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1、 TS12a4515特性2 V 至 12 V 单电源供电，额定导通电阻 12v 供电时最大为 15 欧，5v 供电时最大 20 欧，3.3v 供电时为最大 50 欧。指定的低关断漏电流： 25 时为 1nA，85时为 10nA。指定的低导通漏电流：25 时为 1nA，85时为 10nA。低电荷注入： 11.5 PC（12 V 电源） 开关速度快：tON= 80 ns, tOFF= 50 ns (12V 电源) ，TTL / CMOS 逻辑兼容 5 V 电源。描述该 TS12A4514/ TS12A4515 是单极/ 单掷（SPST） ，低电压，单电源 CMOS 模拟开关，具有极低的开关导通电阻
2、。该 TS12A4514 是常开（NO） 。该 TS12A4515 是常闭（NC） ，这些CMOS 开关可以在 2 V 至 12 V 连续变换，每个开关可以处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大 25C 下仅为 1 nA 或在 85下 10 nA。所有数字输入 0.8 V 至 2.4 V 逻辑阈值，确保TTL / CMOS 逻辑兼容采用 5 V 电源时。引脚配置绝对最小和最大额定值（1）电压参考到 GND电源电压范围，模拟电压范围，连续电流的终端，峰值电流，没有或 COM（1 ms 脉冲，10占空比）每个方法 3015.7 防静电，连续功耗（TA=70） ，工作温度范围，存储温度范围。焊接温度（
3、焊接，10 秒）（1） 超出“绝对最大额定值”列出的强调值可能会造成永久性损坏设备。这些只是压力额定值，但超过或处于上述额定值，就可能影响芯片的可靠性。（2） 所有电压都是相对于地，除非另外指明（3） 电压超过 V +或 GND 任何信号端子通过内部二极管钳位。极限正向二极管电流最大电流额定值电源为 5V 时的电气特性下述条件 V +=4.5 V 至 5.5 V，VINH=2.4 V，VINL=0.8 V，TA = -40C 至 85C（除非另有说明）模拟开关：模拟信号范围：Vcom，Vno ，Vcn 0v导通电阻：在 V+=4.5v，Vcom=3.5v，Icom=1mA 导通电阻稳定度：在
4、Vcom=1V，2V ，3V，Icom=1mA NO，NC 关断泄漏电流：在 V+=5.5v，Vcom=1v，Vno 或 Vnc=4.5v COM 关断泄漏电流：在 V+=5.5v，Vcom=1v，Vno 或 Vnc=4.5v COM 在使能泄漏电流：在 V+=5.5v，Vcom=4.5v，Vno 或 Vnc=4.5v 数字控制输入（IN）：输入逻辑高电平：2.4V 至 V+输入逻辑低电平：0V 至 0.8V输入漏电流：在输入为 V+，0V 时为 0.01uA动态：开启时间：见图二，关闭时间：见图二，电荷注入：CL=1 NF，Vno=0 V ，R=0 ，见图 1 NO，NC 关断电容：F =1
5、MHz 时，见图 4 COM 关断电容：F =1MHz 时，见图 4COM 关断电容：F =1MHz 时，见图 4 数字输入电容：在输入为 V+，0V 时为 0.01uA 带宽：关断隔离：总谐波失真：V+电源电流：泄漏参数 100测试在最大额定热的工作温度，并且由相关性确保在 25电源为 12V 时的电气特性下述条件 V +=11.4 V 至 12.6V，VINH=5 V，VINL=0.8 V，TA = -40C 至 85C（除非另有说明）模拟开关：模拟信号范围：Vcom，Vno ，Vcn 0v导通电阻：在 V+=11.4v，Vcom=10v，Icom=1mA 导通电阻稳定度：在 V+=11.
