半导体硅片市场规模不断提升对晶体生长设备需求不断扩大

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半导体硅片市场规模不断提升,对晶体生长设备需求不断扩大 一、 半导体硅片市场规模不断提升,对晶体生长设备需求不断扩大 单晶硅晶体生长设备下游客户为硅片制造厂商,设备需求量与半导体硅片市场规模息息相关。由于通信、消费电子、5G、人工智能、大数据等新兴技术驱动科技革新,下游需求增长带来大量的硅片需求,使得硅片市场规模及出货量整体呈增长趋势。全球半导体硅片市场规模自2016年进入新一轮增长周期,2021年,全球半导体硅片市场规模约为126亿美元,最近五年复合增长率为11.68%,增长较为迅速,促进对晶体生长设备需求不断扩大。 二、 光刻胶:半导体工艺核心材料,道阻且长 光刻胶是光刻工艺最重要的耗材。光刻胶是一种通过特定光源照射下发生局部溶解度变化的光敏材料,主要作用于光刻环节,承担着将掩模上的图案转化到晶圆的重要功能。进行光刻时,硅片上的金属层涂抹光刻胶,掩膜上印有预先设计好的电路图案,光线透过掩膜照射光刻胶。如果曝光在紫外线下的光刻胶变为溶剂,清除后留下掩膜上的图案,此为正性胶,反之为负性胶。 (一)先进制程推动产品迭代,半导体光刻胶壁垒最高 光刻胶可以根据曝光光源波长、显示效果和化学结构三种方式进行分类。根据曝光波长的不同,目前市场上应用较多的光刻胶可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV5种类型。光刻胶波长越短,加工分辨率越高,不同的集成电路工艺在光刻中对应使用不同波长的光源。随着芯片制程的不断进步,每一代新的光刻工艺都需要新一代的光刻胶技术与之相匹配。g/i线光刻胶诞生于20世纪80年代,当时主流制程工艺在0.8-1.2μm,适用于波长436nm的光刻光源。到了90年代,制程进步到0.35-0.5μm,对应波长更短的365nm光源。当制程发展到0.35μm以下时,g/i线光刻胶已经无法制程工艺的需求,于是出现了适用于248纳米波长光源的KrF光刻胶,和193纳米波长光源的ArF光刻胶,两者均是深紫外光刻胶。EUV(极紫外光)是目前最先进的光刻胶技术,适用波长为13.5nm的紫外光,可用于10nm以下的先进制程,目前仅有ASML集团掌握EUV光刻胶所对应的光刻机技术。 根据显示效果的不同,光刻胶可分为正性和负性。如果光刻胶是正性的,在特定光线照射下光刻胶会发生反应并变成溶剂,曝光部分的光刻胶可以被清除。如果为负性光刻胶,曝光的光刻胶反应不再是溶剂,未曝光的光刻胶被清除。 光分解型光刻胶采用含有重氮醌类化合物材料作为感光剂,光线照射后发生光分解反应,由油性变为水性溶剂,可制造正性光刻胶。光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯作为光敏材料,光线照射后形成一种网状结构的不溶物,可起到抗蚀作用,适用于制成负性光刻胶。化学放大型光刻胶使用光致酸剂作为光引发剂,光线照射后,曝光区域的光致酸剂会产生一种酸,并在后热烘培工序期间作为催化剂移除树脂的保护基团,使树脂变得可溶。化学放大光刻胶对深紫外光源具有良好的光敏性,具有高对比度、分辨率等优点。 (二)光刻胶市场稳定增长,ArFi占比最高 半导体光刻胶市场增速稳定。伴随芯片制程工艺的升级,光刻胶市场需求量也随之增加。根据TECHECT数据,2021年全球光刻胶市场规模约为19亿美元,同比增长11%,预计2022年将达到21.34亿美元,同比增长12.32%。具体来看,在7nm制程的EUV技术成熟之前,ArFi光刻胶仍是市场主流,占比高达36.8%,KrF和g/i光刻胶分别占比为35.8%和14.7%。 (三)光刻胶供应紧张,正当时 目前国内从事半导体光刻胶研发和生产的企业包括晶瑞股份、南大光电、上海新阳、北京科华等。主要以i/g线光刻胶生产为主,应用集成电路制程350nm以上。KrF光刻胶方面,北京科华、徐州博康已实现量产。