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1、电 子 技 术,第1章 半导体器件,1.1 半导体基本知识 1.2 PN结 1.3 二极管 1.4 特殊二极管 1.5 晶体管 1.6 场效应管,1.1 半导体基本知识,半导体之所以能够得到广泛的应用，主要是由于半导体具有以下特性。 1. 热敏特性 2. 光敏特性 3. 掺杂特性,1.1.1 本征半导体 1.1.2 N 型半导体和P型半导体 1. N型半导体 2. P型半导体,1.2 PN结,1.2.1 半导体中载流子的运动 1.2.2 PN结的形成 1.2.3 PN结的单向导电性 1. PN结外加正向电压时处于导通状态 2. PN结外加反向电压时处于截止状态,1.3 二极管,1.3.1 二极
2、管的结构,图1. 8 二极管的几种外形,1.3.2 二极管的伏安特性 1. 正向特性 2. 反向特性 3. 反向击穿特性,图1.10 二极管的伏安特性,1.3.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最高反向工作电压UR 3. 最大反向电流IRM 4. 最高工作频率,1.3.4 二极管的应用 1. 整流电路 2. 检波电路 3. 限幅电路 1.3.5 半导体器件型号命名方法,1.4 特殊二极管,1.4.1 稳压管 1. 稳压管的伏安特性 2. 稳压管的主要参数,图1.17 稳压管的伏安特性和符号,1.4.2 发光二极管 发光二极管（LED）是一种直接将电能转化为光能的器件。 图1.
3、19所示为发光二极管的符号。,图1.19 发光二极管的符号,1.5 晶体管,1.5.1 晶体管的结构与符号,图1.21 几种晶体管的常见外形,图1.22 晶体管的结构与符号,1.5.2 晶体管的电流放大作用,图1.23 晶体管放大电路,图1.24 晶体管的电流分配和放大作用,1.5.3 晶体管的特性曲线 1. 输入特性曲线,图1.25 晶体管的特性曲线实验测试电路,图1.26 晶体管的输入特性曲线,2. 输出特性曲线,图1.27 晶体管的输出特性曲线,1.5.4晶体管的主要参数 1. 电流放大系数 (1)共发射极交流电流放大系数。体现共射极接法时的电流放大作用。 (2)共基极交流电流放大系数。
4、体现共基极接法时的电流放大作用。 ,=,IC,IB,（1-3）,=,IC,IE,（1-4）,和之间的关系是 常用晶体管的约为几十到几百，约为0.950.99。, =,1-,(1-5),=,1+,(1-6),2. 极间饱和电流 （1）集电极-基极反向饱和电流ICBO （2）集电极-发射极穿透电流ICEO,3. 极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM （2）集电极最大允许耗散功率PCM （3）极间反向击穿电压,1.6 场效应管,1.6.1 增强型绝缘栅场效应管 1. 工作直流参数 2. 交流参数 1.6.2 耗尽型绝缘栅场效应管,1.6.3 场效应管的主要参数 1. 直流参数 2. 交流参数 3. 极限参数,1.6.4 场效应管与晶体管的比较 场效应管与晶体管相比，有如下特点。 （1）场效应管是电压控制型器件，而晶体管是电流控制型器件。两种晶体管均可获得较大的电压放大倍数。,（2）场效应管只有多子参与导电；晶体管内即有多子又有少子参与导电，少子数目受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。,（3）场效应管制造工艺简单，便于集成化，适合制造大规模集成电路。 （4）场效应管存放时，各个电极要短接在一起，防止外界静电感应电压过高时击穿绝缘层使其损坏。焊接时电烙铁应有良好的接地线，防止感应电压造成管子的损坏。,
