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1、精品资料推荐教 案2007 2008学年 第一 学期院(系、部)机电工程学院教 研 室物理与电子科学系课 程 名 称 微电子概论专业、年级、班级 05电科(1) (2) (3)班主讲教师熊志伟职称、职务助 教使用教材微电子概论编号：1课时安排：2学时教学课型：理论课，实验课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第一章概论教学目的、要求：掌握：1.集成电路的分类2.集成电路的制造特点熟悉：微电子学的基本概念了解：电子工业的发展历史、特点、未来发展方向教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）: 1-1微电子技术的发展历程一、发展历程（了解）二、发展特点（熟悉）1 .集成度不断提高；（Moore定律
2、）2 .小特征尺寸和大圆片技术不断适应发展；（表1-2）3 .半导体产品的高性能化和多样化；4 .微电子技术发展的多功能化；三、21世纪发展趋势（了解）1 .缩小器件的特征尺寸2 .系统集成芯片（System On a Chip）3 .微电子技术与其他学科相结合产生的新的技术增长点 1-2集成电路的分类一、按功能分类1 .数字集成电路；2 .模拟集成电路；3 .混合集成电路；二、按电路结构分类1 .单片集成电路；2 .混合集成电路；a.厚膜上2b.薄膜上2c.多芯片组装IC三、按有源器件分类1. 双极型集成电路2. MOS集成电路3. BiMOS集成电路四、按电路的规模分类SSI, MSI ,
3、 LSI , VLSI , ULSI , GSI 1-3集成电路制造特点一、电路系统设计二、版图设计和优化三、集成电路的加工制造四、集成电路的封装五、集成电路的测试和分析教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本章提纲、微电子概论课程简介、电子工业的发展历程要强调的内容重要的公式三、集成电路的分类四、集成电路的制造特点五、本书学习要点作业：回顾模拟电路课程内容，参照书本预习第二章内容参考书目：1、张兴黄如刘晓彦.微电子学概论.北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论.国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟职称：助教07年9
4、月3日编号：2课时安排：2学时教学课型：理论课，实验课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第二章集成器件物理基础2-12-3教学目的、要求：掌握：1.半导体能带模型、工作原理；2. PN结和晶体二极管工作特性和参数； 了解：PN结应用和常用的半导体二极管；教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）:2-1半导体及其能带模型一、半导体结构常用半导体材料的结构特点和导电机制二、半导体的能带模型（#）三、费米分布函数 2-2半导体的导电性一、本征半导体二、非本征半导体注意其中的区别和联系三、半导体的漂移电流四、半导体的扩散电流五、半导体基本方程 2-3 PN结和晶体二极管一、平衡状态卜的 PN结二、
5、PN结及晶体二极管的特性1 .单向导电性2 .伏安特性3 .电容特性4 .反向击穿特性三、二极管的等效模型教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本章重点纲要 一、半导体结构 二、半导体的能带模型 三、本征半导体 四、半导体中的电流板书要强调的内容 重要的公式 例题的求解过程作业：结合模拟电路，复习本课内容课本 P91 1、2、3参考书目：1、张兴黄如刘晓彦.微电子学概论.北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论.国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟职称：助教07年9月 7日编号：3课时安排：2学时教学课型：理论课，实验
6、课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第二章集成器件物理基础2-42-6教学目的、要求：掌握：1.双极型晶体管的直流放大原理、输入输出特性、模型参数2. MOS场效应管工作原理、直流伏安特性、模型参数了解：1.结型场效应管的工作特性2.双极型晶体管和MOS场效应管的应用教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）:8-4双极型晶体管（三极管）一、结构特点二、工作原理三、工作特性1 .电流参数2 .输出特性3 .频率特性4 .开关特性四、影响晶体管直流特性的因素1 .基区艾宽效应2 .大电流效应3 .小电流特性五、异质结双极晶体管（HBT）8-5 JFET与MESFET器件基础一、器件结构与电流控
7、制原理二、JFET直流输出特性三、JFET直流转移特性四、JFET器件类型和电路符号五、JFET等效电路和模型参数8-6 MOS场效应晶体管一、MOS场效应管结构二、工作原理（以 NMOS增强型场效应管为例）三、MOS晶体管直流特性及定量描述四、MOS晶体管模型和参数五、硅栅MOS结构和自对准技术六、高电子迁移率晶体管教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本章重点纲要一、结构特点二、工作原理三、工作特性四、影响晶体管直流特性的因素五、异质结双极晶体管(HBT)板书要强调的内容重要的公式 例题的讲解过程作业：课后复习，参照参考书预习卜f 课内容参考
