《ABS电控单元工艺流程毕业论文》由会员分享，可在线阅读，更多相关《ABS电控单元工艺流程毕业论文（20页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、ABS电控单元工艺流程摘 要ABS是Anti-LockBrakeSystem的英文缩写，即“刹车防抱死系统”。在没有ABS时，如果紧急刹车一般会使轮胎抱死，由于抱死之后轮胎与地面是滑动摩擦，所以刹车的距离会变长。如果前轮锁死，车子失去侧向转向力，容易跑偏；如果后轮锁死，后轮将失去侧向抓地力，容易发生甩尾。特别是在积雪路面，当紧急制动时，更容易发生上述的情况。ABS是通过控制刹车油压的收放，来达到对车轮抱死的控制。其工作过程实际上是抱死松开抱死松开的循环工作过程，使车辆始终处于临界抱死的间隙滚动状态。ABS由轮速传感器、电控单元ECU 和液压模块组成。而电控单元ECU是ABS的核心部件，相当于人
2、的大脑，它具有运输功能，它能接收轮速传感器交流信号计算出轮转速、滑移率和车轮加减速度，把这些信号加以分析，对制动压力发生控制命令，ECU不仅能控制制液模块，而且对其他部件有监控作用，当这些部件出现异常时，由指示灯或蜂鸣器向驾驶员报警，使整个系统停止工作。关键词：运输、接收信号、控制命令、报警 目 录第 一 章 绪 论1第 二 章 铝板和低温共火陶瓷板2（一）LTCC2第 三 章 晶圆切片和贴装4（一）晶圆4（二）切片5（三）SMT8第 四 章 等离子清洗、金线键合和自动光学检验9（一）等离子清洗9（二）金线键合12（三）AOI13（四）程序写入14第 五 章 组装15（一）DSHB 安装15(
3、二) 铝线键合15（三）板子密封15（四）上盖16参考文献17设计小结18致 谢19第 一 章 绪 论防抱死系统（ABS）是汽车电子的重要组成成分，是保护驾驶人员以及乘客生命安全的重要器件。现在，ABS已是新车的标准配备。ABS是Anti-LockBrakeSystem的英文缩写，即“刹车防抱死系统”。在没有ABS时，如果紧急刹车一般会使轮胎抱死，由于抱死之后轮胎与地面是滑动摩擦，所以刹车的距离会变长。如果前轮锁死，车子失去侧向转向力，容易跑偏；如果后轮锁死，后轮将失去侧向抓地力，容易发生甩尾。特别是在积雪路面，当紧急制动时，更容易发生上述的情况。ABS是通过控制刹车油压的收放，来达到对车轮抱
4、死的控制。其工作过程实际上是抱死松开抱死松开的循环工作过程，使车辆始终处于临界抱死的间隙滚动状态。ABS由轮速传感器、电控单元ECU 和液压模块组成。而电控单元ECU是ABS的核心部件，相当于人的大脑，它具有运输功能，它能接收轮速传感器交流信号计算出轮转速、滑移率和车轮加减速度，把这些信号加以分析，对制动压力发生控制命令，ECU不仅能控制制液模块，而且对其他部件有监控作用，当这些部件出现异常时，由指示灯或蜂鸣器向驾驶员报警，使整个系统停止工作随着汽车电子技术的发展以及汽车电子的本土化，其汽车的价格得以较大幅度的下降，越来越多的人拥有了自己的汽车。不断超越、创新、降低成本是市场的必然，为保持在未
5、来的竞争力，各道工序的发展改进是今后努力的方向和重要课题。第 二 章 铝板和低温共火陶瓷板LTCC section “V” slotSlope the fixture and raise it to separate the LTCCLTCC feed1ST cuttingadhesive curing2ND cuttingGP feedadhesive printingLTCC connectionadhesive curingLTCC cutting sectionGP:Ground plate LTCC: Low Temperature Co-fire CeramicVisual ins
6、pection (DSP)（一）LTCC低温共烧陶瓷技术（lowtemperaturecofiredceramicLTCC）是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式，广泛用于基板、封装及微波器件等领域。 LTCC技术是于1982年休斯公司开发的新型材料技术，是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个被动组件（如低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器、耦合器等）埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，内外电极可分别使用银、
7、铜、金等金属，在900下烧结，制成三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块。LTCC具有以下特点：根据配料的不同，LTCC材料的介电常数可以在很大范围内变动，增加了电路设计的灵活性；陶瓷材料具有优良的高频、高Q特性和高速传输特性；使用高电导率的金属材料作为导体材料，有利于提高电路系统的品质因数；制作层数很高的电路基板，减少连接芯片导体的长度与接点数，并可制作线宽小于50m的细线结构电路，实现更多布线层数，能集成的元件种类多，参量范围大，易于实现多功能化和提高组装密度；可适应大电流及耐高温特性要求，具有良好的温
