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1、第2章 2.1 放大电路中某三极管三个管脚测得对地电位-8V，-3V,-3.2V和3V、12V、3.7V，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管？解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V，对锗管则为0.2V。（1）三极管工作在放大区时，UB值必介于UC和UE之间，故-3.2V对应的管脚为基极，UB=-3.2V，脚电位与脚基极电位差为-0.2V，所以脚为发射极，则脚为集电极，该管为PNP锗管。（2）由于脚电位为3.7V介于3V和12V之间，故脚为基极，脚电位低于脚0.7V，故脚为发射极，则脚为集电极，该管为NPN硅管。2.2 对图P2.2所示各三极
2、管，试判别其三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，估算其值。图P2.2解：（a）因为iBiCUCE=0.3V，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，IB=0.1mA，IC=10 mA，UCE=6V。（b）设三极管工作在放大状态，则得IC=IB=1000.077=7.7mA则UCE=-(5V7.7mA3k)=-(5V23.1V) 0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为因此三极管的IB=0.077mA，IC=1.57mA，UCE=UCES0.3V（c）发射结零偏置，故三极管截止，IB=0，IC=0，UCE=5V。2.4图P2.4（a）所示电路中，三极管的输出
3、伏安特性曲线如图P2.4（b）所示，设UBEQ=0，当RB分别为300k、150k时，试用图解法求IC、UCE。图P2.4解：（1）在输出回路中作直流负载线令iC=0，则uCE=12V，得点M（12V，0mA）；令uCE=0，则iC=12V/3k=4mA，得点N（0V，4mA），连接点M、N得直流负载线，如图解P2.4所示。图解P2.4 （2）估算IBQ，得出直流工作点当RB=300k，可得IBQ1= =40A当RB=150k，可得IBQ2= =80A 由图解2.4可见，IB=IBQ1=40A和IB=IBQ2=80A所对应的输出特性曲线，与直流负载线MN分别相交于Q1点和Q2点。（3）求IC、
4、UCE由图解P2.4中Q1点分别向横轴和纵轴作垂线，即可得：UCEQ1=6V，ICQ1=2mA同理，由Q2点可得UCEQ2=0.9V，ICQ2=3.7mA。2.5硅晶体管电路如图P2.5所示，已知晶体管的100，当RB分别为100K、51K时，求出晶体管的IB、IC及UCE。 图P2.5解：（1）RB=100K，IB=(3-0.7)V/100K=0.023mAIC=1000.023=2.3mAUCE=12-32.3=5.1V(2)RB=51 KIB=(3-0.7)V/51K=0.045mAIBS=0.04mA因IBIBS，所以晶体管饱和，则IB=0.045mAIC=12V/3 K=4mAUCE
5、02.6图P2.6所示电路中，晶体管为硅管，=60，输入ui为方波电压，试画出输出电压uo波形。 解：UI=0，管子截止，UO=5V UI=3.6V，IB=（3.6-0.7）V/56 K=0.0518mAIBS=0.0163mAIB，所以晶体管饱和，UO0输出电压UO波形与UI波形相反幅度近似为5V,如图解P2.6所示。 图解P2.62.7图P2.7所示三极管放大电路中，电容对交流信号的容抗近似为零，ui=10sint(mV)，三极管参数为=80，UBE（ON）=0.7V，rbb=200，试分析：（1）计算静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路和小信号等效电路；（3）求uB
6、E、iB、iC、uCE。 图P2.7 解：（1）计算电路的静态工作点IBQ=0.024mA=24AICQ=IBQ=800.024mA=1.92mAUCEQ=VCCICQRC=12V1.92mA3.9k=4.51V（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路如图解P2.7（a）、（b）所示（3）求uBE、iB、iB、uCE图解P2.7 由于IEQ1.92mA，故可求得 由解图P2.7（b）可得ic=ib=807.7sint(A) 0.616sint(mA)uce=icRc=3.90.616sint(v) 2.4sint(V)合成电压和电流为uBE=UBEQ+ube=（0.7+0.01sint）V
7、iB=IBQ+ib=(24+7.7sint) AiC=ICQ+ic=(1.92+0.616int)mAuCE=UCEQ+uce=(4.512.4sint)V2.8 场效应管的转移特性曲线如图P2.8所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；对于增强型管求出UGS（th）。图P2.8 图解P2.8 解：（a）由于uGS0，故为增强型NMOS管，电路符号如图解P2.8（a）所示，由图P2.8（a）可得UGS(th)=1V。（b）由于uGS0，故为N沟道结型场效应管，其电路符号如图解P2.8（b）所示。由图P2.8（b）可得UGS（off）=5V，IDS
8、S=5mA。（c）由于uGS可为正、负、零，且UGS（off）=2V，故为耗尽型PMOS管，电路符号如图解P2.8（c）所示。由图P2.8（c）可得UGS（off）=2V,IDSS=2mA.2.9场效应管放大电路如图P2.9所示，已知场效应管的UGS（TH）=2V，IDO=1mA，输入信号us=0.1sint(V)，试画出放大电路小信号等效电路并求出uGS、iD、uDS。解：画出电路小信号等效电路如图解P2.9所示 图解P2.9 令uS=0，则得UGSQ=10V/2=5V。所以由图解P2.9可得ugs=us/2=0.05sint(V)id=gmugs=1.50.05 sint(mA)=0.07
9、5 sint(mA)uds=idRD=50.075 sint(V)= 0.375 sint(V)合成电压、电流uGS=UGSQ+ugs=(5+0.05 sint)ViD=IDQ+id=(2.25+0.075 sint)mAuds=UDSQ+uds=(202.255）-0.375sint=（8.75-0.375sint）V2.10 由N沟道结型场效应管构成的电流源如图P2.10所示，已知场效应管的IDSS=2mA，UGS（th）=-3.5V，试求流过负载电阻RL的电流大小。当RL变为3K和1K时，电流为多少？为什么？ 解：(1)由于UGS=0,所以ID=IDSS=2mA （2）由于UGS-UGS(off)=0-(-3.5)=3.5V 而当RL=3K时，UDS=12-2*3=6VRL=1K时，UDS=12-2*1=10V 可见RL=13K时，UDS均大于UGSUGS（off）；管子工作在放大区，所以ID=2mA可维持不变解决党委自身和基层党支部存在的的突出问题，发挥各村、社区、机关单位党支部在当前城市征迁、园区建设、招商引资、服务群众、维护稳定的作用，我镇党委高度重视，制定了切合临淮实际的活动实施方案，按照中央规定的活动步骤和要求扎实有效的开展了基层组织建设年活动。