8、书目：1、张兴黄如刘晓彦.微电子学概论.北京大学出版社，20052、常青陶华敏肖山竹.微电子技术概论.国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟职称：助教07年9月14日编号：4课时安排：2学时教学课型：理论课，实验课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第三章集成电路制造工艺法1、3-2教学目的、要求：掌握：1.硅平面工艺的基本流程，基本工艺2.氧化工2流程熟悉：流程中的常用名词，基本概念了解：目前新的工艺发展方向教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）:陵-1硅平面工幺基本流程一、平囿工艺的基本概念二、PN结隔离双极IC工艺基本流程二、平囿工艺中的基本上2 （*）法2 氧化工2一、SiO 2
9、薄膜在集成电路中的作用二、SiO2生长方法（*）1 .热氧化原理2 .常用方法（氧气氧化，化学气相淀积，等离了淀积）三、氮化硅薄膜的制备四、膜质量要求和检验方法1 .表面检查2 .厚度检查（干涉法）3 .氧化层针孔密度检查4 .可动电荷密度，界向态密度检查五、新的挑战教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：回顾旧知识、授新课、问题讨论、布置作业板书要强调的内容重要的公式作图说明例题的求解过程板书设计：本节纲要一、平面工艺的基本概念二、平面工艺基本流程三、氧化工艺作业：课后复习，参照参考书预习下一节课内容参考书目：1、张兴黄如刘晓彦.微电子学概论.北京大学出版社，20052、常青 陶华
10、敏 肖山竹.微电子技术概论.国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟职称：助教07年9月17日编号：5课时安排：2学时教学课型：理论课，实验课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第三章 集成电路制造工艺3-3、3-4教学目的、要求：掌握：1.扩散原理及常用的方法2.离子注入技术原理及常用的方法，最新的发展方向 熟悉：1.两种方法的优缺点，应用范围教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）:3-3掺杂方法之扩散工艺一、扩散原理扩散流、扩散系数、杂质分布、结深二、常用扩散方法简介（*）1 .液态源扩散2 .片状源扩散3 .固一固扩散4 .双温区的分布扩散5 、快速气相掺合6 、气体浸没激光掺杂三、
11、扩散层质量检测四、扩散工2与集成电路设计的关系7 4-2掺杂方法之二离子注入技术一、离子注入技术的特点1 .概念2 .特点（*）二、离子注入设备1.离子源2 .磁分析器3 .加速管4 .聚焦5 .偏速器6 .扫描仪7 .靶室8 .辅助设备三、离了注入杂质分布3-5光刻工2一、光刻工艺的特征尺度二、光刻工艺过程三、超微细图形曝光技术教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本节纲要一、扩散原理二、扩散工艺常用方法三、扩散层质量检测四、离子注入技术板书要强调的内容 重要的公式 例题的求解过程作业：课后复习，参照参考书预习卜一节课内容参考书目：1、张兴 黄
12、如 刘晓彦.微电子学概论.北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论.国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟职称：助教 07年 9月21日编号：6课时安排：2学时教学课型：理论课，实验课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第三章 集成电路制造工艺3-6 3-9教学目的、要求：掌握：1.制版工艺，外延工艺，金属化工艺，引线封装工艺的工艺流程熟悉：1.制版工艺的质量要求2 .外延工乙新技术3 .金属材料的选用教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）:法6制版上2一、集成电路生产对光刻版的质量要求二、制版工2过程三、光刻掩版的检查3-7外延工2一、外延生长原理二、外延层质量
13、要求二、外延新技术3-8金属化工2一、金属材料的选用二、金属层淀积工艺三、金属化互连系统结构四、合金化3-9引线封装一、键合二、封装教学方式：讲授教学媒介：教科书、板书教学过程设计：授新课、问题讨论、布置作业板书设计：本节纲要一、制版工艺二、外延工艺三、金属化工艺四、引线封装板书要强调的内容重要的公式 例题的求解过程作业：课后复习，参照参考书预习卜f 课内容参考书目：1、张兴黄如刘晓彦.微电子学概论.北京大学出版社，20052、常青 陶华敏 肖山竹.微电子技术概论.国防工业出版社，2006教师姓名：熊志伟职称：助教07年9月28日编号：7课时安排：2学时教学课型：理论课，实验课口习题课口 其它口授课章节（或主题）：第三章集成电路制造工艺3-10 3-12教学目的、要求：掌握：1.常用的PN结隔离技术2 .绝缘上硅1Z流程3 . CMOS工2流程了解：隔离技术的新发展，CMOS工艺的新发展教学内容（包括基本内容、重点*、难点#）:陵-10 隔离技术一、双极IC中的基本隔离技术二、双极IC中的介质PN结混合隔离二、双极IC中的介质隔离四、MOS IC的隔离法11绝缘物上硅一、SIO技术二、注氧隔离技术（SIMOX ）三、硅片粘合技术法12 CMOS基础电路上2
