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1、豆丁文档代下载：http:/ （0.1元/篇）財團法人國家實驗研究院晶片系統設計中心高頻量測系統使用申請表預約日期：申請者：學校單位：連絡電話：E-mail：指導教授：一、使用製程：CIC提供製程(1) UMC 0.18um 1P6M CMOS (2) TSMC 0.13um CMOS (3) TSMC 0.18um 1P6M CMOS(4) TSMC 0.35um 2P4M Mixed-mode (5) TSMC 0.25um 1P5M CMOS (6) TSMC 0.35um 3P3M SiGe BiCMOS (7) GCT 2.0um HBT (8) WIN 0.15um PHEMT非C
2、IC提供製程其他二、量測種類 (勾選量測電路的種類)(1)是否為MEMS電路是不是(2)Passive Device Resistance Capacitance Inductor Varactor 其他(3)Active Device MOSFET BJT PHEMT HBT(4)Circuit LNA PA MixerVCO 其他三、量測項目(可複選)操作頻率6GHz 6G20GHz 20G40GHz 其他高頻S參數系統直流特性(DC I-V) S參數雜訊指數系統放大器雜訊指數混波器雜訊指數RFIC參數系統Amp. Gain Amp. P1dB Amp. IP3 Mixer Convers
3、ion Gain Mixer P1dB Mixer IP3 VCO Phase noise 其他四、量測形式 On wafer Device and circuit measurement PCB measurement On wafer circuit measurement with PCB bias network五、電路的描述：含電路的操作的頻段、消耗功率、電路特性及DC偏壓六、預計量測項目之模擬圖形(CIC將依據模擬範圍完成量測結果)七、Layout圖(須標示RF in、RF out、DC下針位置圖或PCB板連接位置圖)八、其他量測要求(若無則不需填寫)造纸，印染染料请选择 宏浩染
4、料推荐好文档当选：http:/ *指導教授：*一、使用製程：CIC提供製程(1) UMC 0.18um 1P6M CMOS (2) TSMC 0.13um CMOS (3) TSMC 0.18um 1P6M CMOS(4) TSMC 0.35um 2P4M Mixed-mode (5) TSMC 0.25um 1P5M CMOS (6) TSMC 0.35um 3P3M SiGe BiCMOS (7) GCT 2.0um HBT (8) WIN 0.15um PHEMT非CIC提供製程其他二、量測種類 (勾選量測電路的種類)(1)是否為MEMS電路是 不是(2)Passive Device R
5、esistance Capacitance Inductor Varactor 其他(3)Active Device MOSFET BJT PHEMT HBT(4)Circuit LNA PA MixerVCO 其他三、量測項目(可複選)操作頻率6GHz 6G20GHz 20G40GHz 其他100MHz20GHz高頻S參數系統直流特性(DC I-V) S參數雜訊指數系統放大器雜訊指數混波器雜訊指數RFIC參數系統Amp. Gain Amp. P1dB Amp. IP3 Mixer Conversion Gain Mixer P1dB Mixer IP3 VCO Phase noise 其他四
6、、量測形式 On wafer Device and circuit measurement PCB measurement On wafer circuit measurement with PCB bias network五、電路的描述(CIC將依據模擬範圍完成量測結果)量測頻率範圍100MHz20GHz六、預計量測項目之模擬圖形inductor open七、Layout圖(須標示RF in、RF out、DC下針位置圖或PCB板連接位置圖)open inductor八、其他量測要求(若無則不需填寫)要量測兩顆相同的晶片財團法人國家實驗研究院國家晶片系統設計中心高頻量測系統使用申請表【範例2
