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1、 探讨DSS 长晶时间和微晶关系原因:从事多晶铸锭工作的坛友应该对长晶时间和微晶这两个矛盾印象很深,就目前所知来说,耗时越长,微晶比率越低,耗时越短,微晶比率越高.议题:屏除原料的差异的前提下,比较好的关于微晶和长晶时间的权衡设备:DSS规格:270kg解析问题从质量角度来说微晶杂质比率等缺陷越低越好一般来说.原料、坩埚、热场和操作等的影响微晶杂质如果需要降低微晶杂质比率，比较直接的方法就是减缓长晶速度从生产角度来说合格率超过某一比率的产品越多越好而长晶越快，产品数量自然越多但是随之而来的就是硅块有效长度变短矛盾自然形成为了质量延长铸锭运行耗时为了产量降低铸锭运行耗时本次讨论目的就是找到相对来
2、说的平衡燃烧的冰 2008-7-20 14:31希望大家踊跃发言视回帖质量予以加分鼓励xks0 2008-7-20 15:45小提下 对 DSS 炉来说生长段分阶段设定长晶速率 是很必要的 不必要全部增加长晶阶段时间必要的话 可以做下热场调节一般微晶就解决了所以 时间和产量上 要是做到好处 不会有矛盾要是可以加权限就好了;大笑 ;色燃烧的冰 2008-7-20 16:05多数微晶在中心部位的硅块中部可能热场和坩埚也是一部分原因吧鱼疯 2008-7-20 16:05没什么可聊的,我们这里的人,数学及物理水平达不到 GT 的水平,否则就自己设计热场了.要说嘛,只能是 GT 的设计目前是最佳的了.还
3、有嘛,觉得 DSS 炉为什么炉温全部是向高处走,莫不是也 TMD 水性扬花来着.呵呵.反正调整的方法最好不以提升隔热笼高度做为技术指标手段,提升隔热笼第一个坏处就是增大了设备的功耗,长期下来,功率造成损失也是巨大的.尤其是全国这么多炉子.要多用多少电呀!可惜,偶没资料,也没权限去研究.燃烧的冰 2008-7-20 16:07不知道国内自主设计的 DSS 和 GT 的 DSS 比较硅块有效长度是否有可比性呢鱼疯 2008-7-20 16:21我想是一样的,总之硅锭长宽是同样尺寸,热场就肯定是一样的.我想 270KG 的体积下,只有使用 690*690*大约 25 公分高吧.一定是这种.燃烧的冰
4、2008-7-20 16:24加速提升隔热笼 好象电耗会增加不过也没有确实的数据来支撑这个假说大眼睛 2008-7-20 20:58我不是做这个的，但想找个地方慢慢听你们讨论。;发呆 ;发呆 ;发呆 ;发呆微晶区域多数为晶界、杂质和位错的复合区域慢长晶速率有利于排杂，会在一定程度上减少微晶率，但并不能彻底解决微晶问题。相对于长晶速度来讲，使用料的好坏及热场结构更能够影响微晶率燃烧的冰 2008-7-21 08:18LS 应该是做单晶的吧新余魂 2008-7-21 13:59硅料配比相同炉台相同RCP 相同在以上情况下，微晶率仍然会有很大起伏匪夷所思杂质和热场有很大的关系,这个是肯定的.这个是通
5、过实验得出的结论!鱼疯 2008-7-21 16:43貌似什么也没有研究出来.恐怕我们都不是这类级别的.没有研究数据,都只是在猜!加上几句至于楼上好多人说和热场有关系,还和料有关系,问题是热场是固定的,料是不定的.如果料的特性是符合热场的,那自然就不会有什么问题出来了.如果非要研究这个东东,恐怕我们只做肤浅的插棒棒测长晶是解决不了的,长晶速率并不能很好的控制微晶现象,非得来个大人物研究热场.像热力学这类的.能摸透炉内的热传导是如何状态的才行.听说长晶的主要指标是一秒种散多少热量!不知道是不是?还有就长晶而言,除了隔热笼上升和温度上升导致功率曲线上升,有时在隔热笼和温度均不变化的情况下,功率也会
