晶振基本原理和特性

《晶振基本原理和特性》由会员分享，可在线阅读，更多相关《晶振基本原理和特性（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、晶振的基本原理及特性晶振一般采用如图1a的电容三端式（考毕兹）交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图b,其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如分析整个振荡槽路可知，利用 Cv 来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽 路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C 1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的 频率范围也越小。实际上，由于C1很小（1E-15量级），Co不能忽略（1E-12量 级，几PF）。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来

2、越小，Cv变小时，升 高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大， 非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压（Cbe上的电压）却越来越小， 最后导致停振。采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越 小。晶振的指标总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体 振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频 率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他 频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。频率稳定度：任何晶振

3、，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。一个晶振的输出 频率随时间变化的曲线如图 2。图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移 和短稳。图 2 晶振输出频率随时间变化的示意图曲线1是用 0.1秒测量一次的情况，表现了晶振的短稳；曲线 3是用 100秒测量一次的情况， 表现了晶振的漂移；曲线 4 是用 1 天一次测量的情况。表现了晶振的老化。频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准 温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。ft=（fmax-fmin）/（fmax+fmin）ftref =MAX I （fmax-fref）/fref 1,1 （fmin-fref）/fref

4、 I ft：频率温度稳定度（不带隐含基准温度） ftref：频率温度稳定度（带隐含基准温度） fmax ：规定温度范围内测得的最高频率 fmin：规定温度范围内测得的最低频率 fref：规定基准温度测得的频率说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器, 故 ftref 指标的晶体振荡器售价较高。开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5 分钟）的频率到开机后 另一段时间（如 1 小时）的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对 经常开关的仪器如频率计等很有用。说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器 需要频繁的开

5、机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于 在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度W土 0.3ppm（-45C85C）,采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采 用 MCXO 只需要十几秒钟）。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的 关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，因 此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的最大变化率（如土 10ppb/ 天，加电72小时后），或规定的时限内最大的总频率变化（如：1ppm/（第 一年）和土5ppm/ （十年）来表示。晶体老化是因为在生产晶体

6、的时候存在应力、污染物、残留气体、结构工艺缺陷 等问题。应力要经过一段时间的变化才能稳定，一种叫“应力补偿”的晶体切割 方法（SC切割法）使晶体有较好的特性。污染物和残留气体的分子会沉积在晶体片上或使晶体电极氧化，振荡频率越高， 所用的晶体片就越薄，这种影响就越厉害。这种影响要经过一段较长的时间才能 逐渐稳定，而且这种稳定随着温度或工作状态的变化会有反复使污染物在晶 体表面再度集中或分散。因此，频率低的晶振比频率高的晶振、工作时间长的晶 振比工作时间短的晶振、连续工作的晶振比断续工作的晶振的老化率要好。说明：TCXO的频率老化率为：土0.2ppm土2ppm （第一年）和1ppm5 ppm （十

7、年）（除特殊情况，TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使 在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器 每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。OCXO的频率老化率为： 0.5ppb1Oppb/天（加电 72 小时后），30ppb土2ppm （第一年），土 0.3ppm土3ppm （十年）。短稳：短期稳定度，观察的时间为1 毫秒、10毫秒、100毫秒、1 秒、10秒。晶振的输出频率受到内部电路的影响（晶体的 Q 值、元器件的噪音、电路的稳定 性、工作状态等）而产生频谱很宽的不稳定。测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算。相位噪音也同样可以反映短稳的情况(

8、要有专用仪器测量)。重现性：定义：晶振经长时间工作稳定后关机，停机一段时间t1(如24小时)， 开机一段时间t2(如4小时)，测得频率fl，再停机同一段时间t1，再开机同一段 时间t2，测得频率f2。重现性=(f2-f1)/f2。频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频 率的最小峰值改变量。说明：基准电压为+ 2.5V，规定终点电压为+ 0.5V和+ 4.5V，压控晶体振荡器 在+ 0.5V频率控制电压时频率改变量为-2ppm，在+ 4.5V频率控制电压时频率 改变量为+ 2.1ppm，则VCXO电压控制频率压控范围表示为：$2ppm(2.5V 2V)，斜率为正，