8、度特性；与薄膜多层布线技术具有良好的兼容性，二者结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件；易于实现多层布线与封装一体化结构，进一步减小体积和重量，提高可靠性、耐高温、高湿，可以应用于恶劣环境；采用非连续式的生产工艺，便于基板烧成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本。LTCC材料经历了从简单到复合、从低介电常数到高介电常数和使用频段不断增加等发展过程。目前LTCC技术是无源集成的主流技术。LTCC属于高新科技的前沿产品，广泛应用于微电子工业的各个领域，具有十分广阔的应用市场和发展前景。同时LTCC技术也将面临来自不
9、同技术的竞争与挑战，如何继续保持在无线通讯组件领域的主流地位，还必须继续强化自身技术发展和大力降低制造成本，不断完善或亟待开发相第 三 章 晶圆切片和贴装 DicingWafer mountDicingWafer visual inspectionZ1Z2-Step cut section view Component Attach bladeGP barcode and LK printingdie mount and chip mountVisual inspectionLK curingLK: conductive adhesiveblack and white ink jet prin
10、tPrint masksqueegeenozzleAdhesive curingInspect direction（一）晶圆晶圆是制造IC的基本原料。硅是由沙子所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99。999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐
11、酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨，抛光，切片后，即成为积体电路工厂的基本原料硅晶圆片，这就是“晶圆”。 在过去三十年期间，切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。最新的、对生产率造成最大影响的设备进展包括：使两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到最小的双轴(du
12、al-spindle)切片系统；自动心轴扭力监测和自动冷却剂流量调节能力。重大的切片刀片进步包括一些刀片，它们用于很窄条和/或较高芯片尺寸的晶圆、以铜金属化的晶圆、非常薄的晶圆、和在切片之后要求表面抛光的元件用的晶圆。许多今天要求高的应用都要求设备能力和刀片特性两方面都最优化的工艺，以尽可能最低的成本提供尽可能高的效率。（二）切片2.1切片机制(The Dicing Mechanism)晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的第一步。该工艺将晶圆分成单个的芯片，用于随后的芯片接合(die bonding)、引线接合(wire bonding)和测试工序。在这之前先将整片的金圆贴在蓝膜上，在氮气柜中
13、放置4个小时，这样才能保证蓝膜和金圆的粘力，保证切割。一个转动的研磨盘(刀片)完成切片(dicing)。一根心轴以高速，30,00060,000rpm (83175m/sec的线性速度)转动刀片。该刀片由嵌入电镀镍矩阵黏合剂中的研磨金刚石制成。在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的专用切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。2.2关键工艺参数硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率最大，同时资产拥有的
14、成本最小。可是，挑战是增加的产量经常减少合格率，反之亦然。晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。随着进给速度增加，切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内，影响刀片寿命。在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和先进对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能最薄的刀片。可是，很薄的刀片(20m)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于5076m迹道的刀片推荐厚度应该是2030m。2.3刀片优化(Blade Opti
15、mization) 为了接收今天新的切片挑战，切片系统与刀片之间的协作是必要的。对于高端(high-end)应用特别如此。刀片在工艺优化中起主要的作用。为了接纳所有来自于迅速的技术发展的新的切片要求，今天可以买到各种各样的刀片。这使得为正确的工艺选择正确的刀片成为一个比以前更加复杂的任务。除了尺寸，三个关键参数决定刀片特性：金刚石(磨料)尺寸、金刚石含量和粘结剂的类型。结合物是各种金属和/或其中分布有金刚石磨料的基体。这些元素的结合效果决定刀片的寿命和切削质量(TSC与BSC)。改变任何一个这些参数都将直接影响刀片特性与性能。为一个给定的切片工艺选择最佳的刀片可能要求在刀片寿命与切削质量之间作出平衡。其它因素，诸如进给率和心轴速度，也可能影响刀片选择切。割参数对材料清除率有直接关系，它反过来影响刀片的性能和工艺效率。对于一个工艺为了优化刀片，设计试验方法(DOE, designed experiment)可减少所需试验的次数，并提供刀片特性与工艺参数的结合效果。另外，设计试验方法(DOE)的统计分析使得可以对有用
