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1、泓域/薄膜设备公司战略评价与控制薄膜设备公司战略评价与控制目录一、 项目基本情况2二、 产业环境分析4三、 半导体薄膜沉积设备的发展情况5四、 必要性分析11五、 公司简介12六、 采取修正行动13七、 审查战略基础15八、 权变计划17九、 组织机构管理19劳动定员一览表20十、 SWOT分析说明21十一、 法人治理结构32一、 项目基本情况（一）项目投资人xxx集团有限公司（二）建设地点本期项目选址位于xxx（待定）。（三）项目选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约77.00亩。（四）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（五）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流
2、动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资29120.79万元，其中：建设投资21942.60万元，占项目总投资的75.35%；建设期利息307.77万元，占项目总投资的1.06%；流动资金6870.42万元，占项目总投资的23.59%。（六）资金筹措项目总投资29120.79万元，根据资金筹措方案，xxx集团有限公司计划自筹资金（资本金）16558.61万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额12562.18万元。（七）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：62100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：47001.81万元。3、项目达产年净利润（NP）：11067.92万元
3、。4、财务内部收益率（FIRR）：31.15%。5、全部投资回收期（Pt）：4.73年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：19738.35万元（产值）。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积51333.00约77.00亩1.1总建筑面积76538.95容积率1.491.2基底面积32853.12建筑系数64.00%1.3投资强度万元/亩262.212总投资万元29120.792.1建设投资万元21942.602.1.1工程费用万元18048.462.1.2工程建设其他费用万元3229.372.1.3预备费万元664.772.2建设期利息万元30
4、7.772.3流动资金万元6870.423资金筹措万元29120.793.1自筹资金万元16558.613.2银行贷款万元12562.184营业收入万元62100.00正常运营年份5总成本费用万元47001.816利润总额万元14757.237净利润万元11067.928所得税万元3689.319增值税万元2841.2710税金及附加万元340.9611纳税总额万元6871.5412工业增加值万元22437.5613盈亏平衡点万元19738.35产值14回收期年4.73含建设期12个月15财务内部收益率31.15%所得税后16财务净现值万元19260.00所得税后二、 产业环境分析长春，吉林省
5、省会、副省级市、长春城市群核心城市，国务院批复确定的中国东北地区中心城市之一和重要的工业基地。截至2020年，全市下辖7个区、1个县，代管3个县级市，总面积24651.5平方千米，户籍人口854.4万人，城镇人口445.1万人，城镇化率59%。长春地处中国东北地区，位于东北的地理中心，东北亚经济圈中心城市，分别与松原市、四平市、吉林市和哈尔滨市接壤，是著名的中国老工业基地，是新中国最早的汽车工业基地和电影制作基地，有“东方底特律”和“东方好莱坞”之称，同时还是新中国轨道客车、光电技术、应用化学、生物制品等产业发展的摇篮，诞生了著名的中国第一汽车集团有限公司、中车长春轨道客车股份有限公司、长春电
6、影制片厂、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院长春应用化学研究所、长春生物制品研究所。长春是国家历史文化名城，曾是伪满洲国首都，具有众多历史古迹、工业遗产和文化遗存，是近代东北亚政治军事冲突完整历程的集中见证地；也是中国四大园林城市之一，享有“北国春城”的美誉，绿化率居于亚洲大城市前列；还是“中国制造2025”试点城市、“首批全国城市设计试点城市”，位列2018自然指数科研城市全球50强、中国10强。2019年8月，中国海关总署主办的中国海关杂志公布了2018年“中国外贸百强城市”排名，排名第30。三、 半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积
7、设备市场规模持续增长根据MaximizeMarketResearch数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从2017年的125亿美元扩大至2020年的172亿美元，年复合增长率为11.2%。预计至2025年市场规模可达340亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由AMAT、ASM、Lam、TEL等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由2016年的
8、5%提升至2020年的8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD设备占比56%，PVD设备市占率23%，其次是ALD及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD技术在高k材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅
9、层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入65nm及之前，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程28nm之后，传统的SiO2栅介质层物理厚度缩小至1纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高k
10、材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高k栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高k栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在45nm技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD典型应用电容和电极材料集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3D
11、NAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD技术最早应用于DRAM存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着3DNAND和DRAM相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND和DRAM电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的ALD技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和DRAM相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（
12、FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体
13、薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快
14、速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在2020年之前，90-32nm工艺设备国产化率达到50%，实现90nm光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20-14nm工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资1,387亿元，二期募资超过2,000亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄
15、膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的ALD设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大
