场的复矢量可以得到相应的瞬时值 坡印廷矢量的瞬时值 坡印廷矢量的平均值 $穿过任一横截面的平均功率为 16. 高分子运动单元的松弛时间大小顺序为( )( )( )。 (a) 高分子链 (b) 链段 (c) 链节高分子运动单元的松弛时间大小顺序为()()()。(a) 高分子链(b) 链段(c) 链节abc17. 假设太阳表面温度为5800K,太阳半径为6.96108m如果认为太阳的辐射是稳定的,求太阳在1年内由于辐射,它的

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