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1、淮海工学院计算机工程学院实验报告书课程名 计算机组成原理 题 目： 存储器实验 班 级： 软件122 学 号： 2012122734 姓 名： 韩莹 评语：成绩： 指导教师： 批阅时间： 年 月 日 存储器实验 实验报告 - 3 -一、实验目的掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。二、实验原理主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，如图2.5.1所示，它的数据总线挂在外部数据总线EXD0EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273（U37）给出，地址值由8个LED灯LAD0LAD7显示，高电平亮，低电平灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关K
2、D0KD7提供，并经一三态门74LS245（U51）连至外部数据总线EXD0EXD7，实验时将外部数据总线EXD0EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0BUSD7，分时给出地址和数据。它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下 ，写信号由W/R 提供，片选信号由CE提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0A7，而高4位A8A12接地，所以其实际使用容量为256字节。6264有四个控制线：CS1 第一片选线、CS2第二片选线、
3、OE读线、WE写线。其功能如表34所示。CS1片选线由CE控制（对应开关CE）、OE读线直接接地、WE写线由W/R控制（对应开关WE）、CS2直接接+5V。图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR拨在左边，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。三、实验电路1、实验接线图 MBUS连BUS2； EXJ1连BUS3； 跳线器J22的T3连TS3； 跳线器J16的SP连H23； 跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左边（手动位置）。2、实验原理图图2.5.1 主存储器单元电路原理图四、实验步骤 连接实验线路，
4、仔细查线无误后接通电源。 形成时钟脉冲信号T3，方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行启动”开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器W1，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号；本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态，每按动一次“启动运行”开关，则T3输出一个正单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。表2.5.1 6264功能表工作方式I/O输入DIDO/OE/WE/CS非选择XHIGH-ZXXH读出HIGH-ZDOLHL写入DIHIGH-ZHLL写入DIHIGH-ZLLL
5、选择XHIGH-ZHHL(3)给存储器的00地址单元中写入数据11，具体操作步骤如下：KD0-D7=00000000数据开关置数SWB=0开输入三态门数据置入地址寄存器SWB=1SWB=1CE=1CE=1SWB=0LDAR=1T3=KD0-D7=00010001开输入三态门数据开关置数SWB=0LDAR=0SWB=0CE=0 LDAR=0T3=WE=1数据置入存储器RAM如果要对其它地址单元写入内容，方法同上，只是输入的地址和内容不同。(4) 读出刚才写入00地址单元的内容，观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下：KD0-D7=00000000数据开关置数SWB=0开输入三态门数据置入地址
6、寄存器SWB=1CE=1CE=1SWB=0LDAR=1T3=SWB=1CE=0 LDAR=0WE=0数据从存储器读出五、实验数据1、根据存储器的读写原理，填写表2.5.2。表2.5.2 存储器的读写信号配合控制信号写地址 写内容 读内容SWB开关1-0 0-1-0 1-0-1LDAR开关1 0 1-0-1CE 开关1 0 1-0 WE开关0 1 02、记录向存储器写入数据的操作过程。按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为00H， 01H，02H，03H，04H的单元分别写入数据：22H，12H，44H，88H，48H。3、写出读出存储器单元内容的操作过程并记录以下地址单元读出的内容。表2.5.3
7、 存储器单元内容读出记录地址内容地址内容0000000000100010000000111000100000000001000100100000010000100100000000010010001004、根据电路图分析向存储器置数和从存储器读数的工作原理。 SWB是开关送总线，用于缓存；LDAR写地址储存器；CE是片选信号；WE是写信号。内部总线数据写入存储器，读存储器中数据至总线。OE（芯片的读信号）端已接地，当CS=0（即控制开关CE=1）、WR=0（即控制开关WE=1）时进行写操作，而当CS=0、WR=1（即控制开关WE=0）时进行读操作（非写即读）。T3为写脉冲，在实验中T3脉冲由单
8、步键（STEP）产生。存储器是计算机的主要部件，用来保存程序与数据。从工作方式上分类，存储器可以分为动态存储器保存信息的时间只有2ms，工作时需要不断更新，既不断刷新数据静态存储器只有不断电，信息是不会丢失的。为简单起见，计算机组成实验用的是容量为2k的静态存储器6116。六、思考题1、存储器的地址是放在哪个芯片中的，为什么在输入地址时，控制开关CE=1、 LDAR=1？动态储存器芯片，关掉存储器的片选（CE=1），打开地址锁存门控信号（LDAR=1），由开关给出要写入的存储单元地址，产生一正向脉冲将地址打入到地址锁存器。当CE=1时，芯片被选中，可进行读/写操作，否则芯片没被选中，不能进行读/写操作。当LDAR=1时，将单元的地址送到地址寄存器中。2、 在读存储器内容时控制信号SWB=1、CE=0、WE=0、LDAR=0的含义是什么？关掉地址锁存器门控信号（LDAR=0），关掉数据开关三态门（SWB=1），关掉储存器的片选（CE=0），使之处于读状态（WE=0），此时数据总线上显示的数据即为存储器当前第之中独处的数据内容。SWB：数据输入开关可用来设置地址或数据。控制信号为逻辑“1”时有效（开关拨向上方），否则无效；CE：当CE=0时，芯片未被选中；WE：当WE=0时，进行读操作；LDAR：当LDAR=0时，将单元的数据读出到数据总线。
