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模电课后(康华光版)习题问题详解4,5,6,8习题精品

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模电课后(康华光版)习题问题详解4,5,6,8习题精品_第1页
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第四章部分习题解答 413 某 BJT的极限参数 ICM=100mA ,PCM=150mW ,V( BR ) CEO=30V, 若它的工作电压VCE=10V ,则工作电流IC不得超过多大?若工作电流 IC=1mA ,则工作电压的极限值应为多少? 解: BJT工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否 则将损坏 当工作电压 VCE确定时,应根据PCM及 ICM确定工作电流 IC, 即应满足 ICVCEPCM及 ICICM当 VCE=10V时, mA V P I CE CM C 15 此值小于 ICM=100mA ,故此时工作电流不超过15mA即可同理,当工 作电流Ic确定时,应根据 ICVCEPCM及 VCEV(BR)CEO确定工作电压 VCE的 大小 当 IC=1mA时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限 值应为 30V 433 若将图题 3.3.1所示输出特性的BJT接成图题 3.3.3 所示电路,并设 VCC=12V, RC=1k,在基极电路中用 VBB=2.2V 和 Rb=50k 串联以代替电流源iB 求该电路中的IB、IC和 VCE的值,设 VBE=0.7V 图题 3.3.1 图题 3.3.3 解:由题 3.3.1 已求得 =200,故 mA R VV I b BEBB B 03.0 IC=IB=2000.03mA=6mA VCE=VCC-ICRc=6V 4.3.5 图题 3.3.6 画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特 性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压 VCC,静态电流IB、IC和管 压降 VCE的值; (2)电阻 Rb、Re的值; (3)输出电压的最大不失真幅 度; (4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多 少? 图题 3.3.6 解: (1)由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即 VCC值的大小,故 VCC=6V。

由 Q点的位置可知,IB=20A, IC=1mA , VCE=3V (2)由基极回路得 k I V R B cc b 300 由集- 射极回路得 k I VV Rc C CECC 3 (3)求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知,在输入信号的正半周, 输 出电压vCE从 3V到 0.8V,变化围为 2.2V;在输入信号的负半周,输 出电压vCE从 3V到 4.6V,变化围为 1.6V综合起来考虑,输出电压 的最大不失真幅度为1.6V (4)基极正弦电流的最大幅值是20A. 4.3.9 单管放大电路如图题3.4.2 所示,已知 BJT的电流放大 系数 =50 (1)估算 Q 点; (2)画出简化H 参数小信号等效电路; (3)估算 BJT的输入电阻rbe; (4)如输出端接入 4k的电阻负载, 计算 iov VVA/ 及 sovs VVA/ 解: (1)估算 Q点 VRIVVmAIIA R V I CCCCCEBC b CC B 4240 (2)简化的 H参数小信号等效电路如图解3.4.2 所示 图题 3.4.2 图解 3.4.2 (3)求rbe 863 2 26 )501(200 26 )1 (200 mA mV I mV r E be (4)求 v A 116 )//( be Lc rbe r i o v r RR V V A L (5)求 vs A )||( || bebs beb v si i v s i i o s o vs rRR rR A RR R A V V V V V V A 73 4.3.11 电路如图题 3.4.4 所示, 已知 BJT的=100, VBE=-0.7V 。

(1)试估算该电路的 Q点; (2)画出简化的 H参数小信号等效电路; (3)求该电路的电压增益 v A ,输入电阻Ri、输出电阻Ro; (4)若vo 中的交流成分出现图题3.4.4b所示的失真现象,问是截止失真还是 饱和失真?为消除此失真,应调整电路中的哪个元件?如何调整? 图题 3.4.4 解: (1)估算 Q点 VRIVVmAIIA R V I ccCCCEBC b CC B 4440 (2)简化的 H参数小信号等效电路如图解3.4.4 所示 图解 3.4.4 (3)求 v A 、Ri、Ro BJT的输入电阻 857 4 26 )1001(200 mA mV rbe kRR rrRR r RR A co bebebi be Lc v 2 857|| 6.155 )||( (4)因图题 3.4.4a 中的 BJT是 PNP管,故图题 3.4.4b 中出现 的vo失真是截止失真;应调整Rb,使之减小,可消除此失真 4.4 3 射极偏置电路和BJT的输出特性曲线如图题353 所 示,已知 =60 (1)分别用估算公式和图解法求Q点; (2)求输入电阻 rbe; (3) 用小信号模型分析法求电压增益 V A ; (4)求输出电压最大不失真幅 度; (5)若电路其他参数不变,如果要使VCE=4V ,问上偏流电阻为多 大? 图题 3.5.3 解: (1)估算法求 Q点: VVVB416 10)6020( 1020 3 3 VkkIVV A I I mA R VV I CCCCE C B e BEB C 75.7)32( 28 65.1 图解法求 Q点: 图 由vCE=VCC-ic(Rc+Re)作直流负载线 MN ,由纵轴 IC=1.65mA处作水 平线与 MN 交于 Q点,则 VCE7.8V,IB28A。

