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工艺集成,集成电路中的隔离,MOS集成电路中的隔离 增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化） 侧墙掩膜隔离 双极集成电路中的隔离 结隔离,MOS集成电路中的隔离,MOSFET本身自隔离 产生寄生场效应晶体管 抑制方法防止开启 提高寄生场效应晶体管的阈值电压 增加场区二氧化硅的厚度（局部场氧化） 增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层,增加场区二氧化硅的厚度,双极集成电路隔离,主要介绍0.18 m的CMOS集成电路硅工艺的主要步骤。这有助于对半导体制造有一个更好的了解。,CMOS制作步骤,CMOS反相器由两个晶体管构成，一个nCMOS和一个pCMOS。,1.双阱工艺,在硅衬底上形成的、掺杂类型与硅衬底相反的区域称阱（well）。阱通常是通过注入或扩散工艺形成，掺杂为n型称为n阱，掺杂为p型称为p阱,而在同一硅片上形成n阱和p阱的称为双阱（twin-well）。,2.浅槽隔离工艺,浅槽隔离STI是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。 分为三步：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化,3.多晶硅栅结构,4.轻掺杂漏注入工艺,源、漏注入工艺,n+源/漏注入工艺,P+源/漏注入工艺,7.接触孔的形成,8.局部互连工艺,9.通孔1和钨塞1的形成,10.第一层金属（金属1）互连的形成,通孔2的形成,钨塞2的形成,12.第二层金属互连的形成,13. 制作第三层金属直到制作压点和合金,
