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1、数字电子技术基础（第五版）教学课件 清华大学 阎石 王红,联系地址：清华大学 自动化系 邮政编码：100084 电子信箱：wang_ 联系电话：(010)62792973,补：半导体基础知识,半导体基础知识（1）,本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 常用：硅Si，锗Ge,两种载流子,半导体基础知识（2）,杂质半导体 N型半导体 多子：自由电子 少子：空穴,半导体基础知识（2）,杂质半导体 P型半导体 多子：空穴 少子：自由电子,半导体基础知识（3）,PN结的形成 空间电荷区（耗尽层） 扩散和漂移,半导体基础知识（4）,PN结的单向导电性 外加正向电压,半导体基础知识（4）,PN结的单向导
2、电性 外加反向电压,半导体基础知识（5）,PN结的伏安特性,正向导通区,反向截止区,反向击穿区,K:波耳兹曼常数 T:热力学温度 q: 电子电荷,第三章 门电路,3.1 概述,门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ,门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0,获得高、低电平的基本原理,高/低电平都允许有一定的变化范围,正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1,3.2半导体二极管门电路 半导体二极管的结构和外特性 （Diode）,二极管的结构： PN结 + 引线 + 封装构成,P,N,3.2.1二极管的开关特性：,高电平：VIH=VCC 低电
3、平：VIL=0,VI=VIH D截止，VO=VOH=VCC VI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V,二极管的开关等效电路：,二极管的动态电流波形：,3.2.2 二极管与门,设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V,规定3V以上为1,0.7V以下为0,3.2.3 二极管或门,设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V,规定2.3V以上为1,0V以下为0,二极管构成的门电路的缺点,电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路,3.3 CMOS门电路 3.3.1MOS管的开关特性,一、MOS管
4、的结构,S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底,金属层,氧化物层,半导体层,PN结,以N沟道增强型为例：,以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层）,开启电压,二、输入特性和输出特性,输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。,漏极特性曲线（分三个区域）,截止区 恒流区 可变电阻区,漏极特性曲线（分
5、三个区域）,截止区：VGS 109,漏极特性曲线（分三个区域）,恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大,漏极特性曲线（分三个区域）,可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。,三、MOS管的基本开关电路,四、等效电路,OFF ，截止状态 ON，导通状态,五、MOS管的四种类型,增强型 耗尽型,大量正离子,导电沟道,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,一、电路结构,二、电压、电流传输特性,三、输入噪声容限,结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限,3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性,一、输入特性,二、输出特性
6、,二、输出特性,3.3.4 CMOS反相器的动态特性,一、传输延迟时间,二、交流噪声容限 三、动态功耗,三、动态功耗,3.3.5 其他类型的CMOS门电路,一、其他逻辑功能的门电路,1. 与非门 2.或非门,带缓冲极的CMOS门,1、与非门,带缓冲极的CMOS门,2.解决方法,二、漏极开路的门电路（OD门）,三、 CMOS传输门及双向模拟开关,1. 传输门,2. 双向模拟开关,四、三态输出门,三态门的用途,双极型三极管的开关特性 （BJT, Bipolar Junction Transistor）,3.5 TTL门电路 3.5.1 半导体三极管的开关特性,一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个
7、引出电极 + 外壳,基区薄 低掺杂,发射区高掺杂,集电区低掺杂,以NPN为例说明工作原理：,当VCC VBB be 结正偏, bc结反偏 e区发射大量的电子 b区薄，只有少量的空穴 bc反偏，大量电子形成IC,二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN）,VON ：开启电压 硅管，0.5 0.7V 锗管，0.2 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定,三极管的输出特性,固定一个IB值，即得一条曲线， 在VCE 0.7V以后，基本为水平直线,特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB
8、成正比变化， iC=iB。 饱和区：条件VCE 0, VCE 很低，iC 随iB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, ce间“断开” 。,三、双极型三极管的基本开关电路,只要参数合理： VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T导通，VO=VOL,工作状态分析：,图解分析法：,四、三极管的开关等效电路,截止状态,饱和导通状态,五、动态开关特性,从二极管已知，PN结存在电容效应。 在饱和与截止两个状态之间转换时，iC的变化将滞后于VI，则VO的变化也滞后于VI。,六 、三极管反相器,三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证
9、 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。,参数合理？ VI=VIL时，T截止，VO=VOH VI=VIH时，T截止，VO=VOL,例3.5.1：计算参数设计是否合理,5V,-8V,3.3K,10K,1K,=20 VCE(sat) = 0.1V,VIH=5V VIL=0V,例3.5.1：计算参数设计是否合理,将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路,当 当 又 因此，参数设计合理,3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设,二、电压传输特性,二、电压传输特性,二、电压传输特性,需要说明的几个问题：,三、输入噪声容限,3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性,例
10、：扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。,输入,输出,3.5.4 TTL反相器的动态特性,一、传输延迟时间 1、现象,二、交流噪声容限,（b）负脉冲噪声容限,（a）正脉冲噪声容限,当输入信号为窄脉冲，且接近于tpd时，输出变化跟不上，变化很小，因此交流噪声容限远大于直流噪声容限。,三、电源的动态尖峰电流,2、动态尖峰电流,3.5.5其他类型的TTL门电路,一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门,2. 或非门,3.与或非门,4. 异或门,二、集电极开路的门电路,1、推拉式输出电路结构的局限性 输出电平不可调 负载能力不强，尤其是高电平输出 输出端不能并联使用 O
11、C门,2、OC门的结构特点,OC门实现的线与,3、外接负载电阻RL的计算,3、外接负载电阻RL的计算,3、外接负载电阻RL的计算,三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS）,三态门的用途,一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 电路的改进 (1)输出级采用复合管（减小输出电阻Ro） (2)减少各电阻值 2. 性能特点 速度提高 的同时功耗也增加,2.4.5 TTL电路的改进系列 （改进指标： ),二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL）,电路改进 采用抗饱和三极管 用有源泄放电路代替74H系列中的R3 减小电阻值 2. 性能特
12、点 速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大,三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL） 2.5 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路 ,三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL） 2.5 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路 ,