9、线性为+2.4%。压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。通常 用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干 dB 表示。说明：VCXO频率压控范围频率响应为010kHz。频率压控线性：与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的 一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。说明：典型的VCXO频率压控线性为：W10%，W20%。简单的VCXO频 率压控线性计算方法为(当频率压控极性为正极性时)：频率压控线性=(fmax-fmin)/ f0)x 100%fmax： VCXO 在最大压控电压时的输出频率fmin： VCXO 在最小压控电压时的输出频率

10、f0：压控中心电压频率单边带相位噪声(f):偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率 之比。输出波形：从大类来说，输出波形可以分为方波和正弦波两类。方波主要用于数字通信系统时钟上，对方波主要有输出电平、占空比、上升/下 降时间、驱动能力等几个指标要求。随着科学技术的迅猛发展，通信、雷达和高速数传等类似系统中，需要高质量的 信号源作为日趋复杂的基带信息的载波。因为一个带有寄生调幅及调相的载波信 号（不干净的信号）被载有信息的基带信号调制后，这些理想状态下不应存在的 频谱成份（载波中的寄生调制）会导致所传输的信号质量及数传误码率明显变坏。 所以作为所传输信号的载体，载波信号的干净程度（频

11、谱纯度）对通信质量有着 直接的影响。对于正弦波，通常需要提供例如谐波、噪声和输出功率等指标。晶振的分类根据晶振的功能和实现技术的不同，可以将晶振分为以下四类：1） 恒温晶体振荡器（以下简称 OCXO）这类型晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术，将晶体置于恒温槽内， 通过设置恒温工作点，使槽体保持恒温状态，在一定范围内不受外界温度影响， 达到稳定输出频率的效果。这类晶振主要用于各种类型的通信设备，包括交换机、 SDH传输设备、移动通信直放机、GPS接收机、电台、数字电视及军工设备等 领域。根据用户需要，该类型晶振可以带压控引脚。OCXO的工作原理如下图3 所示：图3 恒温晶体振荡器原理框图

12、OCXO 的主要优点是，由于采用了恒温槽技术，频率温度特性在所有类型晶振 中是最好的，由于电路设计精密，其短稳和相位噪声都较好。主要缺点是功耗大、 体积大，需要 5 分钟左右的加热时间才能正常工作等。我公司生产的此类晶振的 典型指标如下：2） 温度补偿晶体振荡器（以下简称 TCXO）。其对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段，主要原理是通过感应环境 温度，将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率，达到稳定输出频率的效果。 传统的TCXO是采用模拟器件进行补偿，随着补偿技术的发展，很多数字化补 偿大TCXO开始出现，这种数字化补偿的TCXO又叫DTCX0,用单片机进行 补偿时我们称之为MC

13、XO，由于采用了数字化技术，这一类型的晶振再温度特 性上达到了很高的精度，并且能够适应更宽的工作温度范围，主要应用于军工领 域和使用环境恶劣的场合。在广大研发人员的共同努力下，我公司自主开发出了 高精度的MCXO，其设计原理和在世界范围都是领先的，配以高度自动化的生 产测试系统，其月产可以达到5000 只，其设计原理如图4。这类型晶振的典型的应用指标如下：3) 普通晶体振荡器(SPXO)。这是一种简单的晶体振荡器，通常称为钟振，其工 作原理为图3中去除“压控”、“温度补偿”和“AGC”部分完全是由晶体的 自由振荡完成。这类晶振主要应用于稳定度要求不高的场合。4) 压控晶体振荡器(VCXO)。这是根据晶振是否带压控功能来分类，带压控输入 引脚的一类晶振叫vex 0,以上三种类型的晶振都可以带压控端口。