《触控装置结构的制作方法》由会员分享，可在线阅读，更多相关《触控装置结构的制作方法（3页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、触控装置结构的制作方法专利名称：触控装置结构的制作方法技术领域：触控装置结构技术领域0001本实用新型涉及触控技术领域，特别是有关于一种触控装置结构。背景技术：0002随着资讯科技的发展，触控装置成为人机之间资讯传递的方式之一。触控装置分 为可视区及边框区，在可视区中制作电极，在边框区分布电极引线，电极引线通过软性电路 板将电极的讯号传递到讯号处理器中，完成触控感应的功能。电极通常由复数X方向电极 及复数Y方向电极交错形成。例如，X方向电极及Y方向电极设置在同一透明基底的同侧， X方向电极为连续的，Y方向电极为不连续的。在X方向电极及Y方向电极交错位置设置绝 缘层及导电架桥，导电架桥连接相邻两
2、个Y方向电极，绝缘层设置于导电架桥与X方向电极 之间，藉此，X方向电极及Y方向电极相互绝缘并确保在各自方向导通。0003这种具有导电架桥、绝缘层及电极等数层结构的触控装置的制作方法，通常是通 过多道溅镀及光刻制程在基底上依序制作出X方向及Y方向电极、覆盖X方向及Y方向电 极的绝缘层以及连接Y方向电极的导电架桥。0004然而，上述触控装置的制作方法中，形成次一层结构时会对前一步骤已形成之层 结构产生影响。例如，上述制作方法中经过多次真空溅镀、曝光、显影与蚀刻制程后，电极可 能会出现裂纹或脱离基底等问题。0005再者，上述制作方法采用真空溅镀及光刻制程的多道程序，所需设备昂贵，制作成 本较高，且化
3、学药剂污染性大。0006因此，有必要寻求一种新的触控装置结构之制造方法，其能够解决或改善上述的 问题。实用新型内容0007本实用新型提供一种触控装置结构，通过转印制程制作导电架桥、绝缘层及感测 电极，以降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而 提升良率。0008本实用新型提供一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；复数第一 感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于可视区的基底上，其中第二感测电极 为不连续，且相邻的第二感测电极之间具有一架桥区；一绝缘层，设置于第一感测电极及第 二感测电极上；一转印基膜；以及复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上，
4、其中导电 架桥通过一转印制程设置于绝缘层上，且对应于架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第 二感测电极，且导电架桥与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘。0009本实用新型提供另一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；复数第 一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于可视区的基底上，其中第二感测电 极为不连续，且相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；一转印基膜；复数导电架桥，相 互间隔地设置于转印基膜上；以及一绝缘层，设置于导电架桥上，其中导电架桥及绝缘层通过一转印制程设置于第一感测电极及第二感测电极上，且其中导电架对应于架桥区，每 一导电架桥电性连接相邻的第二感测电极，且导电架桥与第
5、一感测电极通过绝缘层相互绝缘。0010本实用新型提供另一种触控装置结构，包括一基底，基底区分有一可视区；一转印 基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于转印基膜上；一绝缘层，设置于导电架桥上；以及 复数第一感测电极及复数第二感测电极，交错排列在绝缘层上，其中第二感测电极为不连 续，且相邻第二感测电极之间界定出一架桥区，每一导电架桥电性连接相邻的第二感测电 极，且与第一感测电极通过绝缘层相互绝缘，且其中导电架桥、绝缘层、第一感测电极及第 二感测电极通过一转印制程设置于可视区的基底上。0011进一步的，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述触控装置结构更 包括复数引线，设置于所述边框区的所述基
6、底上，以分别电性连接所述第一感测电极及所 述第二感测电极。0012进一步的，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述触控装置结构更 包括复数引线，设置于所述转印基膜上，且对应于所述边框区，以分别电性连接所述第一感 测电极及所述第二感测电极。0013进一步的，所述导电架桥的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶 胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶 胶。0014进一步的，所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡 氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米 碳管溶胶或导电高分子溶
7、胶。0015进一步的，所述绝缘层包括彼此隔开的复数绝缘块，对应于所述架桥区。0016进一步的，所述绝缘层具有复数对孔洞对应于所述架桥区，使每一导电架桥经由 每一对孔洞电性连接所述相邻的第二感测电极。0017根据本实用新型实施例，由于通过转印制作触控装置的导电架桥、绝缘层及感测 电极，可降低或排除形成次一层结构时对前一步骤已形成之层结构产生的不良影响，进而 提升良率。另外，以转印制程取代溅镀及光刻制程，可简化制程，进而提高生产效率。另外 由于无需昂贵的制程(例如，溅镀及光刻制程)设备，因此可提高价格竞争优势以及降低化 学药剂的污染。0018图1A至1E-2为本实用新型一实施例之触控装置结构的制造
8、方法的剖面示意图；0019图2A至2E为本实用新型另一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图；0020图3A至3E为本实用新型另一实施例之触控装置结构的制造方法的剖面示意图；0021图1D-1、1D_2、2D及3D为本实用新型不同实施例的触控装置结构剖面示意图；以 及0022图4为图1D-1所示触控装置结构的爆炸图。具体实施方式0023以下说明本实用新型实施例触控装置结构及其制造方法。然而，可轻易了解本实用新型所提供的实施例仅用于说明以特定方法制作及使用本实用新型，并非用以局限本实用新型的范围。再者，在本实用新型实施例之图式及说明内容中使用相同的标号来表示相同或相似的部件。0024请参照图
