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1、LGA1151与DDR4介绍,LGA1151,英特尔二代14nm工艺制程CPU，命名为Skylake处理器,Skylake将改用最新的LGA1151封装接口，即该处理器的背面触点为1151个.其主要技术特点： 1、英特尔Skylake将集成双内存控制器，包括DDR4 1.2V和1.35V DDR3L（低电压版内存） 2、K系列热设计功耗集显95W 、S系列其他型号中会有84W和35W。主板芯片组命名也更新为100系列。 Z170/ H170 3、 Skylake会全系列引入触摸控制器，从而有利于降低触摸设备的成本，推进普及,LGA1150,LGA1151,CPU对比图,从左依次为1155、11
2、50、1151,英特尔100系列芯片组,Z170（性能级）取代Z97，H170（主流）取代H97，H110（性价比）取代H81，B150（中小型企业级）取代B85。而Q170 Q150芯片组是专为企业高端平台打造的，具有英特尔博锐技术，用于取代Q87 Q85。,Z170专为解锁K系超频系列设计，但也包括了不少技术和扩展支持。有四条双通道DDR3/DDR4内存支持。Z170还支持共14个USB接口，其中10个USB3.0和4个USB 2.0 。至于更强大的USB3.1支持。英特尔Z170芯片组也将支持6个SATA 6Gbps接口和20 条PCI Express通道，Z170主板也将采用三个SAT
3、A ExpressX2接口和四个M.2接口。,DDR4介绍,在DDR4内存上采用了类似于GDDR5的Bank Group设计，从DDR3的8Bit巧妙拆分，将预存取数提升至2个8bit，也就是相当于16bit。另外，采用了全新的点对点总线技术，可以尽可能 多地使用内存位宽资源，并且能够支持更高的内存频率。DDR4起步频率就高达2133MHz，最高则是4266 MHz。 DDR4运行 电压则会进一步降低至1.2V，甚至还可能会有1.1V/1.05V的超低压节能版。就连DDR4-3000以上频率工作电压也仅有1.35V。对比 DDR3，起步电压就达到1.5V，像DDR3-2133及以上高频必须得上
4、1.65V或更高。不仅如此，DDR4内存使用了3DS堆叠封装技术后，单条 内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达 到64GB，甚至128GB。,特点,外形差异,DDR4的针脚数增加到了284个，DDR3是240个，由于内存整体长度不变，所以相邻针脚之间的距离从1.00毫米减到了0.85毫，而每个针脚本身的宽度为0.600.03毫米。 另外一个明显差别是DDR4内存底部金手指不再是直的，而是呈弯曲状。从左侧数，第35针开始边长，到第47针达到最长，然后从第105针开始缩短，到第117针回到最
5、短。 最后是接口位置也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央，这样做的目的就是防止用户差错内存，历代产品升级均如此。,频率和带宽提升巨大,容量和电压差异,DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。 而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。,性能差异,DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽
6、。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70。,DDR4超频内存产品规格 2133 MHz 1.2V 8G 2400 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4) 2666 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4) 2800 MHz 1.2V 16GB(4GBx4),32GB(8GBx4) 3000 MHz 1.35V 16GB(4GBx4) 3200 MHz 1.35V 16GB(4GBx4),DDR4与DDR3内存差异一：处理器,每次内存升级换
7、代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持 2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8 核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。,DDR4与DDR3内存差异二：外型,DDR4内存金手指变的弯曲。早期的都是平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中
8、间 稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确 保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。,DDR4与DDR3内存差异三：参数,DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70。,特点总结： 1：DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2：DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3：DDR4内存容量提升明显，可达12
9、8GB 4：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 5： DDR4的针脚数增加到了284个，DDR3是240个,对比总结,AIDA64内存带宽测试,AIDA64是一个测试软硬件系统信息的工具，32位的底层硬件扫描，使它可以详细的显示出PC硬件每一个方面的信息。,DDR3 1866频率状态的测试成绩,DDR4-2800频率状态的测试成绩,AIDA64内存带宽对比,以上是AIDA64自带内存测试工具的测试情况，我们从测试的数据看出DDR4 2800明显领先内存读取、写入、复制分别为55.565GB/s、54.739GB/s、63.853GB/s遥遥领先于DDR3的表现。 同是四通道DDR3 1866和DDR4 2133的表现在伯仲之间，甚至是DDR3略有领先。,软件测试对比总结,从测试结果来看，DDR4略有领先DDR3内存，但同频下这种优势非常不明显，如果说性能不足以服众的话，价格方面已经是主流的DDR3的性价比不言而 喻，虽然DDR4的频率得到了大幅度提升，但过高的CL值让它的性能表现比DDR3并没有显示出太多优势。同时选择DDR3会让电脑升级费用大大降 低，DDR4对于追求Skylake新平台新技术新体验的用户来说，消费者可以等待进一步降价提升性价比。,