6、有上升,教材一般解释是因为长晶会一直继续当中,当液体更多的部分变成固体后,会释放出热量,从而炉内就少了产生热量的液体,从而就需要更多的功率来维持炉内温度.我仔细想了一下,但根本也听不怎么太懂,底部长晶后,由液体变固体产生的热量是不可能会传导到上部来,只会通过 DSS BLOCK 到炉壁吸收并由冷却水带走.因为热传递的产生是由温差造成的,硅锭最底下的温度一定比中间区域低所以产生了温度的由高到低的热量流动.而长晶也由此产生.我个人觉得,功率曲线的上升,还是由于热传导的原因,就像食堂排队吃饭,当都站着不动时,我们把站着消耗的功率看成全部是液体,但前一个人前进,导致后面人不断向前,走动的力量,便是长晶
7、开始增加的功率了.为什么没有人沿着 GT 的道路,把长晶过程中长晶非线性的关系,奕成七步可以控制的线性关系,去分析每一步硅料吸放热,及炉壁的吸热特征,找出不同料之间到底存在着哪种关系.我想大多数微晶还是可能解决的吧!;调皮i 本帖最后由 鱼疯 于 2008-7-21 17:28 编辑 /i燃烧的冰 2008-7-21 16:45只是探讨可能有些数据是不方便给出的xks0 2008-7-21 18:32回复 16# 的帖子去除微晶的工艺数据有 但是这里可能给你么 ;偷笑 看你也不象才入行的么;可爱燃烧的冰 2008-7-22 08:25只是方向性性的讨论不涉及具体工艺数据毕竟大家不方便泄露的同志
8、，先从晶体生长角度出发思考看看，该讲的都上面的仁兄都讲了。技术细节问题，邮件联系hehe,希望能够收到同行的邮件，同时探讨多晶铸锭更深层技术细节问题minifox 2008-7-24 12:44热场的原因造成的微晶要比由于杂质的原因造成的微晶对电池性能的影响小很多，但是相对于正常晶粒还是要差很多的搞 GT 热场的人就在国内的大学里.搞 GT 热场的人就在国内的大学里. 是吗?肯定是本科国内的,研究生国外念的.是哪所大学呀!哪以为咱们天天讲洋为中用.弄了半天,都是中为洋用!留学生生源现在也是多数西方国家争夺的重点回复 2# 的帖子减缓长晶速度也是最直接的方法，减少微晶还和热场也有关。zhaoju
9、n 2008-7-28 21:51延缓长晶的时间并不能彻底解决微晶问题，还是时有时无，会不会和热场的保温效果有关，哪位兄弟知道 GT 炉热场保温层使用到什么时间更换最好？PV-maker 2008-7-28 21:54同意帅哥你的观点，本公司热场改造后，微晶比例由 9%降到 0%，料还是同样的料。所以，热场影响很大！呵呵beyya 2008-7-29 06:10楼上的是说 450 改造吧没听说过哪家改 240 的热场燃烧的冰 2008-7-29 08:55似乎 450 的热场设计依旧有隐患不仅仅是质量隐患还有安全隐患12345678912 2008-8-4 23:48个人认为只要温场控制的平稳
10、我指的是空间温度相差不是很大控制长晶速率在 2 厘米以下最为经济wei-0208 2008-8-5 16:41240 的热场也有人在改的,450 的热场以后还会改动的燃烧的冰 2008-8-14 15:232cm 以下范围似乎比较大lqcldr 2008-8-14 16:59晶体生长肯定与热场有关系减少微晶1、减少自发形核的几率，这主要靠热场来控制2、减少非自发形核的几率，这与热场和杂质都有关系3、一旦形核后，加速晶核的长大，还得靠热场来控制4、最后晶核的定向生长，不用说必须靠热场来控制但是加速晶核的长大必定会引起晶核形成的加速（产生微晶），二者是矛盾的总之，无论是单晶还是铸锭多晶，真正地完全
11、了解晶体的生长过程难度还很大。大多都是根据结果来分析而建立晶体生长的模型sipv-scb 2008-8-15 10:24首先要确定微晶产生的原因：1，晶体生长过快2，杂质引起组份过冷了解了以上两点，你就可以通过硅材料及热场。另外新的保温材料刚开始使用，前几炉会有微晶的现象帅哥说的没错，是 450！哈哈首先要确定微晶产生的原因： 1，晶体生长过快 2，杂质引起组份过冷了解了以上两点，你就可以通过硅材料及热场。另外新的保温材料刚开始使用，前几炉会有微晶的现象 . 对，生长速度和组分过冷合理的调节液态区的温度梯度可以减少微晶的产生在学习中，大家说的都很好。;可爱我是不搞你那个的!但是我做半导体,以前
