材料科学基础——位错课件资料

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1、位 错 （Dislocations）,位错基本知识,主要内容 概论 位错的应力场 位错的应变能 位错受力 位错的运动 割阶及其运动 弯结及其运动,位错理论提出理论强度和实际强度的差异 变形时，若晶体在滑移面两侧相对滑过，则在滑移面上所有的键都要破断来产生永久的位移。据此，可估算滑移所需的临界分切应力。,0 位错概论,理论切变强度的估算 假设能量曲线是正弦形式。使原子面相对切开所需要的切应力为： 在弹性变形范围，应力和应变服从胡克定律： G切变模量，切应变，可以近似为x/a，上式变成：,因原子间斥力的短程性，能量曲线不是正弦形的，所以上面的估计是过高的，c的更合理值约为G/30。实验测定的切变强

2、度比理论切变强度低23 个数量级。,晶体的实际强度和理论计算的强度相差几个数量级，人们就设想晶体中一定存在某种缺陷，由于它的存在和它的运动引起晶体的晶体的永久变形。设想的这种缺陷结构及特性必需和下述观察到的宏观变形现象相符。 晶体变形的宏观现象： 形变的晶体学性，即晶体在固定的晶面和晶向滑移； 形变的不均匀性和不连续性，即变形不是在整个晶体各处发生； 形变滑移的传播性，形变时，观察到滑移线（带）是从无到有，由浅到深，由短到长，数目由少到多； 滑移服从临界分切应力定律； 温度对临界分切应力有显著的影响，等等。,设想引入晶体的缺陷应有下列特性 它的晶体学要素不依赖于外加力的大小，而由晶体学本身确定

3、。由它运动导致的变形不破坏晶体结构，只是原子 间的相对运动。所以引入的缺陷不是完全无规而是有晶体 学特性的； 它能解释变形的不均匀性，即能说明它的结构敏感性； 它能说明变形过程的传播性； 引入的这种缺陷是易动的，能解释实验强度比理论强度 低的原因。但它又不能像空位那样易受热起伏的影响； 它应有合理的增殖机制。 现在已清楚，这种缺陷就是这里要讨论的位错。,位错理论的发展过程 1907年 Volterra解决了一类弹性体中的内应力不连续的弹性问题，把它称为位错。 1934年 M.Polanyi，E.Orowan和G.1.Taylor差不多同时地独立提出有 关这类晶体缺陷（位错）的模型，特别是Tay

4、lor明确地把Volterra 位错引入晶体。 约菲用正交的尼科耳镜观察岩盐形变，看到岩盐形变时有亮线从晶体一侧传播到另一侧，说明晶体形变滑移时局部地区有应力集中，并说明滑移是从一侧传播到另一侧的。 Taylor注意到这种实验现象，根据设想的位错排列形状，计算了位错运动所产生的晶体硬化曲线。 1939年 Burgers提出描述位错的一个重要特征量-柏氏矢量，同时引入了螺位错。 1940年 Peierls提出后来在1947年由Nabarro修正的位错点阵模型， 它突破了一般弹性力学范围，提出了位错宽度的概念，估算了位错开动的应力，这一应力正是和实际晶体屈服应力的同一数 量级。,1947年 Cot

5、trell阐明溶质原子和位错的交互作用并用以解释低碳纲 的屈服现象，第一次成功地利用位错理论解决金属机械性能的具体问题。同年，Shockley描绘了面心立方形成扩展位错的过程。 1950年 Frank和Read共同提出了位错的增殖机制。 上面所列出的是早期位错理论的发展的重要过程，那时，对于 单个位错的运动规律，位错的交互作用等理论基本已经解决。 1953年Nye和1954年Bilby以及以后的krner提出的无限小位错连续分布模型，为研究更复杂位错组态提供了方法。 在解决任意形状的位错线的性质方面，由Burgers在1939年提 出的位移公式、Peach和krner在1950年提出的应力场公

6、式和位错受力公式及Blin在1955年提出的交互作用能公式等基本上能得到解 决。 1956年 Menter直接在电镜观察了铂钛花青晶体中位错的存在， 同年，Hirsch等应用相衬法在电镜观察到位错的运动，位错理论就 在更坚实的基础上发展了。 近几十年，随着实验设备和计算机的发展，研究位错核心的 组态以及在复杂结构中的位错方面取得很多很有成效的结果。,假设在滑移面上有部分面积已经滑移，上下侧相对滑移了b矢量，在已滑移区域和没有滑移区域的交界处C必然存在很大畸变，它就是我们要寻找的缺陷，称之为位错。,晶体中位错概念的引入,位错的类型及几何形态 类型：刃型位错 螺型位错 混合位错 刃位错的原子模型