(2) k I mV rr E bbbe 2 .1 26 )1 ( (3) 100 be L v r R A 其中 kkRRR LcL 2 63 63 || (4)由交流负载线 M N与输出特性曲线的交点可知,输出电 压的最大不失真幅度Vom11.1V-7.8V=3.3V (5)当 VCE=4V时 mA RR VV I ec CECC C 4.2 VVRIVVV BEeCBEEB 5 .5 上偏流电阻 kR V VV R b B BCC b 2.38 21 4.5 2 在图题 3 6 2 所示电路中,已知 Rb=260k , Re=RL=5 1k ,Rs=500 ,VEE=12V ,=50,试求: (1)电路的 Q点; (2)电压 增益 v A 、输入电阻 Ri 及输出电阻 Ro ; (3)若 s V =200mv ,求 o V 解: (1)求 Q点 VRIVVmAIIA RR V I ecEECEBC eb EE B 13.6)(15.123 )1( (2)求 v A 、Ri、R 图题 3.6.2 36 1 || || 3 .87)||)(1(|| 99.0 )||)(1( )||)(1( 35.1 26 )1( sbbe eo Lebebi Lebe Le v E bbbe RRr RR kRRrRR RRr RR A k I mV rr (3) mVVs200 时 mVV RR R AVAV s is i vivo 197 4.5.5电路如图题 364a 所示。

BJT的电流放大系数为, 输入电阻为rbe,略去了偏置电路试求下列三种情况下的电压增益 v A 、输入电阻Ri和输出电阻Ro:vs2=0,从集电极输出;vs1=0, 从集电极输出;vs2=0,从发射极输出并指出上述、两种情况 的相位关系能否用图b 来表示?符号“ +”表示同相输入端,即vc与 ve同相而符号“ -”表示反相输入端,即vc与vb反相 图题 3.6.4 解: coebei ebe v RRRrR Rr R A C )1( )1 ( co be ei be c vRR r RR r R A 1Re)1( ebe e v Rr R A )1( )1( 1 ||)1( be eoebei r RRRrR 、两种情况的相位关系能用图b 表示,即将 vs1加于“- ”端, vs2加于“ +”端 第五章部分习题解答 5.1 1 图题 4.3.1 所示为 MOSFET 的转移特性,请分别说明各属于 何沟道?如是增强型,说明它的开启电压VT=?如是耗尽型,说明它 的夹断电压 Vp=?(图中iD的假定正向为流进漏极 图题 4.3.1 解: 由图题 4.3.1 可见: 图 a 为 N沟道耗尽型 MOSFET,其 VP=-3V; 图 b 为 P沟道耗尽型 MOSFET,其 VP=2V ; 图 c 为 P沟道增强型 MOSFET,其 VT=-4V。

5.1.2 一个 MOSFET 的转移特性如图题4.3.3所示(其中漏极电流 iD的方向是它的实际方向) 试问: (1)该管是耗尽型还是增强型? (2)是 N沟道还是 P沟道 FET ? (3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压 VP还是开启电 压 VT?其值等于多少? 图题 4.3.3 解: 由图题 4.3.3可见,它是 P沟道增强型 MOSFET,其 VT= 4V 5.3.5 四个 FET的转移特性分别如图题4.3.4a 、b、c、d 所示,其 中漏极电流i D的方向是它的实际方向试问它们各是哪种类型的 FET ? 图题 4.3.4 解:由图题 4.3.4 可见: 图 a 为 P沟道 JFET ; 图 b 为 N沟道耗尽型 MOSFET; 图 c 为 P沟道耗尽型 MOSFET; 图 d 为 N沟道增强型 MOSFET 5.2.9 已知电路参数如图题4.4.4所示, FET 工作点上的互导 gm=1mS ,设rdRd1) 画出小信号等效电路;(2)求电压增益 v; (3) 求放大电路的输入电阻Ri 解:(1)画小信号等效电路 图题 4.4.4 图解 4.4.4 忽略rd,可画出图题 4.4.4 的小信号等效电路, 如图解 4.4.4 所 示。

(2)求 V 3.3 211 101 1 1 Rg Rg V V A m dm i o V (3)求Ri kRRRR gggi 2075)||( 213 554 电路如图题 4.5.4 所示,设 FET的互导为gm,rd很大;BJT 的电流放大系数为,输入电阻为rbe试说明 T1、T2各属什么组态, 求电路的电压增益V、输入电阻Ri及输出电阻Ro的表达式 图题 4.5.4 解: (1)T1、T2的组态 T1为源极输出器, T2为共射极电路 (2)求v be Lc v bem bem v r RR A rg rg A )||( 1 21 bem Lcm VVV rg RRg AAA 1 )||( 21 (3) 求Ri和Ro cogi RRRR 第八章部分习题解答 8.3 1 在 图 题 5.2.1所 示 电路 中, 设 BJT 的=100, VBE=0.7V,VCES=0.5V,ICEO=0, 电容C对交流可视为短路输入信号vi为正 弦波 (1)计算电路可能达到的最大不失真输出功率Pom; (2)此时 Rb应调节到什么数值?( 3)此时电路的效率=?试与工作在乙类的 互补对称电路比较。

图题 5.2.1 解: (1)求Pom WW R VV P L CESCC om 07.2 8 )22/()5 .012()22/()( 22 (2)求 Rb 考虑到 A VV R VV II L CEScc cmCQ 72. 0 82 5.012 2 5701 72.0 100)7.012()( A V I VV R CQ BECC b (3)求 %24 72.012 07.2 AV W IV P CQCC om 显然,比工作于乙类的互补对称电路的理想效率低很多 8.3.3 在图题 5.2.2所示电路中,设v1为正弦波,RL=8,要 求最大输出功率Pom=9W 试求在 BJT 的饱和压降 VCES可以忽略不计的 条件下,求: (1)正、负电源 VCC的最小值; (2)根据所求 VCC最小值, 计算相应的ICM、|V(BR ) C。

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