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1、泓域咨询/天津记录媒体靶材项目建议书天津记录媒体靶材项目建议书xxx（集团）有限公司目录第一章 行业、市场分析9一、 趋势难逆，传统光磁记录媒体正转向半导体存储9二、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展10第二章 项目绪论14一、 项目名称及项目单位14二、 项目建设地点14三、 可行性研究范围14四、 编制依据和技术原则14五、 建设背景、规模16六、 项目建设进度16七、 环境影响16八、 建设投资估算17九、 项目主要技术经济指标17主要经济指标一览表18十、 主要结论及建议19第三章 项目背景分析20一、 国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲20第四章
2、建筑工程技术方案23一、 项目工程设计总体要求23二、 建设方案23三、 建筑工程建设指标26建筑工程投资一览表27第五章 产品方案分析29一、 建设规模及主要建设内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表29第六章 选址分析32一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 提升企业技术创新能力35四、 着力培育战略科技力量35五、 项目选址综合评价36第七章 发展规划37一、 公司发展规划37二、 保障措施43第八章 法人治理45一、 股东权利及义务45二、 董事49三、 高级管理人员55四、 监事57第九章 组织机构及人力资源配置59一、 人力资源配置59劳动定员一览
3、表59二、 员工技能培训59第十章 节能方案说明62一、 项目节能概述62二、 能源消费种类和数量分析63能耗分析一览表63三、 项目节能措施64四、 节能综合评价65第十一章 劳动安全生产67一、 编制依据67二、 防范措施70三、 预期效果评价75第十二章 原辅材料成品管理76一、 项目建设期原辅材料供应情况76二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理76第十三章 环境保护分析78一、 编制依据78二、 环境影响合理性分析79三、 建设期大气环境影响分析81四、 建设期水环境影响分析84五、 建设期固体废弃物环境影响分析84六、 建设期声环境影响分析84七、 建设期生态环境影响分析85八、
4、清洁生产86九、 环境管理分析87十、 环境影响结论88十一、 环境影响建议89第十四章 投资方案90一、 投资估算的依据和说明90二、 建设投资估算91建设投资估算表93三、 建设期利息93建设期利息估算表93四、 流动资金95流动资金估算表95五、 总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表98第十五章 项目经济效益99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析106五、
5、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108六、 经济评价结论108第十六章 招标、投标110一、 项目招标依据110二、 项目招标范围110三、 招标要求111四、 招标组织方式111五、 招标信息发布113第十七章 项目综合评价说明114第十八章 补充表格116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123利润及利润分配表124项目投资现金流量表125借款还本付息计划表127报告说明3DNAND领域主要使
6、用的靶材为钨，其次是钛，再其次是铜和钽的用量，钨靶的采购额占据3DNAND工厂的70%以上份额，钽靶Tosol的市场份额还是有很大的竞争力，Nikko在钽靶方面前期做的不如其他家，但是Nikko收购了钽靶的原材料供应商，预计后期Nikko竞争力相对较强。此外我国的长江存储32层堆栈3DNAND闪存量产在即，国产3D-NAND加速崛起，钨靶在国内市场需求较大，也是目前我国亟需突破的一款靶材。江丰电子与章源钨业也在高纯钨及靶材方面取得了较大进步。根据谨慎财务估算，项目总投资31496.55万元，其中：建设投资24805.27万元，占项目总投资的78.76%；建设期利息359.18万元，占项目总投资
7、的1.14%；流动资金6332.10万元，占项目总投资的20.10%。项目正常运营每年营业收入52800.00万元，综合总成本费用40590.13万元，净利润8938.59万元，财务内部收益率23.17%，财务净现值17309.58万元，全部投资回收期5.34年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等
8、内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 行业、市场分析一、 趋势难逆，传统光磁记录媒体正转向半导体存储固态硬盘替代机械硬盘已是大势所趋，传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。作为新一代硬盘，SSD在性能、体积、噪音、震动等方面均远胜于HDD。近几年随着NAND闪存技术的不断发展，基于闪存存储的SSD性能不断提升，不仅寿命足以支持各类应用场景，其价格也在持续回落恢复到市场所认同的高性价比。但短期来看，HDD在数据中心等方面的优势依然较为突出，SDD仍有部分缺陷尚待攻克，受益于全球数据存储需求的高速增长，HDD与SSD在存储容量方面均将保持较快增速，但S
9、SD对HDD逐步形成侵蚀已成必然。也将带动传统光磁记录媒体靶材预计将逐步向半导体存储芯片靶材转移。此外存储芯片需求的上升预计将带来钴靶、钨靶、钽靶等靶材需求上升。据电子工程世界2018年进口靶材免税“天窗”即将到期，或增加17%关税利好国内厂商一文介绍，存储器芯片靶材使用和逻辑芯片的使用种类有很大区别。逻辑里用量大的是铜、钽、钛、铝、钴、镍铂等，这几种材料占到所有份额的95%以上，其中铜和钽占采购份额的85%。铜和钽是逻辑FAB里面用量最大的两种产品，若能掌握铜、钽靶材的生产工艺，则主导逻辑FAB靶材。存储器芯片则分为两个方向，一个是DRAM，一个是NAND。DRAM厂主要种类是钨、钛、钽、铝
10、、钴、铜，用量最大的是钛靶和铝靶，但单块金额较低。如能掌握钴靶、钨靶、钽靶的研发能力，预测便能掌握较大的DRAM份额。铝靶、钛靶的行业壁垒相对较低，使用较为成熟，国内的江丰、有研等在FAB采购份额也均占有一定的比例，对于高端的钨、钴、钽靶材供应商主要还是以nikko、Tosol和honeywell等国外企业为主，铜的用量则相对不大。3DNAND领域主要使用的靶材为钨，其次是钛，再其次是铜和钽的用量，钨靶的采购额占据3DNAND工厂的70%以上份额，钽靶Tosol的市场份额还是有很大的竞争力，Nikko在钽靶方面前期做的不如其他家，但是Nikko收购了钽靶的原材料供应商，预计后期Nikko竞争力
11、相对较强。此外我国的长江存储32层堆栈3DNAND闪存量产在即，国产3D-NAND加速崛起，钨靶在国内市场需求较大，也是目前我国亟需突破的一款靶材。江丰电子与章源钨业也在高纯钨及靶材方面取得了较大进步。二、 应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展芯片制程工艺已经从130nm提升至7nm，晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从130
12、nm提升至7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了8英寸到12英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势1：大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于8英寸晶圆而言，12英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向
13、发展。2、趋势2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说110nm晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用，常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作为铜导线的阻挡层的薄膜材料。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12寸晶圆厂是目前主流建
14、设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据SEMI数据显示，如今12英寸晶圆约占64%，8英寸晶圆占比达26%，其他尺寸晶圆占比10%。12英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的110nm以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势3：高纯化高纯度甚
15、至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。在下游应用领域中，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关，为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需要的溅射靶材纯度不断攀升，通常半导体靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内，美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒，依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位，议价能力强
