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1、 微波技术与天线课程设计角锥喇叭天线 姓名：吴爽 学号： 目录一角锥喇叭天线基础知识31.口径场32.辐射场43.最佳角锥喇叭74. 最佳角锥喇叭远场 E 面和 H面的主瓣宽度7二角锥喇叭设计实例71.工作频率82.选用作为激励喇叭的波导83.确定喇叭的最佳尺寸84.喇叭与波导的尺寸配合95.天线的增益106.方向图10一角锥喇叭天线基础知识角锥喇叭是对馈电的矩形波导在宽边和窄边均按一定张角张开而形成的， 如下图所示。矩形波导尺寸为ab，喇叭口径尺寸为DHDE ，其E面(yz 面)虚顶点到口径中点的距离为R ， H 面(xz 面)内虚顶点到口径中点的距离为RE,H 面(xz 面)内虚顶点到口径
2、中点的距离为RH。 1. 口径场角锥喇叭内的电磁场，目前还未有严格的解析解结果，原因在于，角锥喇叭在 x和 y两个方向随喇叭的长度方向均是渐变而逐渐扩展的， 因而要在一个正交坐标系下求得角锥喇叭内的场的严格解析解是困难的。通常近似地认为，矩形角锥喇叭中的电磁场具有球面波特性，而且假设角锥喇叭口径面上的相位分布沿x和 y两个方向均为平方律变化。按此假设，可写出角锥喇叭的口径场为： （1.1）如果是尖顶角锥喇叭，则 RH RE ，可用作标准增益喇叭。若是楔形喇叭，则RH RE 。由此口径面场分布计算的远场与实测的结果吻合的很好，说明了假设的口径场分析模型的正确性。2. 辐射场由角锥喇叭的口径场分布
3、，仿照前面求 E 面和 H 面扇形喇叭远区辐射场的步骤，就可以求出角锥喇叭的远区辐射场表达式。由于计算过程较繁，这里直接给出结果。 （2.1） 其中： （2.3） （2.4） (2.5) (2.6) （2.7） 角锥喇叭的 E面和 H面场为： (2.8)在角锥喇叭的 DE、RE、DH、RH与扇形喇叭的相同时，可以证明:角锥喇叭在 E面的方向图与 E面扇形喇叭的 E面方向图相同； 角锥喇叭在 H 面内的方向图与 H 面扇形喇叭在 H 面内的方向图相同。 确定(取 / =1 )。绘出的幅度三维图及 E面和 H面方向图如下图所示：3.最佳角锥喇叭是指角锥喇叭的尺寸在 H面和 E面分别取最佳，即最大相
4、差 (3.1)这样，就可使角锥喇叭的增益为最大.4. 最佳角锥喇叭远场 E 面和 H面的主瓣宽度 Z由于在相同的 RE和 DE 条件下， 角锥喇叭的E面方向图与 E面扇形喇叭的E面方向图相同，在相同的 RH和 DH条件下，角锥喇叭的 H 面方向图与 H 面扇形喇叭的方向图相同，则最佳角锥喇叭 E 面和 H 面方向图的主瓣宽度分别由式(4.1)和(4.2)表示，即：20.5H=1.396/D1 rad=80/D1() (4.1)20.5E=0.94/D1 rad=54/D1() (4.2)角锥喇叭作天线时，可按此要求设计。二角锥喇叭设计实例1. 工作频率学号：1000+50+1500=2500M
5、HZ波长=c/f=0.1176m2.选用作为激励喇叭的波导波导的尺寸a,b应保证波导内只传输TE10波。因此选取 a=0.72= b=0.343.确定喇叭的最佳尺寸垂直极化，电场方向垂直于地面已给定波束宽度 水平面：20.5H=1.396/D1 rad=80/D1() 求得 D1=0.9408m （20.5H=10） 垂直面：20.5E=0.94/D1 rad=54/D1() 求得 D2=0.42336m （20.5E=15）确定尺寸D1，D2喇叭尺寸确定后，由喇叭最佳尺寸公式：RH=D12/3RE=D22/2求出喇叭的长度：RH=2.5m RE=0.762m4.喇叭与波导的尺寸配合对于角锥喇
