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1、一、填空题（ 30 分=1 分*30 ）10 题/ 章晶圆制备1 用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅 ），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅 ）。2 单晶硅生长常用（CZ 法）和（ 区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。3 晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗 ）。4 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。5 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（ 110 ）和（ 111）。6 CZ 直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的 ）并且（
2、 被掺杂成 p 型或 n 型 ）的固体硅锭。7 CZ 直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响 CZ 直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。8 晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端 ）、（ 径向研磨）和（ 硅片定位边和定位槽）。9 制备半导体级硅的过程：1（ 制备工业硅 ）；2（生长硅单晶）；3 （ 提纯）。氧化10 二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。11 热氧化工艺的基本设备有三种： （卧式炉）、（ 立式炉 ）和（ 快速热处理炉）。12 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）
3、。13 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔 ）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。14 选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为 LOCOS 和（ STI）。15 列出热氧化物在硅片制造的4 种用途：（掺杂阻挡 ）、（ 表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散 ）、（）、退火和合金。17 硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。18 热氧化的目标是按照 （）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜
4、。19 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所， 它由垂直的（ 石英工艺腔）（、 加热器）和（ 石英舟）组成。淀积20 目前常用的 CVD 系统有：（ APCVD）、（LPCVD）和（ PECVD）。21 淀积膜的过程有三个不同的阶段。 第一步是（晶核形成），第二步是（ 聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。22 缩略语 PECVD 、LPCVD 、HDPCVD 和 APCVD 的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（ 低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。23 在外延工艺中，如果膜和衬底材料 （相同 ），例如硅衬底上长硅膜， 这样的膜生长称为 （ 同质外
5、延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。24 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力）、（电短路）或者在器件中产生不希望的（ 诱生电荷 ）。25 深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。26 化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。27 化学气相淀积的基本方面包括： （）；（）；（）。28 在半导体产业界第一种类型的CVD是（），其发生在（）区域，在任何给定的时间，在硅片表
6、面（）的气体分子供发生反应。29 HDPCVD 工艺使用同步淀积和刻蚀作用， 其表面反应分为：（）、（）、（）、热中性 CVD 和反射。金属化30 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类： （）、（）和（）。31 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、 （）和（），则溅射区域选择在（）。32 溅射现象是在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（），还可以用来（）。33 对芯片互连的金属和金属合金来说， 它所必备一些要求是：（ 导电率 ）、高黏附性、（ 淀积）（、 平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等
7、。34 在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝 ），即将取代它的金属材料是（铜 ）。35 写出三种半导体制造业的金属和合金（Al）、（ Cu ）和（ 铝铜合金）。36 阻挡层金属是一类具有 （高熔点 ）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是 （W）和（ W）。37 多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。38 被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是： （ ）、（ ）、（）和铜电镀。39 溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中， （）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（）
8、，最后淀积在硅片上。平坦化40 缩略语 PSG、BPSG、 FSG 的中文名称分别是（）、（）和（）。41 列举硅片制造中用到 CMP 的几个例子：（）、LI 氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。42 终点检测是指 （CMP 设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测 ）。43 硅片平坦化的四种类型分别是（平滑 ）、部分平坦化、（ 局部平坦化 ）和（ 全局平坦化）。44 20 世纪 80 年代后期，（）开发了化学机械平坦化的（），简称（），并将其用于制造工艺中对半导体硅片的平坦化。45 传统的平坦
9、化技术有（）、（）和（）。46 CMP 是一种表面（全局平坦化 ）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（磨料），并同时施加（压力 ）。47 磨料是精细研磨颗粒和化学品的混合物，在（）中用来磨掉硅片表面的特殊材料。常用的有（）、金属钨磨料、（）和特殊应用磨料。48 有两种 CPM 机理可以解释是如何进行硅片表面平坦化的：一种是表面材料与磨料发生化学反应生成一层容易去除的表面层，属于（）；另一种是（），属于（）。49 反刻属于（）的一种，表面起伏可以用一层厚的介质或其他材料作为平坦化的牺牲层，这一层牺牲材料填充（），然后用（）技术来刻蚀这一牺牲层，通过
10、用比低处快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面的平坦化。光刻50 现代光刻设备以光学光刻为基础，基本包括：（）、光学系统、（）、对准系统和（）。51 光刻包括两种基本的工艺类型： 负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（ 负性光刻胶），后者是（ 正性光刻胶 ）。52 写出下列光学光刻中光源波长的名称：436nmG线、 405nm （）、 365nmI 线、 248nm（）、 193nm深紫外、 157nm （）。53 光学光刻中，把与掩膜版上图形（）的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻；把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻。54 有光刻胶覆盖硅片
11、的三个生产区域分别为（）、（）和（）。55 I 线光刻胶的 4种成分分别是（）、（）、（）和添加剂。56 对准标记主要有四种：一是（），二是（），三是精对准，四是（）。57 光刻使用（）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形，光刻过程的其它说法是（）、光刻、掩膜和（）。58 对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶，其有 4 个步骤：（）、旋转铺开、旋转甩掉和（）。59 光学光刻的关键设备是光刻机， 其有三个基本目标：（使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦，包括图形）；（通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。刻蚀60 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺： （）和（）。前者是（）尺寸下刻蚀器件的最主要方法，
