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1、泓域咨询/廊坊记录媒体靶材项目可行性研究报告目录第一章 市场预测8一、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展8第二章 项目背景、必要性12一、 HDD转向数据中心存储获新生，磁记录靶材目前仍保持高速增长12二、 加快推动北三县与通州区一体化联动发展14三、 构建现代产业体系，促进经济高质量发展17四、 项目实施的必要性17第三章 项目绪论18一、 项目概述18二、 项目提出的理由20三、 项目总投资及资金构成20四、 资金筹措方案20五、 项目预期经济效益规划目标21六、 项目建设进度规划21七、 环境影响21八、 报告编制依据和原则22九、 研究范围23十、 研
2、究结论24十一、 主要经济指标一览表24主要经济指标一览表24第四章 建筑技术分析26一、 项目工程设计总体要求26二、 建设方案27三、 建筑工程建设指标28建筑工程投资一览表28第五章 产品规划与建设内容30一、 建设规模及主要建设内容30二、 产品规划方案及生产纲领30产品规划方案一览表30第六章 运营管理模式32一、 公司经营宗旨32二、 公司的目标、主要职责32三、 各部门职责及权限33四、 财务会计制度36第七章 SWOT分析42一、 优势分析（S）42二、 劣势分析（W）43三、 机会分析（O）44四、 威胁分析（T）45第八章 发展规划49一、 公司发展规划49二、 保障措施5
3、3第九章 环保方案分析56一、 编制依据56二、 环境影响合理性分析56三、 建设期大气环境影响分析57四、 建设期水环境影响分析58五、 建设期固体废弃物环境影响分析58六、 建设期声环境影响分析59七、 建设期生态环境影响分析60八、 清洁生产60九、 环境管理分析61十、 环境影响结论62十一、 环境影响建议63第十章 原辅材料分析64一、 项目建设期原辅材料供应情况64二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理64第十一章 节能可行性分析66一、 项目节能概述66二、 能源消费种类和数量分析67能耗分析一览表67三、 项目节能措施68四、 节能综合评价68第十二章 组织机构及人力资源70一
4、、 人力资源配置70劳动定员一览表70二、 员工技能培训70第十三章 进度规划方案73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十四章 项目投资分析75一、 编制说明75二、 建设投资75建筑工程投资一览表76主要设备购置一览表77建设投资估算表78三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表80四、 流动资金81流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十五章 经济收益分析86一、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表87固
5、定资产折旧费估算表88无形资产和其他资产摊销估算表89利润及利润分配表91二、 项目盈利能力分析91项目投资现金流量表93三、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95第十六章 项目风险评估97一、 项目风险分析97二、 项目风险对策99第十七章 项目总结102第十八章 附表附件104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表107项目投资现金流量表108借款还本付息计划表109建设投资估算表110建设投资估算表110建设期利息估算表111固定资产投资估算表112流动资金估算表113总投资及构成一
6、览表114项目投资计划与资金筹措一览表115报告说明产业转移加速靶材国产替代，技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，纯度要求通常达5N5甚至6N以上。随着半导体产业加速向国内转移，预计25年我国半导体靶材市场规模将达到约6.7亿美元，21-25年我国靶材需求增速或达9.2%。同时随着下游芯片技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展，其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面，日美厂商约占90%份额，但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破，同时产能也在不断扩张，预计未来2-3年我国半导体靶材将新增10万块以上产能。根据谨慎财务估算，项目总投
7、资10001.96万元，其中：建设投资7438.42万元，占项目总投资的74.37%；建设期利息148.64万元，占项目总投资的1.49%；流动资金2414.90万元，占项目总投资的24.14%。项目正常运营每年营业收入20600.00万元，综合总成本费用15564.87万元，净利润3693.38万元，财务内部收益率28.56%，财务净现值6843.61万元，全部投资回收期5.36年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险
8、能力，因而项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场预测一、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从1
9、30nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1：大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸
10、方向发展。2、趋势2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用，常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主
11、流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3：高纯化高纯
12、度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。在下游应用领域中，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关，为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需要的溅射靶材纯度不断攀升，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提
13、纯方面已取得了重大突破。全球范围内，美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒，依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位，议价能力强，国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发，近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破，已开始逐步实现国产替代。第二章 项目背景、必要性一、 HDD转向数据中心存储获新生，磁记录靶材目前仍保持高速增长数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储，目前全球数据存储依然以磁记录为主，SSD短期仍然难以替代。数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储，近年来半导体存储发展迅速，预计光磁记录媒体市场会受到一定侵蚀。但从数据存储量来看，目前
14、磁记录仍然占据主导记录，SSD短期仍然难以替代。传统的磁存储设备机械硬盘（HDD）由于其储存容量大、储存时间长且相对于SSD更加安全稳定的优点使得其在冷数据存储（占全部数据的80%）中方面优势较大，目前数据中心存储也依然以机械硬盘为主.伴随着全球数据量的快速增长，机械硬盘出货容量也保持快速增长。2020年全球机械硬盘出货容量已超1ZB。光存储技术是用激光照射介质，通过激光与介质的相互作用使介质发生物理、化学变化，将信息存储下来的技术，主要包括CD、VCD、DVD、BD蓝光等技术。整体上来看CD等技术占存储比例较低。磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）
15、/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。由于光记录媒体出货容量占比较小，因此本文仅考虑磁记录情况，按记录媒体的机械形状和驱动方式的不同，磁记录可分为磁鼓、磁带（录音机、录像机、数据记录）、磁盘（硬盘、软盘）、磁卡等，其中，高密度硬盘领域的磁性薄膜几乎都是以溅射法制作的，这些磁记录薄膜材料有很高的记录密度。因此也要求溅射靶材具有高纯度、低气体含量、细晶微结构、均匀的金相、高磁穿透和使用率、优异的电性与机械特性等特点。磁记录靶材常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国磁记录靶材市场也依然以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能也非常有限。全球机械键盘产量主要集中在东芝、西部数据、希捷三家企业，中国机械键盘产量较小，因此我国磁记录靶材市场也依然以海外供应为主。受益于数据存储需求快速增长，全球磁记录媒体