南大光电ArF光刻胶产业化进程相对较快,公司先后承担国家02专项高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目和ArF光刻胶产品的开发和产业化项目,也是第一家ArF光刻胶通过国内客户产品验证的公司,其他国内企业尚处于研发和验证阶段。 三、 竞争格局高度集中,国内厂商加速追赶 CMP抛光液市场,美国Carbot是国际龙头,安集科技为国内龙头。目前全球抛光液市场主要由美日厂商垄断,美国Cabot、美国Versum、日本日立、日本Fujimi和美国陶氏杜邦五家美日厂商占据全球抛光液近八成的市场份额,安集科技仅占约3%。国内市场中,美国Cabot占约64%,安集科技市占率为22%。 安集科技为国产CMP抛光液龙头,国内市场占有率超两成。公司2015-2016年先后承担两个02专项项目,专注于持续优化14nm技术节点以上产品的稳定性,测试优化14nm及以下产品的技术节点,开发用于128层以上3DD和19/17nm以下技术节点DRAM用铜及铜阻挡层抛光液。目前公司CMP抛光液13-14nm技术节点上实现规模化量产,下游客户包括中芯国际、长江存储、台积电、华虹半导体等主流晶圆厂商。 全球抛光垫市场一家独大,稳步前进。当前全球抛光垫市场主要由美国的陶氏杜邦垄断,市占率高达79%,其他公司如美国Cabot、日本Fujimi、日本Hitachi等市占率在5%以内。内资企业中,鼎龙股份、江丰电子和万华化学具备相应的生产力。其中,鼎龙股份为国内抛光垫龙头企业,生产的抛光垫意在对标美国陶氏杜邦集团。随着国内晶圆厂扩张,需求提升,为确保供应链的稳定,内资企业迎来发展潮。 四、 硅片:供需持续紧张,加速 硅片是半导体上游产业链中最重要的基底材料之一。硅片是以高纯结晶硅为材料所制成的圆片,一般可作为集成电路和半导体器件的载体。与其他材料相比,结晶硅的分子结构较为稳定,导电性极低。此外,硅大量存在于沙子、岩石、矿物中,更容易获取。因此,硅具有稳定性高、易获取、产量大等特点,广泛应用于IC和光伏领域。 (一)半导体硅片纯度极高,大尺寸为大势所趋 硅片可以根据晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和掺杂程度的不同等方式进行分类。根据晶胞排列方式的不同,硅片可分为单晶硅和多晶硅。硅片是硅单质材料的片状结构,有单晶和多晶之分。单晶是具有固定晶向的结晶体材料,一般用作集成电路的衬底材料和制作太阳能电池片。多晶是没有固定晶向的晶体材料,一般用于光伏发电,或者用于拉制单晶硅的原材料。单晶硅用作半导体材料有极高的纯度要求,IC级别的纯度要求达9N以上(99.9999999%),区熔单晶硅片纯度要求在11N(99.999999999%)以上。 根据尺寸大小的不同,硅片可分为50mm(2英寸)、75mm(3英寸)、100mm(4英寸)、150mm(6英寸)、200mm(8英寸)及300mm(12英寸)。英寸为硅片的直径,目前8英寸和12英寸硅片为市场最主流的产品。8英寸硅片主要应用在90nm-0.25μm制程中,多用于传感、安防领域和电动汽车的功率器件、模拟IC、指纹识别和显示驱动等。12英寸硅片主要应用在90nm以下的制程中,主要用于逻辑芯片、储存器和自动驾驶领域。 大尺寸为硅片主流趋势。硅片越大,单个产出的芯片数量越多,制造成本越低,因此硅片厂商不断向大尺寸硅片进发。1980年4英寸占主流,1990年发展为6英寸,2000年开始8英寸被广泛应用。根据SEMI数据,2008年以前,全球大尺寸硅片以8英寸为主,2008年后,12英寸硅片市场份额逐步提升,赶超8英寸硅片。2020年,12英寸硅片市场份额已提升至68.1%,为目前半导体硅片市场最主流的产品。后续18英寸硅片将成为市场下一阶段的目标,但设备研发难度大,生产成本较高,且下游需求量不足,18英寸硅片尚未成熟。 根据加工工序的不同,硅片可分为抛光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中抛光片应用范围最为广泛,是抛光环节的终产物。抛光片是从单晶硅柱上直接切出厚度约1mm的原硅片,切出后对其进行抛光镜面加工,去除部分损伤层后得到的表面光洁平整的硅片。抛光片可单独使用于电动汽车功率器件和储存芯片中,也可用作其他硅片的衬底,成为其他硅片加工的基础。