《微机原理与接口技术 基于嵌入式芯片 教学课件 ppt 作者 徐惠民 chap7》由会员分享，可在线阅读，更多相关《微机原理与接口技术 基于嵌入式芯片 教学课件 ppt 作者 徐惠民 chap7（26页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、微机原理与接口 -基于嵌入式芯片,第七章 STR710F芯片 及其存储系统,第一节 STR710F处理器,功能结构:,第一节 STR710F处理器,存储空间分布,第一节 STR710F处理器,STR710FZ2片内64KByte容量的RAM是静态同步RAM，可以采用字节（8 bit）、半字（16 bit）和字（32 bit）三种方式访问，有效地址范围是0x2000 0000 0x2000 FFFF。 STR710FZ2片内的FLASH分为两个BANK，其中BANK0的容量为256K Byte ，BANK1的容量为16K Byte,第一节 STR710F处理器,STR710FZ2共支持4个BAN
2、K的外部存储器，每个BANK的最大存储容量为16M Byte，具体地址分布如表,第一节 STR710F处理器,STR710F只有16根片外数据线D15D0，所以它的EMI接口的数据总线宽度最大为16bit 。 4个BANK中，BANK0的数据总线宽度固定为16bit，而其他3个BANK都可以通过设置相应的寄存器，实现在8bit 或16 bit数据总线宽度之间进行选择。,第一节 STR710F处理器,BANKn配置寄存器Bank n Configuration Register (BCONn) 地址: BCON0: 0x6C00 0000 BCON1: 0x6C00 0004 BCON2: 0x
3、6C00 0008 BCON3: 0x6C00 000C 复位值: BCON0: 0x803Dh BCON1: 0x003Dh BCON2: 0x003Eh BCON3: 0x003Ch,第二节 STR710F的引脚,数据线16位 地址线 24位 片选线-BANK 读写控制线 时钟 中断 JTAG,第三节 电源、复位、时钟,第三节 电源、复位、时钟,第三节 电源、复位、时钟,第三节 电源、复位、时钟,第三节 电源、复位、时钟,第三节 电源、复位、时钟,PRCCU模块的寄存器基地址：0xA000 0000 时钟控制寄存器 Clock Control Register (RCCU_CCR) 地址偏
4、移量（Address Offset）: 0x00 复位值（Reset value）: 0x0000 0000,第三节 电源、复位、时钟,时钟标志寄存器 Clock Flag Register (RCCU_CFR) 地址偏移量（Address Offset）: 0x08 复位值（Reset value）: 0x0000 8408 STANDBY状态下，WAKEUP引脚唤醒复位 0x0000 8208欠压检测电路复位 0x0000 8088 STANDBY状态下，实时钟唤醒复位 0x0000 8048看门狗复位 0x0000 8028软件复位 0x0000 8008硬件复位0x0000 0000,
5、第三节 电源、复位、时钟,时钟标志寄存器 Clock Flag Register (RCCU_CFR) 地址偏移量（Address Offset）: 0x08 复位值（Reset value）:,第三节 电源、复位、时钟,PRCCU模块的寄存器基地址：0xA000 0000 PLL1配置寄存器 PLL1 Configuration Register (RCCU_PLL1CR) 地址偏移量（Address Offset）: 0x18 复位值（Reset value）: 0x0000 0007,第三节 电源、复位、时钟,PRCCU模块的寄存器基地址：0xA000 0000 PLL2控制寄存器 PL
6、L1 Control Register (PCU_PLL2CR) 地址偏移量（Address Offset）: 0x4C 复位值（Reset value）: 0x0033,第三节 电源、复位、时钟,PRCCU模块的寄存器基地址：0xA000 0000 启动配置寄存器 BOOT Configuration Register (PCU_BOOTCR) 地址偏移量（Address Offset）: 0x50 复位值（Reset value）: 0000 00X0 0000 000XX（二进制）,第三节 电源、复位、时钟,PRCCU模块的寄存器基地址：0xA000 0000 电源控制寄存器 Power
7、 Control Register (PCU_PWRCR) 地址偏移量（Address Offset）: 0x54 复位值（Reset value）: 0x0000,第四节 片内外存储器工作原理,STR710FZ2片内64KByte的RAM地址范围是0x2000 0000 0x2000 FFFF； 片内FLASH分为2个BANK BANK0的容量为256KByte，地址范围是 0x4000 0000 0x4003 FFFF， BANK1的容量为16KByte，地址范围是 0x400C 0000 0x400C 3FFF,第四节 片内外存储器工作原理,STR710F的EMI共分为4个BANK，每个
8、BANK的最大存储容量为16M Byte 实验板在BANK0上扩展了一片数据总线宽度为16位、容量为1M 16 bit（等于2M Byte）的NOR FLASH（0x6000 0000 0x601F FFFF），同时又在BANK1上扩展了一片数据总线宽度为16位、容量为 256K 16 bit（等于512K Byte）的SRAM（0x6200 0000 0x6207 FFFF）。,第四节 片内外存储器工作原理,Flash存储器举例: Flash单字写操作 选择操作模式，将寄存器FLASH_CR0中的WPG位（bit 29）置为1； 将目的地址加载到寄存器FLASH_AR，欲写入FLASH的数据
9、加载到到寄存器FLASH_DR0； 将寄存器FLASH_CR0中的WMS位（bit 31）置1，开始单字写入操作。,第四节 片内外存储器工作原理,Flash擦除操作 擦除操作的最小单位是Sector 1. 选择操作模式，将寄存器FLASH_CR0中的SER位（bit 27）置为1； 2. 将欲擦除的Sector在寄存器FLASH_CR1中标识出来； 3. 将寄存器FLASH_CR0中的WMS位（bit 31）置1，开始擦除操作。 STR710F的片内FLASH共有10个Sector（BANK0分为8个，BANK1分为2个），在寄存器FLASH_CR1中设置有10个bit，每个bit对应一个Se
10、ctor。要将某Sector擦除，就在擦除操作的第二步中将该Sector在FLASH_CR1中对应的那个bit置1。,第四节 片内外存储器工作原理,FLASH模块功能寄存器组的基地址是0x4000 0000 FLASH控制寄存器0 Flash Control Register 0 (FLASH_CR0) 地址偏移量（Address Offset）: 0x10 0000 复位值（Reset value）: 0x0000 0000,第四节 片内外存储器工作原理,FLASH控制寄存器0 Flash Control Register 0 (FLASH_CR1) 地址偏移量（Address Offset）: 0x10 0004 复位值（Reset value）: 0x0000 0000,
