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1、第二章 半导体三极管与分立元件 放大电路,复习课,1构成,三区 三极 二结 。,一、半导体三极管,2电路符号,NPN PNP,发射极箭头方向位电流实际方向。,3电流关系,IE=IB+IC=（1+）IB ICIB,一、半导体三极管,反向电流 ICEO=(1+) ICBO，由少数载流子形成，随温度变化。,4输出伏安特性,一、半导体三极管,分四区,（1）放大区,Je正偏，Jc反偏 NPN：UCUBUE，PNP：UCUBUE,一、半导体三极管,（2）饱和区,Je正偏，Jc正偏,硅管uBE0.7V， 锗管uBE0.3V,UCE(sat) 0.3V UCE(sat)0.1V,一、半导体三极管,（3）截止区
2、,Je反偏或零偏，Jc反偏,IC0 uCEVCC,（4）击穿区,IC急剧增加，伏安特性曲线上翘，UCE过大。,一、半导体三极管,数据应用： 根据三种工作状态数据，判断工作状态及管子类型。,例：（1）UE=0.7V，UB=1.4V，UC=5V （2）UE=0.5V，UB=0.7V，UC=3V （3）UE=5V，UB=5.7V，UC=5.3V,解：（1）UBE=0.7V，UCE=4.3V，放大状态，该管为NPN硅管 （2）UBE= 0.2V，UCE= 2.5V，放大状态，该管为PNP锗管 （3）UBE=0.7V，UCE=0.3V，饱和状态，该管为NPN硅管,二、放大电路放大的条件,1Je正偏，Jc
3、反偏，使管子处于放大状态。 2信号能输入能输出。 3信号不失真。,三、直流通路、交流通路画法,1直流通路画法： 电容断开，信号源短接，其他不变。 用途：用于静态分析，求静态工作点。,2交流通路画法： 电容短接，直流电源对地短接，其余不变。 用途：用于动态分析，求电路交流参数。,四、BJT简化微变等效模型,be间：等效一电阻,ce间：等效为可控电流源， iCiB,五、基本共射电路,1求Q思路： IB IC UCE,IB（VCCUBE）/Rb VCC/Rb ICIB UCEVCCICRC,五、基本共射电路,2微变等效电路法求Au、Aus、Ri、Ro,六、分压式射极偏置电路,1求Q思路： UBIEU
4、CE,UCEVCCIC ( RC +Re ),六、分压式射极偏置电路,2微变等效电路法求Au、Aus、Ri、Ro,（1）Re被Ce短接,RiRb1Rb2rbe,六、分压式射极偏置电路,（2）Re不被Ce短接,七、放大电路图解法与非线性失真,1图解法求Q步骤,2放大电路非线性失真,七、放大电路图解法与非线性失真,3截顶失真,因输入信号过大引起正、负两个半周均削顶。,调整： （1）减小输入信号幅度； （2）增大放大电路动态输出范围，如增大UCE， 并使Q点处于伏安特性中间位置。,八、共集电路,共集电路又称射极跟随器、射极输出器。,1求Q思路： IB IC UCE,IE=(1+)IB,IC =IB,
5、UCE = VCCIERe,八、共集电路,2微变等效电路法求Au、Ri、Ro,若RS=0，,九、共基电路,共基电路的直流通路与共射分压式工作点稳定电路的直流通路完全相同，静态工作点的求法也相同。,九、共基电路,共基电路的性能指标计算公式如下：,十、场效应管FET,BJT： 多子与少子均参与导电，电流控制电流源，IB控制IC。 FET： 仅多子参与导电，电压控制电流源，UGS控制ID。,十、场效应管FET,1分类,（1）按导电沟道划分 N沟道：电子参与导电，箭头朝里。 P沟道：空穴参与导电，箭头朝外。,（2）按栅极结构划分 绝缘栅型、结型。,（3）按不加偏压有无导电沟道划分 增强型：不加偏压无沟
6、道，UGS=0，UDS0，ID=0 耗尽型：不加偏压有沟道，结型属耗尽型， UGS=0，UDS0，ID0,十、场效应管FET,2. 场效应管放大电路,自偏压电路仅适用于耗尽型管子，分压式自偏压电路适用于所有场效应管电路。,十、场效应管FET,微变等效模型：G、S间开路，D与S间为一电压控制电流源，idgmugs。,十一、多级放大电路,1级间耦合方式,直接、RC、变压器、光电耦合。,2,估算时，后一级的Ri为前一级的RL，前一级的RO为后一级的RS。,3RiRi1,4RoRon,十二、共射放大电路的频率特性,1产生原因：,2幅频特性,十二、共射放大电路的频率特性,3相频特性,共射电路,4通频带BWfHfL,5波特图,纵坐标改为,dB，横坐标改为十倍频的 频率特性称为波特图。,（fL、fH为3dB频率）,十二、共射放大电路的频率特性,6多级放大电路频率特性,多级放大电路Au增大，BW变窄。,7频率失真,因BW不够宽，信号中各种频率成分的Au、发生变化，使信号产生波形失真，统称为频率失真。,频率失真为线性失真。,
