发光耦合和成像器课件

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1、第四章 发光、耦合和成像器件,4.1发光二极管 4.2激光器 4.3光电耦合器件 4.4CCD,4.1 发光二极管,发光二极管(LED)的类型 发光二极管的原理 发光二极管的特性 发光二极管的应用,4.2 激光器,激光器的结构与原理 激光器的种类 激光器的特性参数 激光器在光电检测方面的应用,激光器的原理,受激辐射:激光是受激辐射的光放大。 粒子数反转 增益大于损耗 激光器由三部分组成:激活介质,谐振腔和激发源。 激光具有:单色性,方向性,高亮度,相干性。,激光器的特性参数,功率(平均峰值),能量 波长,频率,线宽 脉冲宽度,重复频率 光斑直径,发散角,平方因子 模式,波长可调谐性 稳定性(波

2、长频率功率能量方向等),寿命,光电效率,激光器的类型,气体、固体、半导体激光器 紫外、可见和红外激光器 连续、准连续和脉冲激光器 单频、单模激光器 可调谐激光器 超短脉冲激光器,He-Ne激光器的基本结构形式,气体激光器,光束质量好,线宽窄,相干性好,谱线丰富。 效率低,能耗高,寿命较短,体积大。 原子(氦氖)激光器,离子(氩,氪,金属蒸汽)激光器,分子(CO2,CO,准分子)激光器。,固体激光器,运行方式多样:连续,脉冲,调,锁模等,可以获得高平均功率,高重复率,高脉冲能量,高峰值功率激光; 主要在红外波段工作,采用光学泵浦方式; 结构紧凑,寿命较长,稳定可靠; Nd:YAG,红宝石,钕玻璃

3、激光器。,固体激光晶体棒,固体激光实验装置,微型固体激光器,半导体激光器,体积小,效率高,能耗低,寿命长,稳定可靠; 线宽较宽,波长可调谐,能产生超短脉冲,直接高频调制; 可批量生产,单片集成; 发散角大,温度特性差,容易产生噪声。,半导体激光器,半导体激光器电源,白光激光器,激光器在光电检测中的应用,激光测距,测长,测平面度等 激光大气污染检测 激光检测 激光海洋探测 激光制导 激光雷达 激光干涉测量(探伤) 激光全息测量,4.3 光电耦合器件,定义:发光器件与光接受器件的组合器件。 类型: 光电耦合隔离器:在电路之间传递信息,又能实现电路间的电气隔离和消除噪声。 光传感器:用于检测物体的位

4、置或物体有无的状态。 发光器件:LED,LD,灯等 光接受器件:光电二极管三极管,光电池,光敏电阻。,工作原理与特点,发光器件与光接受器件封装一体,但不接触,有很强的电气绝缘性,信号通过光传输。 特点: 具有电隔离(1010 1012欧姆)功能; 信号传输单向(脉冲或直流),适用于模拟数字信号; 具有抗干扰和噪声能力; 响应速度快(微纳秒,直流兆赫兹),体积小,寿命长,使用方便; 既有耦合特性,又有隔离功能;,光电耦合器件的应用,代替脉冲变压器耦合从零到几兆赫兹的信号,失真小; 代替继电器使用,做光电开关用; 把不同电位的两组电路互连,完成电平匹配和电平转移; 作为计算机主机与输入输出端的接口

5、,大大提高计算机的可靠性; 在稳压电源中作为过流保护器件,简单可靠。,光电位置敏感器件(PSD),PSD用于测量光斑的位置或位置的移动量 光束入射光敏层,在入射位置产生与入射辐射成正比的信号电荷,该电荷形成的光电流(I1 , I2)由信号电极1和2输出,为公共电极 X: 位置信号 I0 = I1 + I2,发光耦合和成像器课件,4.4 CCD,CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device) CCD的突出特点:是以电荷作为信号,而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和

6、检测。,CCD的结构,MOS 光敏元:构成CCD的基本单元是MOS(金属氧化物半导体)结构。,(型层),电极,电荷存储,在栅极加正偏压之前,P型半导体中的空穴(多子)的分布是均匀的。 加正偏压后,空穴被排斥而产生耗尽区,偏压增加,耗尽区向内延伸。 当UG Uth时,半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高,以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面,形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。,电荷的转移(耦合),电荷的转移(耦合),第一个电极保持10V,第二个电极上的电压由2V变到10V,因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米),它们各自的对应势阱将合并在一

7、起。原来在第一个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。 若此后第一个电极电压由10V变为2V,第二个电极电压仍为10V,则共有的电荷转移到第二个电极下的势阱中。这样,深势阱及电荷包向右移动了一个位置。 CCD电极间隙必须很小,电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极。对绝大多数CCD,1m的间隙长度是足够了。,CCD的工作原理,CCD主要由三部分组成:信号输入、电荷转移、信号输出。 输入部分:将信号电荷引入到的第一个转移栅极下的势阱中,称为电荷注入。 电荷注入的方法主要有两类:光注入和电注入 电注入:用于滤波、延迟线和存储器等。通过输入二极管给输入栅极施加电压。 光注入:用于摄像机。用光敏

8、元件代替输入二极管。当光照射CCD硅片时,在栅极附近的半导体体内产生电子空穴对,其多数载流子被栅极电压排开,少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。,P-Si,输入,栅,输入二极管,输出二极管,输出,栅,SiO2,CCD的工作原理,在栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值的电压,则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用于存储信号电荷,其深度同步于信号电压变化,使阱内信号电荷沿半导体表面传输,最后从输出二极管送出视频信号。 为了实现电荷的定向转移,在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的循环结构。一位CCD中含的MOS个数即为CCD的像数。 以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道

9、CCD,简称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD,简称为P型CCD。由于电子的迁移率远大于空穴的迁移率,因此N型CCD比P型CCD的工作频率高得多。,CCD的特点,体积小,功耗低,可靠性高,寿命长。 空间分辨率高,可以获得很高的定位精度和测量精度。 光电灵敏度高,动态范围大,红外敏感性强,信噪比高 。 高速扫描,基本上不保留残象(电子束摄象管有15-20的残象) 集成度高 可用于非接触精密尺寸测量系统。 无像元烧伤、扭曲,不受电磁干扰。 有数字扫描能力。象元的位置可由数字代码确定,便于与计算机结合接口。,CCD的特性参数,像素数量,CCD尺寸,最低照度,信噪比等 像素数是

10、指CCD上感光元件的数量。44万(768*576)、100万(1024*1024)、200万(1600*1200)、600万(2832*2128) 信噪比:典型值为46分贝 感光范围 可见光、红外,CCD按电荷存储的位置分有两种基本类型: (1) 电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面,并沿界面传输 表面沟道CCD(简称SCCD)。 (2) 电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内,并在半导体体内沿一定方向传输, 体沟道或埋沟道器件(简称BCCD)。,CCD的类型,CCD的类型,线阵:光敏元排列为一行的称为线阵,象元数从128位至5000位以至7000位不等,由于生产厂家象元数的不同,市场上有数十种型号的器件可供选用。 面阵CCD:器件象元排列为一平面,它包含若干行和列的结合。 目前达到实用阶段的象元数由25万至数百万个不等,按照片子的尺寸不同有13英寸、l2英寸、23英寸以至1英寸之分。,线阵CCD:一行,扫描;体积小,价格低;面阵CCD: 整幅图像;直观;价格高,体积大;,面阵CCD芯片,CCD在检测方面的应用,几何量测量 自动步枪激光模拟射击系统。 光谱测量 光谱仪输出信号测量。,

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