精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 1 ~如何升级内存-怎么看内存条型号内存条编号意义--怎么看内存条型号大 小内存条编号意义--怎么看内存条 型号大小A 部分标明的是生产此颗粒企业 的名称——HynixB 部分标明的是该 内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数 字的形式表现第一个阿拉伯数字表示 生产的年份，后面两位数字表明是在该 年的第 XX 周生产出来的如上图中的 517 表示该模组是在 05 年的第 17 周生 产的C 部分表示该内存颗粒的频率、 延迟参数由 1-3 位字母和数字共同组 成其根据频率、延迟参数不同，分别-------------------------------------------------------精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 2 ~可以用 “D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8 个 字母/数字组合来表示。
其含义分别为 D5 代表 DDR500，延迟为 3-4-4；D43 代表 DDR433，延迟为 3-3-3；D4 代表 DDR400，延迟为 3-4-4；J 代表 DDR333，延迟为；M 代表 DDR266， 延迟为 2-2-2；K 代表 DDR266A，延迟 为 2-3-3；H 代表 DDR266B，延迟为； L 代表 DDR200，延迟为 2-2-2D 部分编号实际上是由 12 个小 部分组成，分别表示内存模组的容量、 颗粒的位宽、工作电压等信息具体详 细内容如图二所示D 部分编号 12 个小部分分解示 意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第 1 部分代表该颗粒的生产企业 “HY”是 HYNIX 的简称，代表着该颗粒 是现代生产制造第 2 部分代表产品家 族，由两位数字或字母组成， “5D”表示 为 DDR 内存， “57”表示为 SDRAM 内存精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 3 ~第 3 部分代表工作电压，由一个 字母组成。
其中含义为 V 代表 VDD= LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中 GL2000 代表芯片类型；GP 代表金邦科技的产品；6 代表产品家族； LC 代表处理工艺；16M8 是设备号码； 4 表示版本；TG 是封装代码，U=μ BGA） ；-7 是存取时间） ；AMIR 是内部 标识号以上编号表示金邦千禧条， 128MB，TSOP 封装，微米 Vdd CMOS 制造工艺，7ns、143MHz 速度SEC三星 EDO DRAM 内存芯片编号 例如 KM416C254D 表示：KM 表示三 星内存；4 代表 RAM 种类；16 代表内 存芯片组成 x16；C 代表电压；254 代 表内存密度 256Kbit；D 代表内存版本 即三星 256Kbit16=4Mb 内存三星 SDRAM 内存芯片编号例如-------------------------------------------------------精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 37 ~KM416S16230A-G10 表示：KM 表示三 星内存；4 代表 RAM 种类；16 代表内 存芯片组成 x16；S 代表 SDRAM；16 代表内存芯片密度 16Mbit；2 代表刷新； 3 表示内存排数；0 代表内存接口；A 代表内存版本；G 代表电源供应；10 代 表最高频率。
三星的容量需要自己计算 一下，方法是用 S 后的数字乘 S 前的数 字，得到的结果即为容量，即三星 16M16=256Mbit SDRAM 内存芯片，刷 新为 8K，内存 Banks 为 3，内存接口 LVTTL，第 2 代内存，自动刷新，速度 是 10ns(100 MHz)三星 PC133 标准 SDRAM 内存芯 片格式如下：Unbuffered 型：KMM3 xx s xxxx BTBTSATS-GARegistered 型：KMM3 90 s xxxx BTIATI-GA三星 DDR 同步 DRAM 内存芯片 编号例如 KM416H4030T 表示：KM 表 示三星内存；4-------------------------------------------------------精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 38 ~代表 RAM 种类；16 表示内存芯 片组成 x16；H 代表内存电压；4 代表 内存密度 4Mbit；0 代表刷新；3 表示内 存排数；0 代表接口电压；T 表示封装 类型；Z 代表速度 133MHz。
即三星 4Mbit16=64Mbit 内存芯片， DDR SDRAM，刷新时间 0 = 64m4K (μs)，内 存芯片排数为 4 排，接口电压 LVTTL+SSTL_3()，封装类型 66 针 TSOP II，速度 133MHZ三星 RAMBUS DRAM 内存芯片 编号例如 KM418RD8C 表示：KM 表示 三星内存；4 代表 RAM 种类；18 代表 内存芯片组成 x18；RD 表示产品类型； 8 代表内存芯片密度 8M；C 代表封装 类型；80 代表速度即三星 8M18bit=144M，BGA 封装，速度 800MbpsMicronMicron 公司是世界上知名内存生 产商之一，其 SDRAM 芯片编号格式为： MT48 ab cdMef Ag TG-hi j-------------------------------------------------------精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 39 ~其中 MT 代表 Micron 的产品； 48 代表产品家族；ab 代表处理工艺； cdMef 设备号码，无字母 =Bits，K=Kilobits，M=Megabits，G=Gi gabitsMricron 的容量=cdef；ef 表示数据 位宽(4、8、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位)；Ag 代表 Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG 代表封装；j 代表功耗；hj 代表速度， 分成以下四类：、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，- 7=70nsSDRAM，x32 DDR SDRAM-15=66MHz，-12=83MHz，- 10+=100MHz，-8x+=125MHz，- 75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，- 55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM 时钟率 @ CL=-8+=125MHz，-75+=133MHz，- 7+=143MHz-------------------------------------------------------精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 40 ~、Rambus-4D=400MHz 40ns，- 4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E 支持 PC66 和 PC100-75 支持 PC66、PC100、PC133-7 支持 PC66、PC100、PC133-7E 支持 PC66、PC100、PC133、DDR SDRAM-8 支持 PC200-75 支持 PC200 和 PC266B-7 支持 PC200，PC266B，PC266A。
例如 MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES 表示美光的 SDRAM，16M8=168MB=128MB，133 MHz其它内存芯片编号NEC 的内存芯片编号例如 μPD4564841G5-A80-9JF 表示：μPD4 代-------------------------------------------------------精选财经经济类资料---------------------------------------------- -----------------------------------------------最新财经经济资料----------------感谢阅读-----------------------------------~ 41 ~表 NEC 的产品；5 代表 SDRAM；64 代表容量 64MB；8 表示数据位宽；4 代表 Bank 数；1 代表 LVTTL；G5 为 TSOPII 封装；-A80 代表速度：在 CL=3 时可工作在 125MHZ 下，在 100MHZ 时 CL 可设为 2；JF 代表封装外型。
HITACHI 的内存芯片编号例如 HM5264805F -B60 表示：HM 代表日立 的产品；52 是 SDRAM 类型；64 代表 容量 64MB；80。