12、也搞了一段时间的晶体生长。只是方法不同。说说我个人的看法：微晶的产生：、晶体生长一般由晶核产生：晶核，可能由能量不均匀产生，也可以由于杂质产生。第一种就得看你怎么去控制热场，第二种与料本身解决。象第一种其实可以过同退火来解决。以前我做过相同的试验比较，退火与没退火的差别就是：退火几个小时基本很少看见微晶，而没退火的很多很多。如果你们那个炉子应该具备自退火系统吧！在定向长晶退火过程是控制热应力的工序和你那个可能有点不同微晶的产生，从国外学习回来后个人人为，270kg 的 GT 多晶炉目前的热场中的长晶的温度梯度是比较好，我们可以从 CAE 软件中分析炉内的温度梯度，缺陷比较少的原因是温度梯度与长
13、晶达到平衡，且冷却水的冷凉的带走量也是一定。这里献丑了。大家都说得很好，都很有自己的看法，朋友可以总结下呀因为长晶会一直继续当中,当液体更多的部分变成固体后,会释放出热量,从而炉内就少了产生热量的液体,从而就需要更多的功率来维持炉内温度.我觉得教材解释得有道理迭戈高 2008-12-13 22:41退火很重要，调节每步长晶速度晶体的生长肯定与热场有直接关系，既要节能降耗又要有产品质量保证，不能只用提升隔热笼或降低热交换平台这一种方法，还应适当的降低热场温度。本人认为：从结晶开始到结束，热场温控可在 1435-1425 之间，实现逐步降低。同意所谈的观点，DSS240 包含国产的炉子，热场确实设
14、计非常合理，设定长晶温度1435-1425 之间，位置在 0。0 到 25。0cm 都很合适，只要控制长晶速率=2。0，很少产生微晶，与热场设计合理有大的关系。而 DSS450 由于热场加大后，中心温度在同一水平截面上存在较大的温度差及垂直的温度梯度加大，造成定向凝固块传热太快，即长晶太快，中心出现微晶。现在 DSS450 和国产的炉子热场（如 48 所的和汉虹）都做了极大的改变，都有所之长，该问题得到很好的解决。但 800KG 以上的炉子，都在自主开发，还有待验证，相信国人的非凡的能力。（个人之见，请批评指正）热场大致有个什么样的改法呢，请问雨过的天空 2009-1-30 18:08国内的技
15、术人员目前都在解决大炉型目前遇到的问题。微晶的产生机理微晶的产生机理主要是热场的原因，并非长晶速度过快的原因，只要长晶速度不超过2cm/h。降低长晶速度是可以改善微晶的，但影响了生产效率，并且能耗也增加了。讨论了这么久了难道就找不到真正的原因吗？目前 GT450 的热场的固液界面并非是平坦的，而是一条浴盆曲线，中心温度高，四周温度低，那么为什么会出现这种现象呢？由于坩埚顶部增加了加热器，因为热场是一个温区，因此顶部的功率不能单独调节的，当隔热笼打开后，四周开始散热，为了恒定长晶的温度因此功率会逐渐增大，因此顶部的温度会比四周的温度要高，而且温差会越来越大，这就造成了硅锭中心温度偏高，虽然通过提
16、升隔热笼的位置可以控制长晶的温度梯度，但这种凹型固液界面会使杂质向温度高的位置迁移，造成硅锭中心部分的杂质浓度大大高于其他区域，如果杂质超过一定范围，则会在中心位置形成新的晶核，由于此时的排列都是非规则的，而且生产速度并不快晶体都长不大，因此这个区域就出现了微晶的现象。这就是为何用好料铸锭微晶的现象就较小或没有而差料就会经常出现的原因，工艺调整是无法补救的。其实这个问题 GT 公司早就心知肚明，那么他们采取了哪些补救措施呢？他们将四周的加热器与电极的连接板加长了一些，并且在 DS 块上做了一点修改，效果略有改善，由于他们的硬件已经固定，如果再次修改设计的话，代价也会很大，也会很没脸面的，如此只有糊弄我们的用户了。要想彻底解决微晶的问题，则需要对设备的硬件做一次修改，解决方法是：1、顶部加热器和四周的加热器分开控温，硬件软件都需要改进；2、DS 块的结构形式还需要做一些变动，使中心的散热速度大于四周的散热速度；目前DS 的改进形式只是亡羊补牢的做法，还需要认真考虑。欢迎
