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1、(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利说明(10)申请公布号CN109307831B(43)申请公布日2020.03.31(21 )申请号 CN201811114610.9(22)申请日 2018.09.25(71 )申请人长江存储科技有限责任公司地址430205湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室(72 )发明人杨盛玮;韩坤(74 )专利代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人骆希聪(51) Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称集成电路中栅极氧化层的TDDB测试方法(57)摘要本发明涉及一种集成电路中栅极氧化层的 TDDB测试
2、方法。该测试方法包括以下步骤：获得 对所述栅极氧化层进行斜坡电压测试所确定的击 穿场强；在测试电场下对所述栅极氧化层进行 TDDB测试，获得击穿时间；根据所述斜坡电压测 试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及 所述测试电场场强确定电场加速因子；以及使用 所述电场加速因子计算所述栅极氧化层的寿命。法律状态2019-02-05公开公开2019-02-05公开公开2019-02-05公开公开2019-03-05实质审查的生效实质审查的生效2019-03-05实质审查的生效实质审查的生效2020-03-31授权授权法律状态信息法律状态公告日法律状态权利要求说明书集成电路中栅极氧化层的TDDB测试方法的权利要求说明书内容是.请下载后查看集成电路中栅极氧化层的TDDB测试方法的说明书内容是.请下载后查看
