2)(2)发射结正偏、发射结正偏、集电结正偏；集电结正偏；工作在工作在饱和区饱和区3)(3)发射结反偏；发射结反偏；工作在截止区工作在截止区 测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别为(1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V(2) Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V (3) Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V问：管子工作在输出特性曲线的什么区？(1)(1)发射结正偏、发射结正偏、集电结反偏；集电结反偏；工作在工作在放大区放大区2)(2)发射结正偏、发射结正偏、集电结正偏；集电结正偏；工作在工作在饱和区饱和区3)(3)发射结反偏；发射结反偏；工作在截止区工作在截止区 ⒈ ⒈ 共射极电流放大系数共射极电流放大系数β β和 在晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等和 在晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等ββ的值一的值一般选择在几十至一百多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大般选择在几十至一百多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大能力差能力差⒉ ⒉ 极间反向电流极间反向电流 ① ① 集电极集电极——基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBO ② ② 集电极集电极——发射极反向饱和电流发射极反向饱和电流ICEO 四、晶体管的主要参数四、晶体管的主要参数 发射极开路，发射极开路，c c、、b b间间加上一定的反向电压时的加上一定的反向电压时的反向电流。
在一定温度下，反向电流在一定温度下，这个反向电流基本上是个这个反向电流基本上是个常数，所以成为常数，所以成为反向饱和反向饱和电流电流，这个电流很小，它，这个电流很小，它随温度的变化而变化随温度的变化而变化 基极开路，基极开路，c c、、e e间加间加上一定的反向电压时的集上一定的反向电压时的集电极电流该电流从集电电极电流该电流从集电区穿过基区流至发射区，区穿过基区流至发射区，所以又称所以又称穿透电流穿透电流 ICEO=（（1+β））ICBO ⒊ ⒊ 特征频率特征频率fT 由于晶体管由于晶体管PNPN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数ββ是是频率的函数信号频率增加到一定程度时，频率的函数信号频率增加到一定程度时，ββ值下降⒋ ⒋ 极限参数极限参数 在在IC的一个很大的变化之内的一个很大的变化之内ββ值基本不变，但当值基本不变，但当IC超过某一个值超过某一个值ICM时时β明显下降该电流称为明显下降该电流称为最大集电极电流最大集电极电流 集电结上允许损耗的功率最集电结上允许损耗的功率最大值大值P PCMCM。
超过该值，管子发热，超过该值，管子发热，性能下降，甚至烧毁温度越性能下降，甚至烧毁温度越高，高， P PCMCM值越小，所以晶体管值越小，所以晶体管的使用受到环境温度的限制的使用受到环境温度的限制硅管的上限温度达硅管的上限温度达150℃150℃、锗、锗管的达管的达70℃70℃为了降低温度，为了降低温度，常采用加散热装置的方法常采用加散热装置的方法 V（（BR））EBO：：集电极开路时发射极集电极开路时发射极- -基极间的反向击穿电基极间的反向击穿电压 V（（BR））CBO：：发射极开路时集电极发射极开路时集电极- -基极间的反向击穿电基极间的反向击穿电压 V（（BR））CEO：：基极开路时集电极基极开路时集电极- -发射极间的反向击穿电发射极间的反向击穿电压 五、温度对晶体管的影响五、温度对晶体管的影响 ICBO：：随温度的升高而随温度的升高而增加增加对硅管，该变化很对硅管，该变化很小，所以对静态工作点的小，所以对静态工作点的影响没有上两个因素重要影响没有上两个因素重要但对大功率硅管不能忽略但对大功率硅管不能忽略对锗管该变化也很重要。
对锗管该变化也很重要20℃40℃ 20℃40℃ β：：随温度的升高而随温度的升高而增加增加，原因：温度升高，，原因：温度升高，加快载流子的速度，基加快载流子的速度，基区复合减少，往集电区区复合减少，往集电区流的载流子增多流的载流子增多 VBE：：随温度的升高而减少随温度的升高而减少 六、光电三极管六、光电三极管 光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用只是它的光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制所集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制所以光敏三极管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基以光敏三极管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）制作材料一般为半导体硅，管型为极引出线（有的没有）制作材料一般为半导体硅，管型为NPNNPN型，型，国产器件称为国产器件称为3 3DUDU系列 作业作业1-2P67: 1.15P68: 1.18 。