7、】預約日期：040101申請者：*學校單位：*連絡電話：*E-mail： *指導教授：*一、使用製程：CIC提供製程(1) UMC 0.18um 1P6M CMOS (2) TSMC 0.13um CMOS (3) TSMC 0.18um 1P6M CMOS(4) TSMC 0.35um 2P4M Mixed-mode (5) TSMC 0.25um 1P5M CMOS (6) TSMC 0.35um 3P3M SiGe BiCMOS (7) GCT 2.0um HBT (8) WIN 0.15um PHEMT非CIC提供製程其他二、量測種類 (勾選量測電路的種類)(1)是否為MEMS電路是
8、不是(2)Passive Device Resistance Capacitance Inductor Varactor 其他(3)Active Device MOSFET BJT PHEMT HBT(4)Circuit LNA PA MixerVCO 其他三、量測項目(可複選)操作頻率6GHz 6G20GHz 20G40GHz 其他高頻S參數系統直流特性(DC I-V) S參數雜訊指數系統放大器雜訊指數混波器雜訊指數RFIC參數系統Amp. Gain Amp. P1dB Amp. IP3 Mixer Conversion Gain Mixer P1dB Mixer IP3 VCO Phase
9、 noise 其他四、量測形式 On wafer Device and circuit measurement PCB measurement On wafer circuit measurement with PCB bias network五、電路的描述此電路為5.2GHz低雜訊放大器，需量測量S參數之特性及雜訊指數，測頻率範圍100MHz10GHz，需外接兩組偏壓，電流為6.3mA，總消耗功率為16mW六、預計量測項目之模擬圖形(CIC將依據模擬範圍完成量測結果)VDD = 2.5V七、Layout圖(須標示RF in、RF out、DC下針位置圖或PCB板連接位置圖)PPGRF inV
10、gs=0.8VSGGGSGRF out(1) 在RF輸入端需外接Bias tee，偏壓為0.8V(2) 在VDD端，由電源供應器經過Bias tee提供2.5V電壓(3) 輸出端需外接BLOCK電容八、其他量測要求(若無則不需填寫)無財團法人國家實驗研究院國家晶片系統設計中心高頻量測系統使用申請表【範例3】預約日期：040101申請者：*學校單位：*連絡電話：*E-mail： *指導教授：*一、使用製程：CIC提供製程(1) UMC 0.18um 1P6M CMOS (2) TSMC 0.13um CMOS (3) TSMC 0.18um 1P6M CMOS(4) TSMC 0.35um 2P
11、4M Mixed-mode (5) TSMC 0.25um 1P5M CMOS (6) TSMC 0.35um 3P3M SiGe BiCMOS (7) GCT 2.0um HBT (8) WIN 0.15um PHEMT非CIC提供製程其他二、量測種類 (勾選量測電路的種類)(1)是否為MEMS電路是 不是(2)Passive Device Resistance Capacitance Inductor Varactor 其他(3)Active Device MOSFET BJT PHEMT HBT(4)Circuit LNA PA MixerVCO 其他三、量測項目(可複選)操作頻率6GH
12、z 6G20GHz 20G40GHz 其他高頻S參數系統直流特性(DC I-V) S參數雜訊指數系統放大器雜訊指數混波器雜訊指數RFIC參數系統Amp. Gain Amp. P1dB Amp. IP3 Mixer Conversion Gain Mixer P1dB Mixer IP3 VCO Phase noise 其他四、量測形式 On wafer Device and circuit measurement PCB measurement On wafer circuit measurement with PCB bias network五、電路的描述：含電路的操作的頻段、消耗功率、電路
13、特性及DC偏壓Vdd: 2.5V, I_total: 8mARF: 2.4GHz, LO: 2.3GHz, IF: 100MHz, 此電路於輸入/輸出無DC block電容六、預計量測項目之模擬圖形(CIC將依據模擬範圍完成量測結果)七、Layout圖(須標示RF in、RF out、DC下針位置圖或PCB板連接位置圖)LORFIFDC bias GSGSGGSGSGG S G S GP G P P G P PCBSMACableBond wireComponentDC biaschipSG (LO)balunBias TeeDCBias TeeDCNWA (RF)balunBias TeeDCBias TeeDC50LPF
