《天马微-array制程与检测介绍》由会员分享，可在线阅读，更多相关《天马微-array制程与检测介绍（53页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、Array制程与检测介绍,上海天马微电子有限公司,TFT-LCD简介 1.何谓TFT-LCD： TFTThin Film Transistor 薄膜晶体管 LCDLiquid Crystal Display 液晶显示器 2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、全彩化等优点 ，故已广泛使用于各类显示器材上,數碼相機,數碼攝錄影機,汽車導航顯示器,數碼影音光碟機,筆記型電腦,桌上型顯示器,液晶電視,解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目,Cell工程,Module工程,TFT工程,Photo Process Resist Coating,Spin co
2、ating Slit (extrusion) coating,薄膜生长制程,PVD,利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应湿刻,将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形.,刻蚀,利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分干刻,Etching type,Substrate,Chemical Isotropic,Plasma Isotropic+Anisotropic,Wet etch,Dry etch,PR,PR,膜,膜,基板,基板,Isotropic,Anisotropic,Etchant等方向浸入造成Side Etch,Etching type selectio
3、n,PEP 1 Mo/AlNd wet etch PEP 2 SiNx /-Si/ n+-Si dry etch PEP 3 Mo/Al/Mo;-Si/ n+-Si wet/dry etch PEP 4 SiNx dry etch PEP 5 ITO wet etch,干刻用气体,反应方程：Cl2+SF6+SiSiF4+SiS2+其他 Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。,a-Si的刻蚀,反应方程：SF6+HeSiN SiF4+SiS2 +其他 SF6：F元素的供给源。 He：使等离子体均一化,2.SiN的刻蚀,3.
4、PR灰化（Ashing）,反应方程：PR+O2 O2：利用等离子体方法去除PR,O2：有利于形成Taper角,湿刻,M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 草酸（H2C2O4）,HNO3+CH3COOH +H3PO4,Etching mode,Spray喷淋,Spray+Dip,Dip 浸入,Good taper shape,Faster Etching rate,AOI,3GB44unit=132GB,G Size,The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be revi
5、ewed precisely,AOI Auto optical inspection,TEG prober and Tester,Array laser repair,After Striper,After laser repair,Inlayer repair(PEP1),Data from AOI,Example:,Metal,Al/ND:532nm,Defect type,Repair method,Metal residue,Metal residue,GC short,用Block laser 将残留metal打掉,用Block laser 将残留metal打掉,Metal residue,用Block laser 将残留metal打掉,波长选择532nm,新型显示技术,Thanks,