外延片是一种将抛光片在外延炉中加热后,通过气相沉淀的方式使其表面外延生长符合特定要求的多晶硅的硅片。该技术可有效减少硅片中的单晶缺陷,使硅片具有更低的缺陷密度和氧含量,从而提升终端产品的可靠性,常用于制造CMOS芯片。 根据掺杂程度的不同,半导体硅片可分为轻掺和重掺。重掺硅片的元素掺杂浓度高,电阻率低,一般应用于功率器件。轻掺硅片掺杂浓度低,技术难度和产品质量要求更高,一般用于集成电路领域。由于集成电路在全球半导体市场中占比超过80%,目前全球对轻掺硅片需求更大。 (二)受益晶圆厂积极扩产,硅片市场快速增长 含硅量提升驱动行业快速增长。伴随5G、物联网、新能源汽车、人工智能等新兴领域的高速成长,汽车电子行业成为半导体硅片领域新的需求增长点。据ICInsights数据,2021年全球汽车行业的芯片出货量同比增长了30%,达524亿颗。但全球汽车缺芯情况在2020年短暂缓解后,于2022年再度加剧,带动下游硅片市场需求量上升。据SEMI数据显示,2021年全球半导体硅片市场规模为126亿美元,同比增长12.5%。 (三)日韩厂商高度垄断,国内厂商加速突破 前五大制造商格局稳定,外资垄断现象持续。据SEMI数据,2020年全球前五大硅片制造商分别为日本信越化学、环球晶圆、德国世创、SUMCO和韩国SKSiltron,共占据86.6%的市场份额。国内市场在大尺寸硅片上对外资企业依然具有依赖性,主要进口地区为日本、中国台湾和韩国。 国产厂商加大研发投入,加速实现。由于硅片供应紧缺,海外大厂会优先保障海外晶圆厂硅片供给,给国内硅片厂带来了加速替代的机遇。国内供应商产品技术水平快速提升,国内晶圆厂对国产半导体材料的验证及导入正在加快,如沪硅产业、立昂微、中环股份等企业已顺利通过验证。中国大陆硅片整体产能加大投入,加速追赶国际龙头厂商。 五、 半导体材料市场规模快速增长 随着下游电子设备硅含量增长,半导体需求快速增长。在半导体工艺升级+积极扩产催化下,半导体材料市场快速增长。据SEMI报告数据,2021年全球半导体材料市场收入达到643亿美元,超过了此前2020年555亿美元的市场规模最高点,同比增长15.9%。晶圆制造材料和封装材料收入总额分别为404亿美元和239亿美元,同比增长15.5%和16.5%。此外,受益于产业链转移趋势,2021年国内半导体材料销售额高达119.3亿美元,同比增长22%,增速远高于其他国家和地区。 六、 半导体材料景气持续,市场空间广阔 半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。无论从科技或经济发展的角度来看,半导体都至关重要。2010年以来,全球半导体行业从PC时代进入智能手机时代,成为全球创新最为活跃的领域,广泛应用于计算机、消费类电子、网络通信和汽车电子等核心领域。半导体产业主要由集成电路、光电子、分立器件和传感器组成,据WSTS世界半导体贸易统计组织预测,到2022年全球集成电路占比84.22%,光电子器件、分立器件、传感器占比分别为7.41%、5.10%和3.26%。 半导体工艺复杂,技术壁垒极高。芯片生产大体可分为硅片制造、芯片制造和封装测试三个流程。其中硅片制造包括提纯、拉单晶、磨外圆、切片、倒角、磨削、CMP、外延生长等工艺,芯片制造包括清洗、沉积、氧化、光刻、刻蚀、掺杂、CMP、金属化等工艺,封装测试包括减薄、切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋成型、终测等工艺。整体而言,硅片制造和芯片制造两个环节技术壁垒极高。 目前多晶硅厂商多采用三氯氢硅改良西门子法进行多晶硅生产。具体工艺是将氯化氢和工业硅粉在沸腾炉内合成三氯氢硅,通过精馏进一步提纯高纯三氯氢硅,后在1100℃左右用高纯氢还原高纯三氯氢硅,生成多晶硅沉积在硅芯上,进而得到电子级多晶硅。 目前8寸和12寸硅片大多通过直拉法制备,部分6寸和8寸硅片则通过区熔法制得。直拉法是将高纯多晶硅放入石英坩埚内,通过外围的石墨加热器加热至1400℃,随后坩埚带着多晶硅融化物
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