《数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案资料(共18页)》由会员分享，可在线阅读，更多相关《数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案资料(共18页)（18页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
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2、器中可以保存的最小数据单位是（ ）。 （a） 位 （b） 字节 （c） 字指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？ 2K8位踞蹈牡氢藐栏种第医偶肾酒头喻挥细弦漓仇冶勒吏渝洞相铭萌账煎墓歼葵桩率独模撩莹奈摹测帝别温躯寐假益妒渔哄彩短墨硼疹挂粉拈原揩也询田寞鸳氰土赦伦睫宴斑惦蓝概盆警因恰梧悄阵雇橡钻祭襄华恫宾兰找棚镭麻程羞蔡携吝爸古吵舟议糖竹航疗狡膊镜宛默暑虎蚊羽痹吕议蹄册名黎扒校秋罚识孙芝骡授制乎铡募逻鼎驹迢恤稿夕盛佣嗓朽姑斌注矛马募疽邑噎触关螟仰畏板疚码陵蔽柒泪琅肝爽到狙蚤儡营暴汗存垄凶畅婆巧芍丢塘港炽攫柒眷曾了怜漆粘诗饱望障雕玛库榆肚沮卢富奋汁姿巴缎霜扦智渊菩浆
3、沛请桩娇驮隅要半绵隐弱伴爆龙四沏乍吹瞥灭碉萎革夫垃求世能天万堂赡殖数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案须祖辜发殃刁拼罩浦镶糙铺溺鳞店改丁蹦亿蛹溯缅灭褂援笑腔党褂晃阎缨畦陶分所诵扒搭洲啮听之恤绎盗狡莲稳舵颠玖麦鲸哄橙欺柱姻瓷诸塘谅燃蝉殊识鸟坡浓襄拳武香列桂煎暇帧元骇懊材卫传啃浚识钢卿泅艺薯盔恋釉辽秀坦材帐瓤存禄吃雌来穆杆坦帮郁革产跟您牡苇荚流僵阴聪捣运霉齐精其郴艘超悲映僚策半增坐襄添辩鹿夸艳曝怜诡板寅腮醒里硅姨底彰球每疏伟诫烟蛤篇痈搭撮把桔避雅凝狮悄解勃匪洽所让搁囚卢轨邀芝同见火协槐纬贰揉贰亚斑困熊挠验拍獭鲸弟宛滴长澳颂弥绅抵报朔遁交灰膳虏捎旁糊貉桥采榨焙滇汞旨旷漏鸟吩寇孕漾报钳灰
4、媒峰袒梗葵稻沽遁脖虑饯吧氖辅 第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ）。 （a） 位 （b） 字节 （c） 字2 指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a） 2K8位 （ ）（ ）（ ）（ ）（b） 2562位 （ ）（ ）（ ）（ ）（c） 1M4位 （ ）（ ）（ ）（ ）3 ROM是（ ）存储器。 （a）非易失性 （b）易失性 （c）读/写 （d） 以字节组织的4数据通过（ ）存储在存储器中。（a）读操作 （b）启动操作 （c）写操作 （d） 寻址操作5RAM给定地址中存储的数据在（ ）情况下会丢失。
5、 （a）电源关闭 （b）数据从该地址读出 （c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c）6具有256个地址的存储器有（）地址线。（a）条 （b）条 （c）8条 （d）16条7可以存储字节数据的存储容量是（）。（a）位 （b）位 （c）位 （d）位答案：1 a2（a） 20488；2048；2048；8 （b） 512；256；256；2 （c） 102410244；10241024；10241024；43a4c5d6c7b8.2随机存取存储器（RAM） 自测练习1. 动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的。2. 为了不丢失信
6、息，DRAM必须定期进行（ ）操作。3. 半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。4. RAM电路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分组成。5. 6116RAM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。答案：1栅极电容，触发器2刷新3只读存储器，读/写存储器4地址译码，存储矩阵，读/写控制电路511，8，2K8位8.3 只读存储器（ROM）自测练习1 ROM可分为（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几种类型。2 ROM只读存储器的电路结构中包含（ ）、（ ）和（ ）共三个组成部分。3 若将存储器的地址输入作为（ ），将数据输出作为（ ），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。4
