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1、 模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 模拟电子技术试题汇编 - 1 - 第一章第一章 半导体器件半导体器件 一、填空题一、填空题 1、本征硅中若掺入 5 价元素的原子，则多数载流子应是 电子 电子 ，少数载 流子应是 空穴空穴 。 2、 在 N 型半导体中，电子浓度 大于大于 空穴浓度，而在 P 型半导体中，电 子浓度 小于 小于 空穴浓度。 3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 宽 。 4、 双极型三极管输出特性的三个区域分别是_饱和饱和_区、 _放大_放大_ 区、_截止_截止_区。 5、场效
2、应管分为两大类：一类称为_结型场效应管结型场效应管_，另一类称为_ 绝缘栅场效应管_绝缘栅场效应管_。 6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接 N 区，电源的负极接 P 区,这种接法称 为_反向接法_反向接法_或_反向偏置_反向偏置_。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 单向导电性 _，在电路中可以起_整整 流_流_和_检波_检波_等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为_NPN_NPN_型和_PNP_PNP_型两种，它们 的符号分别为_和_。 9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散扩散 运动和少数载 流子的_漂移_漂移_运动。 10、 硅二极管的死区电压约为_
3、0.5_0.5_V， 锗二极管的死区电压约为_0.10.1_V。 11、晶体管穿透电流 CEO I是反向饱 和电流 CBO I的_1+_1+_倍，在选用晶 体管的时候，一般希望 CBO I尽量_小_小_。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是_跨导_跨导_ m g _。 13、PN 结具有_单向导电单向导电_特性。 14、双极型三极管有两个 PN 结，分别是_集电结_集电结_和_发射结发射结_。 模拟电子技术试题汇编 - 2 - 15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_正向_正向_偏置，集电 路_反向_反向_偏置。 16、 场效应管是_电压_电压_控制型元件， 而双极型三极管是_电流_
4、电流_ 控制型元件。 17、本征硅中若掺入 3 价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 空穴 ，少数载 流子应是 电子 电子 。 18、P 型半导体的多数载流子是 空穴空穴 ，少数载流子是 电子 电子 。 19、PN 结外加正向电压，即电源的正极接 P 区，电源的负极接 N 区,这种接法称 为 正向接法 正向接法 或_正向偏置正向偏置_。 20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极集电极_、_发射发射 极极_和_基极基极_。 21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正_正_ 向电压；（2）集电结外加_反_反_向电压。 22、N 型半导体可用_正_正_离子和等量
5、的_负电子_负电子_来简化表 示。 23、PN 结正向偏置时，空间电荷区将变_窄_窄_。 24、二极管的两个电极分别称为_阳_阳_极和_阴_阴_极，二极管的符号是 _。 25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_左_左_移，输出特性曲线会 上 上 _移，而且输出特性曲线之间的间隔将_增大增大_。 26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是_温度_温度_。 27、P 型半导体可用_负_负_离子和等量的_空穴_空穴_来简化表示。 28、主要半导体材料是_硅_硅_和_锗_锗_；两种载流子是_空穴_空穴_和_ 电子_电子_；两种杂质半导体是_P 型_P 型_和_N 型_N 型_。 29、二极管外加
6、正 正 向电压导通，外加 反 反 向电压截止。 30、当温度升高时，三极管的参数会 变大 变大 _，CBOI会 增加 增加 _，导通电压会 变小 变小 _ 。 模拟电子技术试题汇编 - 3 - 31、 双极型三极管有两种载流子导电， 即_多数载流子多数载流子_和_少数载流少数载流 子_子_导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即_多数载流子多数载流子 _导电。 32、N 型半导体的多数载流子是 电子 电子 ，少数载流子是_空穴_空穴_。 33、某晶体管的极限参数mWPCM150，mAICM100，VU CEOBR 30 )( 。若它的 工作电压VUCE10， 则工作电流不得超过_15_15_