6、叭天线，最后确定其尺寸时，还要考虑喇叭有波导在颈部的尺寸配合问题，如下图所示：aRHLHD1bRELED2根据几何关系得出：代入LE=LH得到关系式：验证：而0.将RE修改为5.天线的增益=45.5 Db6.方向图理论计算公式：角锥喇叭E面方向图和H面方向图分别为对应的E面扇形喇叭的E面方向图和H面扇形喇叭的H面方向图。E面方向图： 其中： H面方向图： 其中： Matlab源程序：E面方向图clcclear%a=input(请输入角锥输入端宽度（H面）单位mma=)a=8.5;a=a*10.(-3);%b=input(请输入角锥输入端宽度（E面）单位mmb=)b=4;b=b*10.(-3);
7、%D1=input(请输入角锥口径宽度（H面）单位mmA=)D1=94;D1=D1*10.(-3);%D2=input(请输入角锥口径宽度（E面）单位mmB=)D2=42.3;D2=D2*10.(-3);%h=input(请输入喇叭口长度单位mmH=)h=227;h=h*10.(-3);%f=input(请输入工作频率单位0.1MHZf=)f=25500;f=f*10.6;lamd=3*10.8/f;R2=h/(1-b/D2);theta=-60:0.2:60;k=2*pi/lamd;theta1=theta.*pi/180;t1_1=sqrt(k/(pi*R2).*(-(D2/2)-R2.*
8、sin(theta1);t2_1=sqrt(k/(pi*R2).*(D2/2)-R2.*sin(theta1);EE=exp(j.*(k.*R2.*(sin(theta1)./2).*F(t1_1,t2_1);FE=-j.*(a*sqrt(pi*k*R2)/8).*(-(1+cos(theta1)*(2/pi)*(2/pi).*EE);FE1=abs(FE);FE1=FE1./max(FE1);FEdB=20*log10(FE1);figure(1)plot(theta,FEdB);gridontitle(角锥喇叭E面方向图)xlabel(Angle(theta)/circ)ylabel(Ga
9、in(theta)H面方向图R1=h/(1-a/D1);theta=-60:0.2:60;k=2*pi/lamd;theta1=theta.*pi/180;kx_1=k.*sin(theta1)+pi/D1;kx_11=k.*sin(theta1)-pi/D1;f1=kx_1.*kx_1*R1/(2*k);f2=kx_11.*kx_11*R1/(2*k);t1_1=sqrt(1/(pi*k*R1).*(-(k*D1/2)-kx_1*R1);t2_1=sqrt(1/(pi*k*R1).*(k*D1/2)-kx_1*R1);t1_11=sqrt(1/(pi*k*R1).*(-(k*D1/2)-kx
10、_11*R1);t2_11=sqrt(1/(pi*k*R1).*(k*D1/2)-kx_11*R1);FF=exp(j.*f1).*F(t1_1,t2_1)+exp(j.*f2).*F(t1_11,t2_11);FH=j.*(b/8).*sqrt(k*R1/pi).*(1+cos(theta1).*FF);FH1=abs(FH);FH1=FH1./max(FH1);FHdB=20*log10(FH1);figure(1)plot(theta,FHdB);gridontitle(角锥喇叭H面方向图)xlabel(Angle(theta)/circ)ylabel(Gain(theta)所用子函数F：%F(t1,t2)=C(t2)-C(t1)-jS(t2)-S(t1)function y=F(t1,t2) C2=mfun(FresnelC,t2); C1=mfun(FresnelC,t1); S2=mfun(FresnelS,t2); S1=mfun(FresnelS,t1); y=(C2-C1)-j.*(S2-S1);end在清洗液中硅表面为负电位有些颗粒也为负电位，由于两者的电的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正电位，由于两者电的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