6、4V，Vcom= 2V ，5V ，10VIcom=1mA NO，NC 关断泄漏电流：在 V+=12.6v，Vcom=1v，Vno 或 Vnc=10v COM 关断泄漏电流：在 V+=12.6v，Vcom=1v，Vno 或 Vnc=10v COM 在使能泄漏电流：在 V+=12.6v，Vcom=10v，Vno 或 Vnc=10v 数字控制输入（IN）：输入逻辑高电平：5V 至 V+输入逻辑低电平：0V 至 0.8V输入漏电流：在输入为 V+，0V 时为 0.001uA动态：开启时间：见图二，关闭时间：见图二，电荷注入：CL=1 NF，Vno=0 V ，R=0 ，见图 1 NO，NC 关断电容：F
7、 =1MHz 时，见图 4 COM 关断电容：F =1MHz 时，见图 4COM 关断电容：F =1MHz 时，见图 4 数字输入电容：在输入为 V+，0V 时为 0.01uA 带宽：关断隔离：总谐波失真：V+电源电流：电源为 3V 时的电气特性下述条件 V +=3 V 至 3.6 V， TA = -40C 至 85C（除非另有说明）模拟开关：模拟信号范围：Vcom，Vno ，Vcn 0v导通电阻：在 V+=3v，Vcom=1.5v，Icom=1mA 导通电阻稳定度：在 V+=3V，Vcom=1V ，1.5V ，2V，Icom=1mA NO，NC 关断泄漏电流：在 V+=3.6v，Vcom=1
8、v，Vno 或 Vnc=3v COM 关断泄漏电流：在 V+=3.6v，Vcom=1v，Vno 或 Vnc=3v COM 在使能泄漏电流：在 V+=3.6v，Vcom=1v，Vno 或 Vnc=3v 数字控制输入（IN）：输入逻辑高电平：2.4V 至 V+输入逻辑低电平：0V 至 0.8V输入漏电流：在输入为 V+，0V 时为 0.01uA动态：开启时间：见图二，关闭时间：见图二，电荷注入：CL=1 NF，见图 1 NO，NC 关断电容：F =1MHz 时，见图 4 COM 关断电容：F =1MHz 时，见图 4COM 关断电容：F =1MHz 时，见图 4 数字输入电容：在输入为 V+，0V
9、 带宽：关断隔离：总谐波失真：V+电源电流：泄漏参数 100测试在最大额定热的工作温度，并且由相关性确保在 25TS12A4514，TS12A4515 低电压，低导通电阻 SPST CMOS 模拟开关引脚说明：NO，NC 和 COM 引脚是相同的并且可以互换。任何可以被认为是输入或输出;信号通过两个方向。应用说明：电源注意事项：该 TS12A4514/ TS12A4515 是最典型 CMOS 模拟开关，而且它们仅仅只有两个电源引脚：V +和 GND。V +和 GND 驱动内部 CMOS 开关和设置他们的模拟电压限制，内部的 ESD保护二极管连接每个模拟信号引脚和两个 V +和 GND，如果任何
10、模拟信号超过 V +或GND。如果任何模拟信号超过 V +或 GND 时这些二极管的导通。几乎所有的模拟漏电流与来自 ESD 二极管和 V +与 GND，因为 ESD 二极管给定的信号引脚是相同的，因此它们作为不同的反向偏置时有着相当良好的平衡作用。每个 V+或地与模拟信号之间都有偏置。这意味着他们的泄漏会随信号变化而变化。在两个二极管泄漏到 V +和 GND 的差构成的模拟信号路径泄漏电流。所有的模拟漏电流在每个引脚和电源端口 1之间流动，而不是其他的端口。这就是为什么一个给定开关的两侧可以显示相同或相反极性的漏电流。有模拟信号路径和 V +或 GND 之间没有连接。V +和 GND 也是电
11、源的内在逻辑和逻辑电平转换。逻辑电平阈值：当 V +为 5V 时该逻辑电平的阈值是 CMOS / TTL 兼容的，当 V +略升高，该电平阈值的增加。当 V+ 达到 12 V 时，电平阈值大约是 3 V 以上 2.8 V 的 TTL 指定的高级别最低，但仍与 CMOS 输出兼容。注意： 不要连接 TS12A4514/ MAS4515 V +到 3 V，和连接逻辑电平引脚从 5 V 单电源供电的逻辑电平信号。输出电平可以超过 3 V 和侵犯的绝对最大额定值，损坏部分和/或外部电路。高频表现在 50 系统，信号的反应是合理，高达 250 MHz（参见典型工作特性） 。20 MHz 以上，在应对上有几个小峰是高度依赖的布局。问题不是在接通开关;它是将其关闭，为断开状态的开关的作用就像一个电容器并通过更高的频率较少的衰减。在 10 MHz 时，关断隔离为约-45 分贝在 50 系统，递减每次大约 20 分贝，随着频率的增加。较高的电路阻抗也使关断隔离减少。关断隔离是上面的裸 IC 插座的约 3 分贝，完全是由于电容耦合。测试电路/时序图应用信息（续）
