RENA前后清洗工艺培训课件

上传人:luobi****88888 文档编号:93616004 上传时间:2019-07-25 格式:PPT 页数:80 大小:5.03MB
返回 下载 相关 举报
RENA前后清洗工艺培训课件_第1页
第1页 / 共80页
RENA前后清洗工艺培训课件_第2页
第2页 / 共80页
RENA前后清洗工艺培训课件_第3页
第3页 / 共80页
RENA前后清洗工艺培训课件_第4页
第4页 / 共80页
RENA前后清洗工艺培训课件_第5页
第5页 / 共80页
点击查看更多>>
资源描述

《RENA前后清洗工艺培训课件》由会员分享,可在线阅读,更多相关《RENA前后清洗工艺培训课件(80页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、Confidential,RENA前后清洗工艺培训,Highlight,1.太阳电池基本知识 2.清洗制绒的目的 3.前清洗RENA机台及工艺介绍 4.后清洗工艺介绍 5.RENA机台常见报警信息 6.碎片改善 7.十项影响因素 8.异常图片及简单分析 9.异常处理流程,一、什么是太阳能电池,太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件。 它的工作原理可以概括成下面几个主要过程:第一,必须有光的照射,可以是单色光,太阳光或我们测试用的模拟太阳光源。第二,光子注入到半导体后,激发出电子空穴对。这些电子空穴对必须有足够的寿命保证不会在分离前被附和。第三,必须有个静电场(PN结),起分

2、离电子空穴的作用。第四,被分离的电子空穴,经电极收集输出到电池体外,形成电流。,1.太阳能电池的原理,前清洗(制绒),扩散,PECVD SiNx,后清洗(刻边/去PSG),丝网印刷 /烧结/测试,2.制造太阳能电池的基本工艺流程,二、前清洗(制绒),制绒按工艺不同可分为碱制绒和酸制绒: 利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率(各向异性腐蚀),对(100)面腐蚀快,对(111)面腐蚀慢。如果将(100)作为电池的表面,经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面(金字塔状),称为表面织构化。 但是对于多晶硅,由于晶体排列方式杂乱,如果利用碱液,无法进行腐蚀得到良好的金字塔织构化表

3、面,此时只能用酸溶液进行各向同性腐蚀,获得表面存在许多凹坑的表面结构,也能起到良好的陷光作用。,1.制绒工艺的分类:,单晶硅片碱制绒绒面形状,多晶硅片酸制绒绒面形状,2. 陷光原理:,光在光滑半导体薄片表面上的 反射、折射和透射,陷光原理图,当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。,腐蚀深度在4.4 0.4m 时,制绒后的硅片表面反射率要一般在20%25%之间,此时得到的电性能较好。,腐蚀深度与电性能间的关系,在绒面硅片上制成PN结太阳电池,它有以下特点: (l)绒面电池比光面电池的反射损失小,如果再加减反射膜,其反射率可进一步降低。 (

4、2)入射光在光锥表面多次折射,改变了入射光在硅中的前进方向,不仅延长了光程,增加了对红外光子的吸收,而且有较多的光子在靠近PN结附近产生光生载流子,从而增加了光生载流子的收集几率。 (3)在同样尺寸的基片上,绒面电池的PN结面积比光面大得多,因而可以提高短路电流,转换效率也有相应提高。 (4)绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了;二是由于它减反射的无选择性,不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池,使电池发热;三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触,使接触电阻损耗增加。,三、RENA Intex前清洗(酸制绒)工艺,RENA清洗设备 注:前、后清洗设备外观相同,内部构造和作用

5、原理稍有不同,1.RENA前清洗工序的目的:,去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl) 形成起伏不平的绒面,增加对太阳光的吸收,增加PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。,前清洗工艺步骤: 制绒碱洗 酸洗吹干,Etch bath,Dryer1,Rinse1,Alkaline Rinse,Rinse2,Acidic Rinse,Rinse3,Dryer2,RENA Intex前清洗设备的主体分为以下八个槽,此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。,2.设备构造,Etch bath:刻

6、蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ,作用: 1.去除硅片表面的机械损伤层; 2.形成无规则绒面。,Alkaline Rinse:碱洗槽 。 所用溶液为KOH,作用: 1. 对形成的多孔硅表面进行清洗; 2.中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。,Acidic Rinse:酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF,作用: 1.中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液; 2.HF可去除硅片表面氧化层(SiO2),形成疏水表面,便于吹干; 3.HCl中的Cl-有携带金属离子的能力,可以用于去除硅片表面金属离子。,HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 Si+2KOH+H2O K2SiO3 +2H2 NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 = SiO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2,3. 酸制绒工艺涉及的反应方程式:,

展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 行业资料 > 轻工业/手工业

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号