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1、第 1 题 在下列元件中不属于光电元件的是 您的答案： A题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：光纤是光传导工具 第 2 题 下列方法不可以改变电感式传感器的电容的是您的答案： B题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：电感式传感器原理是利用电感元件把被测物理量的变化转换成电感的自感或互感系 数，再由测量电路转换成电压（或电流变化）第 3 题 压电式传感器目前多用于测量您的答案： A题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：压电传感器敏感元件属于力敏元件，用于力、压力、加速度、机械冲击与振动等第 4 题 霍尔元件采用恒流源激励是为了 您的答案： C题目分数： 0.5此题得分： 0.5批
2、注：恒流源激励减小不等位电势 第 5 题 光敏二极管属于您的答案： C题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：利用光生伏特效应可制成光敏二极管，光敏三极管和光电池等 第 6 题 光电真空管属于 您的答案： A题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：利用外光电效应制成的器件有真空光电管，充气光电管和光电倍增管第 7 题 温度上升，光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管的暗电流 您的答案： A题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：温度上升，暗电流上升，亮电流下降，是信噪比减小第 8题 磁阻率反映出通过磁阻传感器可获得的最大信号强度。一般各向异性磁阻传感器 （AMR ）的磁阻率为您的答案： A题
3、目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：各向异性磁阻传感器（ AMR ）的磁阻率为 1-2%，而巨磁阻元件（ GMR ）的磁阻率可 达 20-50% 。第 9 题 AMR 在外磁场与电流方向之间成多少度夹角时，具有最高的灵敏度且线性度最佳。您的答案： C题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注： AMR 在外磁场与电流方向之间成 45夹角时，具有最高的灵敏度且线性度最佳。第 10 题 下述何种传感器的主要缺点是响应较慢，不宜于快速动态测量您的答案： B 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：电感式传感器响应较慢第 11 题 金属导体置于变化的磁场中， 导体内就会有感应电流产生， 这种电
4、流在金属体内自 行闭合，通常称为电涡流。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：电涡流定义第 12 题 在霍尔式传感器中，霍尔电势反比于磁场强度。 您的答案：错误 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5批注：在霍尔式传感器中，霍尔电势正比于磁场强度第 13 题 在光线作用下， 物体电导性能发生变化或产生一定方向的电动势的现象，称为内光电效应。您的答案：正确题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：内光电效应定义第 14 题 爆炸下限含量在 10%以下，或爆炸上限与爆炸下限含量差大于20% 的气体称为可燃性气体您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：
5、可燃性气体定义第 15 题 气敏传感器是一种将检测到的气体成分和浓度转换为电信号的传感器您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：气敏传感器定义第 16 题 霍尔传感器的检测效果很容易受检测距离变化的显著影响，提离效应比较严重。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注： 由于霍尔元件产生的电势差很小， 故通常将霍尔元件与放大器电路、 温度补偿电路及 稳压电源电路等集成在一个芯片上， 称之为霍尔传感器。 霍尔传感器的检测效果很容易受检 测距离变化的显著影响，提离效应比较严重。第 17 题 磁阻传感器的其灵敏度与线性范围的大小成正比， 既线性范围越宽， 其灵
6、敏度越高。 您的答案：错误题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：磁阻传感器部分第 18 题 与磁阻传感器相比， 巨磁阻传感器具备灵敏度高， 检测范围大的特点。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：与传统的磁敏传感器比较 ,巨磁阻传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、体 积小、价格低等优点 .第 19 题 铁磁材料磁化中 ,磁畴的不可逆运动，会产生 Barkhausen 和磁声发射 (MAE) 效应 您的答案：正确题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：铁磁化部分第 20 题 压磁效应主要用于磁场强度的测量 您的答案：错误 题目分数： 0.5 此题得分：