7、mA； 若工作电压VUCE1， 则工作电流不得超过_100_100_mA；若工作电流mAIC1，则工作电压不得超 过_30_30_V。 34、 放大电路中， 已知三极管三个电极的对地电位为 A V=9V， B V=6.2V， C V =6V， 则该三极管是_PNP_型三极管，A为_集电集电_极， B为_基基_极，C为_发射发射_极。 35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_。 36、场效应管输出特性的三个区域分别是_恒流恒流_区、_可变电阻可变电阻 _区、_夹断夹断_区。 37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_本征半导体本征半导体_。 38、 场效应管与晶体管比较， 场效应场效应 管的热
8、稳定好， 输入电阻高， 晶 体 晶 体 管的放大能力强。 39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_发射区发射区_、_基区基区 _和_集电区集电区_。 二、选择题二、选择题 1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏 导通状态。 A0 B死区电压 C反向击穿电压 D正向压降 2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。 A少子 B多子 C杂质离子 D空穴 模拟电子技术试题汇编 - 4 - 3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ）， 若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结 均正向偏置，则它的工作状态是（
9、 C ）。 A截止 B放大 C饱和 D损毁 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。 A前者反偏、后者也反偏 B前者正偏、后者反偏 C前者正偏、后者也正偏 D前者反偏、后者也正偏 5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电, 而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。 A多子 B少子 C自由电子 D.空穴 6、 当NPN型晶体管工作在放大区时， 各极电位关系为 C U（A ） B U（A ） E U。 A B 1 B1+AF=0 C1+AF0。 （1）分别写出 O U和 1O U的表达式。 （2）指出该电路是何种运算电路。 A Uo Ui2
10、 Ui1 X y K Uo1 x u y u 解：解：（1）：u01=Kuiuo=u-=u+=ui2 uo=ui2/Kui1 uo=ui2/Kui1 (2)除法运算电路(2)除法运算电路 7.电路如下图所示，A为理想运放， 电阻R1=R2=5k, R3=R4=10k试回答： 模拟电子技术试题汇编 - 6 - （1）这是一个什么电路， o U与 1i U、 2i U有何种关系？ （2）若电阻 1 R脱焊，输出与输入的关系式是什么？ （3）若电阻 2 R脱焊，输出与输入的关系式是什么？ （4）若电阻 3 R脱焊，输出与输入的关系式是什么？ （5）若电阻 1 R和 3 R脱焊，输出与输入的关系式是什
11、么？ 解：（解：（1）：减法（差分比例）运算电路）：减法（差分比例）运算电路 Uo=R4/R1(Ui2-Ui1)=2(Ui2-Ui1) (2)Uo=U-=U+=R3/(R2+R3)Ui2=10/(5+10)Ui =2/3Ui2 (3)U0=-R4/R11Ui1=-2Ui1 (4)Ui2=U+=U- (Ui1-Ui2)/R1=(Ui2-Uo)/R4 Uo=(1+R4/R1)Ui2- R4/R11Ui1=3Ui2-2Ui1 (5)Uo=U-=U+=Ui2 模拟电子技术试题汇编 - 1 - 第八章第八章 信号处理电路信号处理电路 一、填空题一、填空题 1 滤波器按其通过信号频率范围的不同， 可以分为
12、_低通低通_滤波器、 _高通_滤波器、_带通_滤波器、_带阻_ 滤波器和全通 滤波器。 2、希望抑制 50100Hz 信号的干扰，应采用_带阻_滤波器，有用信 号频率低于 500Hz，应采用_低通_滤波器。 3无源滤波电路主要由_电感_、_电容_等储能元件组成。 4、有源滤波器如下图所示，电路的传递函数 S A = o i US US =_ f jf 0 1 1 _ f 0 RC2 1 _，该滤波器的类型是_低通滤 波器_。 5、有用信号频率为 38MHz，应采用_带通_滤波器，有用信号低于 500Hz，应采用_低通_滤波器。 6、单限电压比较器和滞回比较器相比，_滞回_比较器的抗干扰能力较强
13、， _滞回_比较器中引入了正反馈。 7、电压比较器输入量、输出量分别为_连续模拟_量和_数字 （或0）_量。 模拟电子技术试题汇编 - 2 - 二、选择题二、选择题 1已知输入信号的频率为 40Hz 10kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 滤波电路 。（ C ）。 A带阻 B低通 C带通 D带阻 2、要求在有效信号中抑制 50Hz 的工频干扰，应选用（ D ） A低通滤波器 B高通滤波器 C带通滤波器 D带阻滤波器 3、为了获得某一频率为中心的频率信号，应选用（ D ）进行选频滤波。 A低通滤波器 B高通滤波器 C带阻滤波器 D带通滤波器 三三 判断题：判断题： 1.有源滤波器和电压比较器都是工作在非线性区（ ） 2、各种滤波电路通带放大倍数的数值均须大于 1（ ） 四四 分析题分析题 1、根据图示电路画出电压 o u 波形。（画在图
