微星主板cpu安装 篇一：微星主板BIOS设置 微星AMD 785G主板的BIOS设置详解 本设置讲解，以785GTM-E65为蓝本，其他AMD主板也可参考 不同型号AMD主板只是BIOS设置工程有多有少，只要是有的工程，设置方式和内容根本一样 一、 BIOS主菜单 1、Standard CMOS Features标准CMOS属性 2、Advanced BIOS Features高级BIOS 属性 3、Integrated Peripherals 整合周边设备4、Power Management 电源管理 5、H/W Monitor硬件监测 6、Green Power 绿色节能 7、BIOS Setting Password 开机密码设置 8、Cell Menu核心菜单 9、M-Flash U盘刷新BIOS 10、User Settings 用户设置项 11、Load Fail-Safe Defaults加载平安缺省值 12、Load Optimized Defaults 加载优化值 13、Save Exit Setup 保存设置并退出14、Exit Without Saving 退出而不保存 二、Cell Menu 核心菜单设置 1、CPU相关设置 CPU相关设置有9项 1-1、CPU Specifications：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。
1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”依据CPU负载变更CPU的倍频和电压当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低假如主板有微星的APS功能，请开启这个选项该选项的设置是Enabled和Disabled 1-3、Adjust CPU FSB Frequency 〔MHz〕：调整CPU的前端总线频率默认的频率是CPU的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频在这里干脆键入频率数值，比方220 1-4、Adjust CPU Ratio：调整CPU的倍频AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频该项的默认设置是Auto敲回车，弹出倍频列表，用户可以从中选择盼望的倍频 1-5、Adjust CPU-NB Ratio：调整CPU内北桥〔内存限制器〕的倍率AMD CPU整合了内存限制器，这个选项可以调整内存限制器的倍率调整这个倍率要与内存频率设置相互协作，一般须要屡次调整，才能到达最正确效果，假如设置不正确，可能引起蓝屏死机 1-6、EC Firmware：EC固件设置。
这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心〔有局部是不能正常运作的〕这项的默认设置是Normal敲回车，弹出选项菜单供用户选择 Normal是平凡模式，就是不开启关闭的核心Special是特别模式，开启被关闭的核心留意这个选项要协作下面的Advanced Clock Calibration设置 1-7、Advanced Clock Calibration：高级时钟校准这是SB750起先有的有的功能用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over DriveSB710继承了这项功能，还可以协作EC Firmware开启关闭的核心默认设置是Disabled敲回车弹出选项菜单： Auto是自动模式想开启关闭的核心，请设置为Auto All Cores是对全部核心都进展一样的高级时钟校准选择了All Core后，菜单会多出一个选项就是要求选择校准的百分比在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单 Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比选择Per Core后，菜单会多出一个选项：也是要求选择校准的百分比。
在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单请留意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比方2核的就有2个Value选项 1-8、Auto Over Clock Technology：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值设置该项后，系统可能重复启动屡次，最终找到最大FSB启动由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存原因而出此时此刻最大FSB状况下，不能进系统，或者蓝屏死机 1-9、Multistep OC Booster：这是微星独有的超频协助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再复原原来频率该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项Mode1是以低于原频率90%的频率启动Mode2是以低于原频率80%的频率启动 2、内存相关设置 内存设置有3项： 2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数也可以随时按F5查看，插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，假如插4条，就会有4条SPD信息。
回车就可以查看1条内存的SPD： 2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置就是用户自己配置内存时序参数回车进入高级DRAM配置： 2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Both Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道默认设置是Auto这是DCT0的时序参数设置：内存时序参数最主要的有4个CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上时时看到的，比方8-8-8-24，就是这4个参数 附注：内存时序参数学问 1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行〔Row〕地址和列〔Column〕地址标识一个内存单元 2、内存寻址就是通过行地址和列地址找寻内存的一个存储单元系统发出的地址编码须要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写 3、内存芯片是易失性存储器，必需经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据读写前要先对选定的存储单元预充电〔Pre charge〕。
4、对内存的存储单元读写前要先发出激活〔Active〕吩咐，然后才是读写吩咐 5、CL就是CAS Latency，CAS〔列地址选通〕潜藏时间，事实上也是延迟指的是CPU发出读吩咐到获得内存输出数据的时间间隔 6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟一般是指发出激活吩咐和读写吩咐之间的时间间隔在这段时间内经过充电，数据信号足够强 7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟一般是指发出预充电吩咐和激活吩咐之间的时间间隔在这段时间内对激活的行充电 8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟一般是指行激活吩咐和发出预充电吩咐之间的时间间隔 9、上述潜藏和延迟时间可以用肯定时间值ns，也可用相对时间—周期一般多用周期表达周期数越小，内存的速度越高选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数内存时序参数标准由JEDEC制定下面列出DDR3的时序参数规格，供参考 标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好还有非标准的7-8-8/8-9-9的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。
降一级频率就没有问题 2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度 该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道设置为DCT0/1或Both时，会增加设置工程，下面看看用户自己手动设置的工程： 每个通道的信号驱动强度设置包括8项 CKE Drive Strength：时钟允许〔Clock enable〕信号驱动强度 CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度 Addr/Cmd Drive Strength：地址/吩咐驱动强度 Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度 Data Drive Strength：数据信号驱动强度 DQS Drive Strebgth：数据恳求信号驱动强度 ProcOdt：CPU内建终端电阻 驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率： 2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级限制。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道设置为DCT0/1或Both时，会增加设置工程，下面看看用户自己手动设置的工程： 每个通道的高级限制有6项 DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻从DDR2起先内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内DDR3也是这样这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms默认是Auto DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度设置参数有Auto、Normal、ReducedAuto是让BIOS依据内存条自动设置Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度 DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法但允许奇偶校验会影响内存读写速度设置参数有Auto、Enabled、Disabled默认设置是Auto DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。
DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采纳自己的内部时钟确定刷新速率设置参数有Auto、Enabled、Disabled默认设置是Auto DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32突发模式是系统对内存读写时一次连续读写连续读写的长度有32字节和64字节这项设置就是选择32字节，还是64字节设置参数有Auto、64字节、32字节默认是AutoAuto就是由系统依据数据分布自动采纳突发模式的长度 Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank 有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank 内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank双面就是2个BankCPU和内存进展数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双。