7、产生刃位错的Volterra过程 半原子面在上侧，称正刃位错，“”;半原子面在下侧，称负刃位错，“”。,螺型位错,产生右螺位错的Volterra过程,右螺位错的原子模型,混合位错,原子模型图,产生混型位错 的Volterra模型,柏氏回路及柏氏矢量 位错线在晶体中产生应力和应变场，从“制造”位错的Volterra过程可知，割面的相对位移矢量b是位错的最根本特征，绕位错的回路C（柏氏回路)的弹性位移u的线积分值应该等于b ：称为柏氏矢量b 位错柏氏矢量b的确定步骤如下 人为规定位错线正向t（单位矢量）； 以位错线正向为轴环绕位错线在位错线附近的原子错排区作右螺旋闭 合回路（称柏氏回路）； 用同样

8、方法在不含位错的完整晶体中作相同回路； 比较这2个回路，绕位错线所作的回路是闭合的，则在完整晶体 中所作的相同回路是不闭合或是重叠的，从这个回路的终点向始 点连接所得的矢量就是位错线的柏氏矢量b。 这种方法记为RH/FS法。在确定柏氏矢量时，若位错线的正向相反时，所得的柏氏矢量也同时反向。,刃位错的柏氏回路和柏氏矢量,位错类型与柏氏矢量关系 刃位错：位错线与柏氏矢量垂直 。 螺位错：位错线与柏氏矢量平行。 右螺位错：平行同向 左螺位错：平行反向 混合位错：位错线与柏氏矢量相交角。可以看成是 柏氏矢量为bsin的刃位错和柏氏矢量为bcos 的螺位错的叠加。 柏氏矢量的物理意义 反映位错产生的畸变

9、的程度和方向。,柏氏矢量的守恒性 柏氏回路任意扩大、移动，只要在扩大和移动过程不和原位错线或其它位错线相遇，由它确定的柏氏矢量不会改变。 一根不分岔的位错线不论它的形状如何变化，它只有一个恒定 的柏氏矢量。 一根位错线不能终止在晶体内部，只能终止于晶体表面或晶界；若它终止在晶体中部，它必和其他位错线相连接，相交于一 个接点，或者自成封闭的位错环。 汇聚在一点的各位错线，如果从汇聚点向外的方向定为正向，则它们的柏氏矢量总和为零。 绕b1的位错的柏氏回路扩大， 移 动到包围其它2个位错的区 域， 这个回路所确定的柏氏矢量始终 不 变，仍为b1。故 b1= （b2 + b3）,晶体中的位错组态和位错

10、密度 位错组态 位错网络 位错环 象发团一样的位错“缠结” 位错密度单位体积中含位错的总长度(体密度）或在单位 面积上截过的位错数目(面密度）。 pvL/V (cm/cm3)或 pA根数/A (1/cm2) 如果所有的位错线平行且垂直于表面，这两种定义的密度值是 相同的。对于完全随机排列的位错组态，体密度是面密度的2 倍。 充分退火的金属晶体中p通常在106108cm-2。 强烈冷加工金属p的典型值约为10111012cm-2。,位错宽度 w 位错所引起的畸变大部分集中在原子排列不太精确的核心区域。 滑移面上侧(A)和下侧(B)的 原子分别发生了位移u(A)和 u(B)，即沿滑移面原子的错 排

11、u=u(B) u(A) 。u 的最大值为b/2 ，并随离开 位错中心迅速减小。 把错排大小大于其最大 值一半(b/4)的 那段距离定 义为位错半宽度 ，在位错宽 度范围内, -b/4 u b/4。 位错宽度通常在b5b之 间 。取决于原子间势能和晶 体结构 。密排金属的位错宽 度比较大 ；共价键材料例如 硅 、金刚石等的位错宽度比 较窄。,把错排曲线变成连续曲线，对错排曲线求导数得： 因为f(x)曲线下面的面积等于b，所以称f(x)为柏氏矢量分布函数。分布函数 清楚地显示错排集中于中心。,位错的观察,氟化锂表面浸蚀出的位错露头的浸蚀坑,KCl中的位错 （KCl晶体是透明的，用杂质 “辍饰”位错

