《集成电路制造工艺 教学课件 ppt 作者 林明祥 第15章 ULSI工艺总汇》由会员分享，可在线阅读，更多相关《集成电路制造工艺 教学课件 ppt 作者 林明祥 第15章 ULSI工艺总汇（24页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、集成电路制造工艺,第15章 ULSI工艺总汇,第15章 ULSI工艺总汇,15.1 CMOS集成电路 15.2 双极型集成电路(TTL) 15.2.1 标准双极工艺 15.2.2 自对准双极机构 15.2.3 STTL集成电路 15.3 BiCMOS工艺 15.3.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺 15.3.2 双阱BiCMOS工艺 15.4 砷化镓集成电路 15.4.1 砷化镓集成电路工艺流程 15.4.2 主要工艺参数的选取,15.1 CMOS集成电路,图15-1 不同的CMOS结构 a)P阱 b)N阱 c)孪生阱,15.1 CMOS集成电路,15M2.tif,图15-2 CMO
2、S倒相器 a)倒相器线路图 b)倒相器剖面图,15.1 CMOS集成电路,图15-3 CMOS反相器管芯制造流程图,1.衬底 2. N阱,15.1 CMOS集成电路,3. NMOS有源区 4. PMOS有源区 5.栅氧化 6.多晶硅栅区 7. NMOS源漏区 8. PMOS源漏区 9.退火和驱进源漏区 10.刻蚀引线窗口、溅射铝 11.反刻和钝化,15.1 CMOS集成电路,0.tif,15.1 CMOS集成电路,15M4.tif,图15-4 双阱CMOS集成电路工艺流程示意图 a)第二层连线 b)钝化层,15.2 双极型集成电路(TTL),0.tif,15.2 双极型集成电路(TTL),15
3、M5.tif,图15-5 双极集成电路中晶体管的结构 a)标准埋入集电极(SBC)工艺 b)集电极扩散 隔离(CDI)工艺 c)三重扩散(3D)工艺,15.2.1 标准双极工艺,15M6.tif,图15-6 标准埋层双极晶体管工艺流程示意图 a)埋层注入 b)外延生长 c)PN结隔离 d)深集电极接触形成 e)基区形成 f)发射区形成 g)刻孔、接触、金属化,15.2.1 标准双极工艺,2.埋层制备 3.外延层生长 4.隔离区形成 5.深集电极接触的制备 6.基区形成 7.发射区形成 8.金属接触互练 9.形成互连金属 10.后工序(测试、键合、封装等),15.2.2 自对准双极机构,0.ti
4、f,15M7.tif,图15-7 双多晶硅自对准双极晶体管剖面图,15.2.2 自对准双极机构,15M8.tif,图15-8 双多晶硅自对准NPN双极晶体管生产工艺流程图,15.2.3 STTL集成电路,15.3 BiCMOS工艺,15.3.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺,15M9.tif,图15-9 以N阱CMOS工艺为 基础的BiCMOS基本结构,15M10.tif,15.3.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺,图15-10 有埋层的以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS结构,15.3.2 双阱BiCMOS工艺,0.tif,15.3.2 双阱BiCMOS工艺,15M11
5、.tif,图15-11 双阱BiCMOS工艺流程示意图,15.4 砷化镓集成电路,15M12.tif,图15-12 砷化镓MESFET结构TC制作流程图,15.4.1 砷化镓集成电路工艺流程,1)欧姆接触：光刻形成欧姆接触图形；蒸发或溅射AuGeNi/Au；合金化。 2)注入隔离：光刻形成隔离图形；隔离注入，见图15-12b。 3)栅制作：光刻栅区；凹槽腐蚀；蒸发栅金属铝；见图15-12c。 4)形成第一层金属布线：光刻形成第一层布线；蒸发钛、铂、金。 5)形成介质隔离层：淀积Si3N4作为介质隔离；光刻形成引线接触孔。,15.4.2 主要工艺参数的选取,1.离子注入 2.离子注入退火 3.金属层,
