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1、名师归纳总结 精品word资料 - - - - - - - - - - - - - - -学习必备欢迎下载20XX级微电子工艺复习提纲一、衬底制备1.硅单晶的制备方法；直拉法悬浮区熔法1.硅外延多晶与单晶生长条件；任意特定淀积温度下，存在最大淀积率，超过最大淀积率生成多晶薄膜，低于最大淀积率，生成单晶外延层；三、薄膜制备1-氧化1. 干法氧化，湿法氧化和水汽氧化三种方式的优缺点；干法氧化：干燥纯洁氧气湿法氧化：既有纯洁水蒸汽有又纯洁氧气水汽氧化：纯洁水蒸汽速度匀称重复性结构掩蔽性干氧慢好致密好湿氧快较好中基本满意水汽最快差疏松差2. 懂得氧化厚度的表达式和曲线图；二氧化硅生长的快慢由氧化剂在二
2、氧化硅中的扩散速度以及与硅反应速度中较慢的一个因素打算；当氧化时间很长时，抛物线规律，当氧化时间很短时，线性规律；3. 温度、气体分压、晶向、掺杂情形对氧化速率的影响；温度：指数关系，温度越高，氧化速率越快；气体分压：线性关系，氧化剂分压上升，氧化速率加快晶向：（ 111）面键密度大于（100）面，氧化速率高；高温忽视；掺杂：掺杂浓度高的氧化速率快；4. 懂得采纳干法热氧化和掺氯措施提高栅氧层质量这个工艺；掺氯改善二氧化硅特性，提高氧化质量；干法氧化中掺氯使氧化速率可提高1%-5% ；四、薄膜制备2-化学气相淀积 CVD1. 三种常用的化学气相淀积方式，在台阶掩盖才能，呈膜质量等各方面的优缺点
3、；常压化学气相淀积APCVD ：操作简洁淀积速率快，台阶掩盖性和匀称性差低压化学气相淀积LPCVD ：台阶掩盖性和匀称性好，对反应式结构要求不高，速率相对低，工作温度相对高，有气缺现象PECVD ：温度低，速率高，掩盖性和匀称性好，主要方式；2. 本征 SiO 2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG 的特性和在集成电路中的应用；USG ：台阶掩盖好，黏附性好，击穿电压高，匀称致密；介质层，掩模扩散和注入 ，钝化层，绝缘层；PSG：台阶掩盖更好，吸湿性强，吸取碱性离子BPSG：吸湿性强，吸取碱性离子，金属互联层仍有用（详细再查书）；3. 热生长 SiO2 和 CVD 淀积 SiO 2 膜的区分；
4、热生长：氧来自气态，硅来自衬底，质量好 第 1 页，共 4 页 - - - - - - - - -名师归纳总结 精品word资料 - - - - - - - - - - - - - - -学习必备欢迎下载CVD 淀积：低温高生长率，氧和硅源均来自气态五、薄膜制备3-物理气相淀积 PVD1.溅射的不同的种类；溅射与真空蒸发的比较；直流溅射射频溅射磁控溅射；真空蒸发，淀积速率快溅射，淀积化学成分简洁掌握，附着性好1. 懂得离子注入的优势在于：注入离子剂量和注入能量分别掌握掺杂浓度和形成的结深；2. 离子注入过程中可能显现的沟道效应及解决方法；离子注入方向平行于一晶向方向，能量缺失小，注入深度大，形
5、成沟道效应掩盖一层非晶体表面层硅晶片倾斜，典型倾斜角度为7 度在硅晶片表面制造一损耗的表层7 对离子注入工艺引入的损耗进行处理，杂质激活所采纳的退火工艺；把握一般热退火和快速热退火的区分；一般热退火： 15 30min退火时间长清晰缺陷不完全杂质激活率不高扩散效应增强快速热退火：时间短先熔化再结晶杂质来不及扩散8 懂得硼（ B）和磷（ P）的退火特性；书 P108B：分成三个区域，其次个区域500-600 度时， B 原子迁移或被结合到缺陷团中，电激活 比 例 下 降 ， 600 度 附 近 达 到 最 低 值 ；P：无定形既非晶层存在一激活率稳固的温度区域，非无定形就始终随温度变化七、光刻与
6、刻蚀1. 现代光刻工艺的基本步骤；涂 胶 前烘曝光显影坚膜刻蚀去胶2. 正胶和负胶的区分；正胶：感光的区域在显影后溶解掉，没有感光的区域不溶解，形成正影像，辨论率高负胶：没有感光的区域在显影后溶解掉，形成负影像，辨论率低3. 懂得光刻的辨论率和特点尺寸的概念；辨论率 R：表示每mm 内能刻蚀出可辨论的最多线条数特点尺寸：光刻工艺中可达到的最小光刻图形尺寸4. 湿法腐蚀与干法刻蚀各自的特点；湿法腐蚀：操作简洁产量大，各向同性，需要掌握腐蚀溶液浓度，时间，温度，搅拌方法等，适用于3um 以上，危急性大干法刻蚀：分为等离子刻蚀（挑选性好）和溅射刻蚀（各向异性）5. 干法刻蚀通常将离子刻蚀和溅射刻蚀结
7、合，保证刻蚀的各向异性和挑选性；常用的干法刻蚀系统： RIE ， ICP ，ECR 等；RIE：反应离子刻蚀ICPECR：高密度等离子体刻蚀（不知道这俩的区分）_ 第 2 页，共 4 页 - - - - - - - - -名师归纳总结 精品word资料 - - - - - - - - - - - - - - -学习必备欢迎下载四.名词说明1） active component有源器件： 可掌握电流方向，放大信号，并产生复杂电路的器件；例如，二极管，晶体管2） anneal 退火：4） CD关键尺寸: 芯片上的物理尺寸特点被称为特点尺寸，硅片上的最小特点尺寸就是关键尺寸 CD ；将 CD 作为定
8、义制造复杂性水平的标准，也就是假如你拥有在硅片上制造某种CD 的才能，那你就能加工其他全部特点尺寸，由于这些尺寸更大，因此更简洁生产；5） CMP化学机械平整化： CMP ：通过比去除低处图形更快的速率去除高处图形以获得匀称表面，是一种化学和机械作用结合的平整化过程；6） deposition淀积：7） diffusion扩散： 扩散是由粒子浓度较高的地方向着浓度较低地方进行，从而使得粒子的分布逐步趋于匀称；浓度的差别越大，扩散越快；温度越高，扩散也越快；8） plasma enhanced CVDPECVD等离子体增强CVD： 等离子体增强CVD 过程使用等离子体能量来产生并维护CVD 反应
9、；膜厚匀称性好，产量高，成本低，因淀积温度低，可用于器件表面钝化2.定义刻蚀挑选比；干法刻蚀的挑选比是高仍是低？高挑选比意味着什么？（10 分） P409挑选比指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少；它定义为刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比；SR=Ef/ErEf=被刻蚀材料的刻蚀速率Er=掩蔽层材料的刻蚀速率干法刻蚀挑选比低高挑选比意味着只刻除想要刻去的那一层材料；一个高挑选比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且爱护的光刻胶也未被刻蚀；单晶硅的制备方法：直拉法Czochralski，CZ 法 和悬浮区熔法Float-Zone， FZ直拉法拉制较大直径的单晶，但氧碳含量高，悬浮区熔法拉制直径小，但纯度高； 第 3 页，共 4 页 - - - - - - - - -o.:fi; .1eH. a.T.of6-/1e lL68 f *tl -o:P&1rJdK I1tB1PJ.A%&Kp&.orei3.2ll Zf. l.H4fi.
