《电力电子复习回顾》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电力电子复习回顾（21页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、电力电子复习回顾第二章 电力电子器件一、电力电子器件概论1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（B ）A 全控型器件 B 半控型器件C 不控型器件 D 电压型器件2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( C )A 二极管B 晶闸管C 电力晶体管D 逆导晶闸管二、功率二极管1、功率二极管的封装形式有 螺栓 型和 平板 型， 平板 型的散热效果好。2、ZP400表示 功率二级管的额定电流为400 A。3、常用的功率二极管有三种类型： 普通二极管、 快恢复二极管 、 肖特基
2、二极管 。三、晶闸管（SCR）1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_ 时，才能使其开通。2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )。A.干扰信号 B.触发电压信号C.触发电流信号 D.干扰信号和触发信号3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( ) A. 安全区 B. 不触发区 C. 可靠触发区 D. 可触发区4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( )A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大C.阳极电压过高 D.电阻过大4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极
3、信号( )。A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至_以下。7、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM_UBO。8、晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_。9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是(
4、 )。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSm D. 额定电流11、对于同一个晶闸管，其维持电流IH_擎住电流IL。12、KP100-12表示额定电流 A，额定电压 V的普通型晶闸管。13、晶闸管电流的波形系数定义为( )A.B.C.Kf =IT（AV）ITmD.Kf =IT（AV）-ITm14、在IT(AV)定义条件下的波形系数kf为( )A. B.C. D.2四、门极可关断晶闸管1、门极可关断晶闸管是一种_层半导体结构的三端器件。2、要关断GTO，则需( ) A 在门极加正脉冲信号 B 在门极加负脉冲信号 C 加强迫关断电路 D 加正弦波信号3、GTO的电流关断增益
5、off=( )。A.B.C.D.五、功率晶体管1、功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止2、功率晶体管的二次击穿现象表现为( )A.从高电压小电流向低电压大电流跃变B.从低电压大电流向高电压小电流跃变C.从高电压大电流向低电压小电流跃变D.从低电压小电流向高电压大电流跃变3、功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( )A.4条 B.3 C.5条 D.2条4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路，用来减少晶体管的( ) A. 存储时间 B. du/dt C. di/dt D. 基极电流5、对于功率晶体管的基极驱动电路，
6、驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的( C )A.导通 B.寿命C.关断 D.饱和（六）电力MOSFET管1、电力MOSFET导通时工作在 区。（七）IGBT1、双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（）。A.GTOB.IGBTC.GTR D.SCR 2、IGBT是( )A.电流驱动型元件 B.电压驱动型元件C.半控型元件 D.不控型元件（八）器件共性1、触发电路中的触发信号应具有（ ）A.足够大的触发功率B.足够小的触发功率C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度2、常用的抑制过电压的方法有两种，一是用 元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。二是用_元件限制过电压
7、的幅值。3、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管4、可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管GTRB.IGBTC.功率MOSFET D.晶闸管5、在功率晶体管的主电路中，为了有效地抑制和，则应设置 ( )A.触发电路 B.控制电路C.开关电路D.缓冲保护电路6、对功率晶体管设置_ 电路，可防止过电压和减小功率晶体管两端的du/dt。7、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。8、晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。A
8、电阻B电容C电感D阻容元件9、当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( ) A. R B. L C. C D. RC第二章 整流电路（一）单相半波全控整流电路1、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为_。2、在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为_。3、单相半波可控整流纯电阻负载电路，控制角=_时，负载电流的平均值最大。4、单相半波可控整流电路中，控制角的最大移相范围是_。5、大电感负载，接有续流二极管的单相半波可控变流电路设控制角为，则续流二极管的导通角为( )A.2+ B.2- C、
9、- D.+（二）单相全控桥1、单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角的最大移相范围是（）A 90 B 120 C 150 D 180 2、带电阻性负载的单相全控桥，晶闸管所承受的最大正向电压为( ) A U2 B U2 C U2 D 2U23、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )A. U2 B. U2 C. U2 D. U24、当控制角、交流电源电压和负载相同时，单相全控桥式整流电路的功率因素是单相半波整流电路的功率因素的( ) A. 倍 B. 2倍 C. 1倍 D. 倍5、能在两象限运行的电路为( )（电压为纵坐标，电流为横坐标） A. 单相全控桥式电路 B. 单
10、相半控桥式电路 C. 带续流管的单相全控桥式电路 D. 带续流管的单相半控桥式电路6、单相全控桥能在、_象限中工作。（电压为纵坐标，电流为横坐标）7、单相桥式可控整流电路中，脉冲间隔= ，晶闸管最大导通角 ， 晶闸管承受的最大电压= 。8、单相桥式全控整流电路反电动势负载为使电路可靠工作，控制角必须 停止导电角。9、.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角大于停止导电角时，晶闸管的导通角=( )A.- B.+ C.- D.+- 10、在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U2，反电势为E时，停止导电角= ，若晶闸管不导通时，输出电压应为_ _。（三）三相半波1、三相半波可控整流
11、电路中使用_个晶闸管。2、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A.交流相电压的过零点B. 是相邻相电压正半周的交点R、S、T处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后603、三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角为何值时，输出电流波形会出现零点。（注意是出现一个零点，而不是一段为零的区域）（）A.15B.30C.45D.604、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为U2，当控制角=0时，整流输出电压平均值等于（）A.1.41U2B.2.18U2 C.1.73U2D.1.17U25、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（）A.
12、150B.60C.120 D6、三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角30，每个晶闸管的导通角=_。此电路的移相范围为_。7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角30时，负载电流出现_。晶闸管所承受的最大反向电压为。8、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压为_。9、在大电感性负载三相半波可控整流电路中，输出电流基本是_。（四）三相全控桥1、三相全控桥的共阳极组各器件的导通顺序依次为V12,V14,V16，其中V12对应于_相。2、三相桥式不控整流电路交流侧三相相电压正半周波的三个自然换相点互相间隔（）A 60 B 90 C 120 D 180 3、三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( )A 60B 90 C 120D 1504、三相全
