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1、DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 1 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, In
2、dustrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China 标题 基于基于 PN8366 的的 5V1A 充电器电源应用方案充电器电源应用方案 规格 输入电压：输入电压：90264Vac 输出功率：输出功率：5W 输出特性：输出特性：5V/1.0A 应用范围 充电适配器电源产品 文件编号 DER-8366M-15-P014 编写时间 2015-8-17 编写部门 应用二部 版本号 V2.0 特性概述：特性概述： 单面板设计，双面元器件，尺寸：40.8mm*31mm*15mm(板上高度)； 输入电压：90264Vac； 输出功率：5W(5V1A)； 待机功耗：50mW(26
3、4V) 启动时间：100ms(90V) 拥有输出短路保护，输出过流保护，输出欠压保护(PCB 端 3.1V 以下)，VDD 过压保护，FB 分 压电阻开路短路保护，以及电流检测电阻 Rcs 开短路保护，过温保护； 平均效率：平均效率：115V 和和 230V 输入平均效率输入平均效率(PCB 端端)满足六级能效满足六级能效 73.6,裕量充足裕量充足 DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 2 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C,
4、 Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China 内容目录内容目录 1. 电源介绍.2 2. 电源规格明细.2 3. 电源原理图.3 4. 电路描述.4 5. PCB Layout. .4 6. 元件清单.5 7.
5、 变压器规格6 8. 电源输入输出情况和工作波形 .7 9. 电源 EMS 测试.17 10. 电源 EMI 测试 .20 11. 电源温升测试 .23 12. 附录.24 DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 3 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.C
6、hina 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China 1. 电源介绍电源介绍 该报告提供了一种基于 PN8366 设计输出 5V/1A 的开关电源。 该报告包含了原理图，电源输入输出规格，BOM 表和变压器参数以及安规和 EMI 测试数据等资料。 以下为该电源的实物图片： 2电源规格明细电源规格明细 项目描述 标号 Min Typ MaxUnit 备注 输入 Vin 90 230 264 V 输
7、出 Vo 4.755.0 5.25V Io 1.1 1.3 A CC 点 输出功率 Pout 5 W 待机功耗 Pin 50 mW Io=0A 纹波 120 mV 1.5m 24AWG 线端 输出并 10uF 和 0.1uF DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 4 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Des
8、trict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China 平均效率 75.6 115V,230V PCB 端平均效率 工作环境 Tamb 0 25 45 外部环境 DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 5 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中
9、心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China 3电源原理图电源原理图 N L Note: 具体参数以 BOM 为准 DER-8366M-15-P014
10、 Design Example Report Chipown 页码： 6 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Su
11、zhou, 215123, P.R.China 4 电路描述电路描述 该电路图中R6,R5,R11为反馈分压电阻，通过辅助绕组检测次级的电压，使输出电压维持在5V。 D1，R3 以及 R4，C7 组成 RCD 箝位电路，用于吸收功率 MOS（集成于 PN8366 内部）漏源端尖锋电 压。 PN8366 内置高压启动功能，可以在 200mS 以内完全启动； 当 PN8366 本体温度太高时，其内置的 OTP 保护功能会及时动作，关闭 IC，以保护整个系统，温度下 降之后再自动重启； 电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性； 当反馈脚 FB
12、的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态； 当 CS 脚短路（或 Rcs 短路）时系统会发生保护并进入 Latch 状态，以确保系统不会被损坏； C1，L2，C2 组成 性滤波，以改善 EMI 性能； 5 PCB LAYOUT PCB 为普通单面板工艺，双面元器件，铜厚 1OZ，基材为 FR-4。PCB 长 40.8mm，宽 31mm，厚 1mm。 污染等级符合 CLASS2。 DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 7 / 34 中国无锡新区中国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 1
13、3/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8366M-15-P014 Design Example Report Chipown 页码： 8 / 34 中国无锡新区中
14、国无锡新区 龙山路旺庄科技创业中心龙山路旺庄科技创业中心 C 幢幢 13 层层 13/F, Building C, Wangzhuang Technology Innovation Center, Longshan Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街中国苏州工业园区 林泉街 399 号号 1 号楼号楼 3 楼 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China 6 元件清单元件清单 序号序号 元件标号元件标号 元件名称元件名称 元件型号元件型号 封装尺寸封装尺寸 数量备注数量备注 1 BD1 整流桥 MB6F SMD SOPA-4 1 2 C1 电解电容 4.7uF/400V,Low ESR E/C8.0 1 3 C2 电解电容 4.7uF/400V,Low ESR E/C8.0 1 4 C4 贴片电容 4.7uF/50V SMD1206 1 5 C5 电解电容 470uF/1