7、 0.5 批注：压磁效应主要用于力和扭矩 第 21 题 电容效应广泛用于位移、压力、流量、液面、介质的测试。 您的答案：正确 题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：抬高了电容上的电压这种现象称为电容效应，广泛用于位移、压力、流量、液面、介 质的测试第 22 题 压电效应主要用于测量力、压力、加速度、机械冲击与振动等，广泛应用于机械、 声学、医学、航天等领域您的答案：正确题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：压电效应第 23 题 基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P 型半导体材料。您的答案：错误 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5批注：霍尔元件多采用 N 型半导体材料 第 24 题
8、 使用应变片测量应力的优点是价格低，使用寿命长。 您的答案：正确题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：应变片利用金属丝电阻随其变形而改变的物理特性。 使用应变片测量应力的优点是价 格低，使用寿命长第 25 题 习惯上讲的电感式传感器通常指自感式传感器，而互感式传感器由于是利用变压器原理，又往往做成差动形式，所以常称为差动变压器式传感器。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注： 电感式传感器通常指自感式传感器， 而互感式传感器由于是利用变压器原理， 又往往 做成差动形式，所以常称为差动变压器式传感器。第 26 题 涡流传感器可以测量表面裂纹。 您的答案：正确题目分数：
9、 0.5此题得分： 0.5批注：涡流传感器能静态和动态地非接触、 高线性度、 高分辨力地测量被测金属导体距探头 表面的距离。第 27 题 安全检测包括对危险性的检测和对完整性的检测两方面含义。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：安全检测定义第 28 题 为保证产生足够多的表面电荷， 压电元件一般采用两片以上的组合结构， 其中并联 连接适合以电压为输出的场合。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：并联接法输出电荷大，时间常数大，适合于测量以电荷为输出量且慢变信号的场合第 29 题 丝式应变片具有横向效应小， 散热好， 输出灵敏度高、 寿命长的特点
10、。您的答案：错误 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：应变片分类及特点第 30 题 半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。您的答案：正确题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注： 压阻效应是应力使材料电阻率发生变化的一种现象。 该效应是半导体压阻应变计、 加 速度应变计等工作的物理基础。与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。第 31 题 自感式传感器的自感 L 与空气隙 d 成正比，与气隙横截面积成反比 您的答案：错误题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：与气隙横截面积成正比 第 32 题 高频反射式涡流传感器主要用于位移测量。 您的答案：正确 题目
11、分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：涡流式传感器可分为高频反射式和低频透射式两种。 高频反射式涡流传感器多用于位 移测量。第 33 题 光电子逸出时具有的初始动能与光的频率有关。 特定材料具有特定的逸出功， 存在 一个入射光的极限频率（红限频率） ，仅当入射光频率大于该频率时，才会有电子逸出。您的答案：正确 题目分数： 0.5 此题得分： 0.5 批注：要使一个电子从物质表面逸出，光子具有的能量必须大于该物质表面的逸出功A0 ，光电子逸出时具有的初始动能与光的频率有关。 特定材料具有特定的逸出功， 存在一个入射 光的极限频率 （红限频率） ，仅当入射光频率大于该频率时， 才会有电子逸出。
12、第 34 题 光电二极管主要用于近红外探测器及光电转换的自动控制仪器中，还可以作为光导纤维通信的接收器件。您的答案：正确题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：参考光电二极管定义第 35 题 在选用传感器时，精确度越高越好 您的答案：错误题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：传感器精确度越高价格越昂贵第 36 题 以下属于常用压磁元件材料的是您的答案： A,C,D题目分数： 0.5此题得分： 0.5 批注：压磁元件常用的材料有硅钢片、坡莫合金和一些铁氧体。第 37 题霍尔元件多采用 N 型半导体材料，常用材质为您的答案： A,B题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：目前最常用的霍尔元件材料是 N 型硅， N 型锗等第 38 题 以下属于常用光敏电阻的材料的是您的答案： A,B,C,D题目分数： 0.5此题得分： 0.0批注：光敏电阻使用可以产生光电效应的物质，或金属硫化物，砷化物等第 39 题 以下属于磁敏元件的是您的答案： A,B题目分数： 0.5此题得分： 0.0批注：磁敏元件分耳元件、磁敏二极管、磁敏三极管等。主材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅第 40 题 变气隙厚度式自感式传感器的铁芯和衔铁由下列哪些材料制成您的答案： C,D题目分数： 0.5此题得分： 0.5批注：变气隙厚度式自感式传感器的铁芯和衔铁由导磁材料制成，如硅钢片和坡莫合金等作业总得分： 19.0