9、1D-1及图4，其为根据本实用新型一实施例之触控装置结构剖面示意图及爆炸图。在本实施例中，触控装置结构包括一基底100、复数导电架桥210、一绝缘层 224、复数第一感测电极230、复数第二感测电极240及一转印基膜2 00。基底100区分有一可视区110。第一感测电极230及第二感测电极240相互绝缘且交错排列于可视区110的基底100上，其中第一感测电极230沿第一轴向(例如X方向)排列，且为连续结构。第二感测电极240沿第二轴向(例如Y方向)相互间隔排列，且为不连续，且相邻的第二感测电极240之间界定出架桥区120。其中第一轴向与第二轴向相互交叉，例如第一轴向与第二轴向相互垂直，但不以此
10、为限。架桥区120位于可视区110内。绝缘层224设置于第一感测电极230及第二感测电极240上。导电架桥210相互间隔地设置于转印基膜200上，且对应于架桥区120，每一导电架桥210电性连接相邻的第二感测电极240，且与第一感测电极 230通过绝缘层224相互绝缘。0025第一感测电极230及第二感测电极240可通过转印制程形成于可视区110的基底 100上。在本实施例中，可先通过印刷制程，例如凹版印刷制程，在一转印基膜(未绘示) 上形成第一感测电极230及第二感测电极240。接着，通过转印制程将转印基膜上的第一感测电极230及第二感测电极240转印至可视区110的基底100上。在其他实施
11、例中，也可通过印刷制程将第一感测电极230及第二感测电极240形成于基底100上。相较于传统的溅镀及光刻制程，由于进行转印制程时不需要高温处理，因此第一感测电极230及第二感测电极240的材料不受限于耐高温的导电材料。第一感测电极230及第二感测电极240 的材料可为光学透明导电油墨，透明导电油墨包括纳米银溶胶、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)溶胶、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)溶胶、铟锡氟氧化物(Indium Tin Fluorine Oxide, ITF0)溶胶、招锋氧化物(Aluminum Zinc Oxide, 0)溶胶、氟锋氧化物
12、(Fluorine Zinc Oxide, FZ0)溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子(例如，聚乙烯二氧噻吩 (poly (3,4-ethylenedioxythiophene), PED0T)溶胶,其中透明导电油墨的导电率可高于 1/0在其他实施例中，也可通过溅镀及光刻制程取代上述转印制程，其中第一感测电极 230及第二感测电极240的材质包括0、0、ITF0, AZO或FZO等耐高温材料。0026在本实施例中，绝缘层224包括彼此隔开的复数绝缘块222。绝缘块222对应于架桥区120，且设置于第一感测电极230上，以使连接相邻第二感测电极240的导电架桥210 与第一感测电极230电性绝缘。绝
13、缘层224可通过转印或沉积制程形成。权利要求1.一种触控装置结构，其特征在于，包括基底，所述基底区分有一可视区；复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于所述可视区的所述基底上，其中所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；绝缘层，设置于所述第一感测电极及所述第二感测电极上；转印基膜；以及复数导电架桥，相互间隔地设置于所述转印基膜上，其中所述导电架桥通过转印制程设置于所述绝缘层上，且对应于所述架桥区，每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘。2.一种触控装置结构，其特征在于，包括基底，所述基底区分
14、有一可视区；复数第一感测电极及复数第二感测电极相互绝缘且交错排列于所述可视区的所述基底上，其中所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区；转印基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于所述转印基膜上；以及绝缘层，设置于所述导电架桥上，其中所述导电架桥及所述绝缘层通过转印制程设置于所述第一感测电极及所述第二感测电极上，且其中所述导电架对应于所述架桥区，每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且所述导电架桥与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘。3.种触控装置结构，其特征在于，包括基底，所述基底区分有一可视区；转印基膜；复数导电架桥，相互间隔地设置于所述转印基膜上；绝缘层
15、，设置于所述导电架桥上；以及复数第一感测电极及复数第二感测电极，交错排列在所述绝缘层上，其中所述第二感测电极为不连续，且所述相邻的第二感测电极之间界定出一架桥区，每一导电架桥电性连接所述相邻的第二感测电极，且与所述第一感测电极通过所述绝缘层相互绝缘，且其中所述导电架桥、所述绝缘层、所述第一感测电极及所述第二感测电极通过一转印制程设置于所述可视区的所述基底上。4.根据权利要求1至3项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述触控装置结构更包括复数引线，设置于所述边框区的所述基底上，以分别电性连接所述第一感测电极及所述第二感测电极。5.根据权利要求1至
16、3项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述基底更区分有围绕所述可视区的边框区，且所述触控装置结构更包括复数引线，设置于所述转印基膜上，且对应于所述边框区，以分别电性连接所述第一感测电极及所述第二感测电极。6.根据权利要求1至3项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述导电架桥的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。7.根据权利要求1至3项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述第一感测电极及所述第二感测电极的材质包括纳米银溶胶、铟锡氧化物溶胶、铟锌氧化物溶胶、铟锡氟氧化物溶胶、铝锌氧化物溶胶、氟锌氧化物溶胶、纳米碳管溶胶或导电高分子溶胶。8.根据权利要求1至3项中任意一项所述的触控装置结构，其特征在于，所述绝缘层包括彼此隔开的复数绝缘块，对应于所述架桥区。9.根据权利要求1至3项中任
