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1、-第一章1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die?什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯单数和复数芯片或集成电路；硅圆片通常称为衬底。2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend.列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势答:提高芯片性能:器
2、件做得越小，在芯片上放置得越严密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不连续地分析制造工艺。 降低芯片本钱：半导体微芯片的价格一直持续下降。3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important?什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要答：芯片的关键尺寸CD是指硅片上的最小特征尺寸；因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片*种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。4. De
3、scribe scaling and its importance in chip design.描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进展的重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。5. What is Moores law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。第二章6. What is the advantage of gallium
4、arsenide over silicon?砷化镓相对于硅的优点是什么答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon?砷化镓相对于硅的主要缺点是什么答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；本钱比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物去除设施中特别控制。第三章8. What is an active ponent? Give two e*amples of this type of ponent
5、.什么是无源元件，举出两个无源元件的例子答：有源器件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。 例子：电阻，电容。9. What are some notable characteristics of bipolar technology? What is biggest drawback to bipolar technology?双极技术有什么显著特征，双极技术的最大缺陷是什么答：显著特征：高速，耐久性和功率控制能力。 最大缺陷：功耗高。10. What are the benefits of the field-effect transistor (FET)?场效应管有什么
6、优点答：低电压和低功耗。11. What are the two basic types of FETs? What is the major difference between them?FET的两种根本类型是什么，他们之间的主要区别是什么答：类型：结型JFET和金属-氧化物型MOSFET半导体。 区别：MOSFET作为场效应管晶体输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。12. What are the two categories of MOSFETs? How are they distinguishable from on
7、e another?MOSFET有哪两种类型，他们怎样区分答：类型：nMOSn沟道和pMOSp沟道区分方法：可有各自器件的多数载流来区别。13. What two IC technologies are used in BiCMOS?BiCMOS使用了哪两种集成电路技术答：采用了CMOS和双极技术14. What could a digital/analog (D/A) converter chipbe used for? What could an analog/digital (A/D) chip be used for?数模转换器芯片能用做什么，模数转换器芯片能用做什么答：数/模转化器芯
8、片可用来提供用做电子机械设备的控制模拟驱动信号。模/数转换器芯片可用来测量模拟驱动信号的输出。15. E*plain the difference between an enhancement-mode transistor and depletion-mode transistor with regards to their standby condition.解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别答：增强型晶体管很好地工作于数字陆机应用中，只需要单极的输入信号控制场效应晶体管。 耗尽型被已经存在的闭合沟道局部开启。输入电压可以在一个方向变化以提高流过沟道的电流，或者在相反方向降低流过
9、的沟道电流。如果栅极的输入电压在反向更提高，耗尽型晶体管将会断开。第四章16. Why is it necessary to have monocrystal silicon for wafer fabrication?为什么要用单晶进展硅片制造答：半导体芯片加工需要纯洁的单晶硅构造，这是因为单胞重复的单晶构造能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体构造和缺陷导致微缺陷的形成。17.Which crystal plane orientation is most mon MOS? Which is most mon for bipolar?MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向
10、，双极型用的最多的是哪几种答：MOS ：(100)面的硅片； 双极型：111面的硅片18.Define crystal growth. What is the CZ method for crystal growth?定义晶体生长，什么是CZ单晶生长法答：晶体生长：是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。 CZ单晶生长法：是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。19. List seven wafer quality requirements for a silicon wafer.列举硅片的七种质量要求答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶体缺陷；颗
11、粒；体电阻率20. What is an epita*ial layer, and why is it used on wafers?什么是外延层，为什么在硅片上使用它答：在*种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有一样晶体构造的硅外表，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅外表沉积一个外延层来到达。原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。 第八章21、What is plasma? Why is RF energy used in
12、plasma?什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量答：等离子是一种中性，高能量，离子化的气体，包含中性原子或分子，带电离子和自由电子。 RF能量的使用可以产生一个高成效的等离子体。 第九章22、 List the si* distinct production areas in a wafer fab and give a short description of each area.列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述答：扩散：扩散区一般认为是进展高温工艺及薄膜沉积的区域。 光刻：使用黄色莹光管照明使得光刻区与芯片厂中的其他各个区明显不同。 刻蚀：是在硅片上没
13、有光刻胶保护的地方留下永久的图形。 离子注入：采用高电压和磁场来控制并加速离子。 薄膜生长：主要负责生产各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。抛光：为了使硅片外表平坦化，是通过将硅片外表突出的局部减薄到下凹局部的高度实现。23、 Identify the three production areas where photoresistcoated wafers can be found.确定有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域答：光刻区，刻蚀区和离子注入区24、 What is the purpose of the etch process? Name the most mon tools used
14、in this area?刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么答：目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。25、 What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation?离子注入后进展退火工艺的原因是什么答：可使裸露的硅片外表生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格构造中的一局部。26、What is shallow trench iso
15、lation (STI)? What process did it replace?什么是浅槽隔离STI，它取代了什么工艺答：浅槽隔离STI是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。取代了局域氧化工艺LOCOS第十章27、What is the difference between a grown and a deposited o*ide layer?生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么答：在升温环境里，通过外部供应高纯氧气使之与硅衬底反响，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供应氧气和硅源，使它们在腔体中反响，从而在硅片外表形成一层薄膜。28、Describe the field o*ide layer, and state its range of thickness.描述场氧化层及其厚度围答：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层围：250012000 * 10-10A上面一个圈 之间29、 Why is the gate o*ide thermally grown?为什么删氧要用热生长答：因为栅氧与其下的Si具有高质量和稳定性的特点，栅氧一般通过热生长
