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MOS 热阻测试原理热阻是依据半导体器件 PN 结在指定电流下两端的电压随温度变化而变化为 测试原理，来测试功率半导体器件的热稳定性或封装等的散热特性，通过给被测 功率器件施加指定功率、指定时间，PN结两端的电压变化（VBE / VF / VGK / VT / VSD）作为被测器件的散热判据。并与指定规范值比较，根据测 试结果进行筛选，将散热性差的产品筛选掉，避免散热性差的产品在应用过程中， 因温升过高导致失效。MOS热阻测试是通过测试MOS体二极管两端电压变化厶VSD来实现的，先 后分别测试MOS管MOS体二极管正向压降Vsdl （加热前）和Vsd2 （加热后）。步骤：1、MOS加热前，先测量让MOS体二极管以Is电流（Is=10mA）流动时的Vsdl 值，原理图见下图-左；2、给MOS管Vgs加压，让MOS以ID电流开通PT时间，加热MOS管，原 理图见下图-中；3、再测量让MOS体二极管以Is电流（Is=10mA）流动时的Vsd2值，原理图 见下图-右；4、DVDS=Vsd1-Vsd2，DVDS 正常合格范围为 4585mV；ONONIs-5VIsIsIdIs Srcle Src-VDS1-POWER-VDS2-VDSF VDS2.VDSI图一 原理图