12、以便可以见到它（白色），位错形成网络）,方解石,石盐,石蜡（生长螺旋）,碳化硅（生长螺旋）,甲苯胺双螺位错生长中心,锗晶体中位错的 电子显微镜图象,位错的定义 晶体中柏氏矢量不等于零的晶体缺陷。 晶体中已滑移区和未滑移区的交界。,1 位错的应力场,位移只有u3分量，整体只有切应变和切应力。把半径为r处的柱面展开，其切应变为：,计算直螺位错应力场的模型,螺型位错的应力场 柱面坐标表示： 直角坐标表示： 式中，G为切变模量，b为柏氏矢量，r为距位错中心的距离 螺型位错应力场的特点： (1)只有切应力分量，正应力分量全为零，这表明螺型位错不引起晶体的膨胀和收缩。 (2)螺型位错所产生的切应力分量只与

13、r有关（成反比），且螺型位错的应力场是轴对称的，并随着与位错距离的增大，应力值减小。 (3)这里当r0时，z，显然与实际情况不符，这说明上述结果不适用位错中心的严重畸变区(r =b)。,计算直正刃位错应力场的模型,位移的u3=0，并且u1和u2不是z 的函数。,刃型位错的应力场 柱面坐标表示： 直角坐标表示： 式中， ；G为切变模量；为泊松比；为b柏氏矢量。,刃型位错应力场的特点： (1)同时存在正应力分量与切应力分量， 而且各应力分量的大小与G和b成正比，与 r成反比，即随着与位错距离的增大，应力 的绝对值减小。 (2)各应力分量都是，的函数，而 与无关。这表明在平行于位错的直线上， 任一点

14、的应力均相同。 (3)刃型位错的应力场对称于多余半原 子面（y-z面），即对称于y轴。 (4) 在滑移面（y0）上，没有正 应力，只有切应力，而且切应力xy 达到 极大值 。 (5)y0时，xx0。 这说明正刃型位错的位错滑移面上侧为压应力，滑移面下侧为拉应力。 (6) xy时，yy，xy均为零，说明在直角坐标的两条对角线处，只有xx，而且 在每条对角线的两侧，xy(yx)及yy的符号相反。 (7) 产生体积应变（体积膨胀率）。在滑移面以上0，在滑移面以下0。 (8) 同螺型位错一样，上述公式不能用于刃型位错的中心区。,应力分量的分布 为了了解各应力 分量大小的分布，常 在x-y平面上画出应力

15、 场的等应力线。为此， 以r和表达（r2=x2+y2 tan=y/x），得,刃位错各应力分量的等应力线,混合直位错的应力场 因为混型直位错可看成是刃型分量和螺型分量位错的迭加，所以混型直位错的应力场 也可以由 刃型分量和 螺型分量 位错的应力场叠加得出。如果 混位错的柏氏矢量的螺型分量是bs、刃型分量是be，则其应力场为：,混型位错的应力场包含全部的六个分量。,位错的应变能位错周围点阵畸变引起弹性应力场导致晶体能量增加，这部分能量称为位错 的应变能。 位错的能量可分为两部分：位错中心畸变能和位错应力场引起的弹性应变能。 位错的弹性应变能 螺型位错的弹性应变能（单位长度）： 刃型位错的弹性应变能

16、（单位长度）： 混合位错的弹性应变能（单位长度）： 单位长度位错的弹性应变能可简化为：,2 位错的应变能,位错中心畸变能和位错的应变能 从上页公式看出，当r00及r 时，位错应变能均趋于无限大。 r00 是不适用的， r 是没有实际意义的。 位错中心部分的能量约为直位错总能量的10%25%。把这一数值计算在内，可以把位错的总能量改写为 ： 单位长度位错的能量与位错类型、r和r0值的变化关系不大。 如果取r0b（约为2.510-8cm），取r 10-4cm（近似于一般的晶粒大小或位错平均距离），则单位长度位错应变能约为：,总 结 位错的能量包括两部分：位错中心畸变能和位错应力场引起的弹性应变能。位错中心区的能量约为总能量1/10，可忽略。 位错的应变能与b2成正比。因此，从