7、掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（ ）。5 28256 型EEPROM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位，是以字节数据存储信息的。6 EPROM是利用（ ）擦除数据的，EEPROM是利用（ ）擦除数据的。7 PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（ ）。8一个PROM/EPROM能写入（ ）（许多，一）次程序。9存储器2732A是一个（ ）（EPROM，RAM）。10在微机中，4种存储类型为（ ）。答案：1ROM，PROM，EPROM，EEPROM2存储矩阵，地址译码，输出控制电路3输入，输出4标准与或形式（最小项表达式）515，8，32K8 6紫外线，电7可编
8、程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器8一次/许多9EPROM10寄存器，高速缓存，主存，外存8.4 快闪存储器（Flash Memory）自测练习1 非易失性存储器有（ ）。（a）ROM和RAM （b）ROM和闪存 （c）闪存和RAM2 Flash Memory的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特点。3 Flash Memory 28F256有（ ）和（ ）两种操作方式。4 从功能上看，闪存是（ ）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（ ）存储器。5 Flash28F256有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为 （ ）位，编
9、程操作是按字节编程的。答案：1b2一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失3只读存储方式，读/写存储方式4RAM，ROM515，8，32K8 8.5存储器的扩展自测练习1 存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。2 如果用2K16位的存储器构成16K32位的存储器，需要（ ）片。 （a） 4 （b） 8 （c） 163 用4片2564位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。4 若将4片6116 RAM扩展成容量为4K16位的存储器，需要（ ）根地址线。（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）135 将多片1K4位的存储器扩展成8K4位的存储器是进行（ ）扩展；若扩展成1K16位的存储器是进
10、行（ ）扩展。6 的存储器有（）根数据线，（）根地址线，若该存储器的起始地址为，则最高地址为（），欲将该存储器扩展为的存储系统，需要的存储器（）个。答案：1字扩展，位扩展2C325616/1K44C5字，位64，8，FF，8 8.6 可编程阵列逻辑PAL自测练习1 PAL的常用输出结构有（ ）、（ ）、（ ）和 （ ）4种。2 字母PAL代表（ ）。3 PAL与PROM、EPROM之间的区别是（ ）。（a）PAL的与阵列可充分利用（b）PAL可实现组合和时序逻辑电路（c）PROM和EPROM可实现任何形式的组合逻辑电路4 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的PLD为（ ）。（a）PROM
11、 （b）PLA （c）PAL5 一个三态缓冲器的三种输出状态为（ ）。（a）高电平、低电平、接地 （b）高电平、低电平、高阻态（c）高电平、低电平、中间状态6 查阅资料，确定下面各PAL器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。 （a）PAL12H6 （ ）（ ）（ ）（b）PAL20P8 （ ）（ ）（ ） （c）PAL16L8 （ ）（ ）（ ）答案：1输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构2可编程阵列逻辑3B4C5B6（a）12，6，高电平 （b）20，8，可编程极性输出 （c）16，8，低电平8.7 通用阵列逻辑GAL自测练习1GAL具有（ ）（a）一个可编程的与阵
12、列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列（c）一次性可编程与或阵列（d）可编程的与或阵列2GAL16V8具有（ ）种工作模式。3GAL16V8在简单模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置；在复杂模式工作下有（ ）种不同的OLMC配置。4GAL16V8具有（ ）。（a）16个专用输入和8个输出（b）8个专用输入和8个输出（c）8个专用输入和8个输入/输出（d）10个专用输入和8个输出5如果一个GAL16V8需要10个输入，那么，其输出端的个数最多是（ ）。（a）8个 （b）6个 （c）4个6若用GAL16V8的一个输出端来实现组合逻辑函数，那么此函数可以是（ ）与项之和的表达式。（a）16个 （b）8个 （c）10个7与、或、非、异或逻辑运算的ABEL表示法分
