《2015-2016学年高中物理 第三章 磁场测评b 新人教版选修3-1》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2015-2016学年高中物理 第三章 磁场测评b 新人教版选修3-1（9页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、【优化设计】2015-2016学年高中物理 第三章 磁场测评B 新人教版选修3-1 (高考体验卷)一、选择题(本题共8小题,每小题6分,共48分。其中第14题为单选题;第58题为多选题,全部选对得6分,选不全得3分,有选错或不答的得0分)1.(2014课标全国)关于通电直导线在匀强磁场中所受的安培力,下列说法正确的是()A.安培力的方向可以不垂直于直导线B.安培力的方向总是垂直于磁场的方向C.安培力的大小与通电直导线和磁场方向的夹角无关D.将直导线从中点折成直角,安培力的大小一定变为原来的一半解析:根据左手定则可知,安培力的方向既与磁场方向垂直,又与电流(或直导线)方向垂直,A项错误,B项正确
2、。由安培力的大小F=BILsin 可知,C项错误。将直导线从中点折成直角,有效长度不一定为原来的,D项错误。答案:B2.(2014课标全国)如图,MN为铝质薄平板,铝板上方和下方分别有垂直于图平面的匀强磁场(未画出)。一带电粒子从紧贴铝板上表面的P点垂直于铝板向上射出,从Q点穿越铝板后到达PQ的中点O。已知粒子穿越铝板时,其动能损失一半,速度方向和电荷量不变,不计重力。铝板上方和下方的磁感应强度大小之比为()A.2B.C.1D.解析:设铝板上方和下方的磁感应强度为B1和B2,由题意可知,粒子在铝板上方与下方的运动半径和动能之比分别为r1r2=21,Ek1Ek2=21,又r=,Ek=mv2,可得
3、B=,故B1B2=2,D项正确。答案:D3.(2013课标全国)如图,半径为R的圆是一圆柱形匀强磁场区域的横截面(纸面),磁感应强度大小为B,方向垂直于纸面向外。一电荷量为q(q0)、质量为m的粒子沿平行于直径ab的方向射入磁场区域,射入点与ab的距离为。已知粒子射出磁场与射入磁场时运动方向间的夹角为60,则粒子的速率为(不计重力)()A.B.C.D.解析:作出粒子在圆柱形匀强磁场区域的运动轨迹如图,连接MN,根据粒子射出磁场时的速度方向与初速度方向间的夹角为60,及MP=,得出各角的大小如图所示,粒子的出射点必与磁场圆的圆心等高,四边形OMON为菱形,粒子做圆周运动的半径r=R,根据qvB=
4、,得v=。答案:B4.(2014安徽理综)“人造小太阳”托卡马克装置使用强磁场约束高温等离子体,使其中的带电粒子被尽可能限制在装置内部,而不与装置器壁碰撞。已知等离子体中带电粒子的平均动能与等离子体的温度T成正比,为约束更高温度的等离子体,则需要更强的磁场,以使带电粒子在磁场中的运动半径不变。由此可判断所需的磁感应强度B正比于()A.B.TC.D.T2解析:带电粒子在磁场中运动半径r=,得B=;又Ek=mv2T(T为热力学温度),得v。由得B。即在被束缚离子种类及运动半径不变的条件下,所需磁感应强度B与成正比。故选项A正确。答案:A5.(2013课标全国)在物理学发展过程中,观测、实验、假说和
5、逻辑推理等方法都起到了重要作用。下列叙述符合史实的是()A.奥斯特在实验中观察到电流的磁效应,该效应揭示了电和磁之间存在联系B.安培根据通电螺线管的磁场和条形磁铁的磁场的相似性,提出了分子电流假说C.法拉第在实验中观察到,在通有恒定电流的静止导线附近的固定导线圈中,会出现感应电流D.楞次在分析了许多实验事实后提出,感应电流应具有这样的方向,即感应电流的磁场总要阻碍引起感应电流的磁通量的变化解析:电流能产生磁场,说明电和磁之间存在联系,A项正确;为解释磁现象的电本质,安培根据螺线管和条形磁铁的磁场的相似性,提出了分子电流假说,B项正确;恒定电流附近的固定导线框,不会产生感应电流,C项错误;楞次通
6、过实验,得出了楞次定律,D项正确。答案:ABD6.(2014江苏单科)如图所示,导电物质为电子的霍尔元件位于两串联线圈之间,线圈中电流为I,线圈间产生匀强磁场,磁感应强度大小B与I成正比,方向垂直于霍尔元件的两侧面,此时通过霍尔元件的电流为IH,与其前后表面相连的电压表测出的霍尔电压UH满足UH=k,式中k为霍尔系数,d为霍尔元件两侧面间的距离,电阻R远大于RL,霍尔元件的电阻可以忽略,则()A.霍尔元件前表面的电势低于后表面B.若电源的正负极对调,电压表将反偏C.IH与I成正比D.电压表的示数与RL消耗的电功率成正比解析:由左手定则可判断霍尔元件中电子的受力方向向里,电子向元件的后表面聚集,
7、故霍尔元件的前表面电势高于后表面,选项A错误;电源的正、负极对调时,线圈中及霍尔元件中电流方向均反向,电子的受力方向不变,仍是前表面电势高于后表面,故电压表不会反偏,选项B错误;由并联电路电流分配特点可知,IH=I,IL=I,有IHI,ILI,选项C正确;因BI,IHI,所以UHI2,又RL消耗的电功率P=RL,即PI2,所以UHP,选项D正确。答案:CD7.(2014课标全国)如图为某磁谱仪部分构件的示意图。图中,永磁铁提供匀强磁场,硅微条径迹探测器可以探测粒子在其中运动的轨迹。宇宙射线中有大量的电子、正电子和质子。当这些粒子从上部垂直进入磁场时,下列说法正确的是()A.电子与正电子的偏转方
8、向一定不同B.电子与正电子在磁场中运动轨迹的半径一定相同C.仅依据粒子运动轨迹无法判断该粒子是质子还是正电子D.粒子的动能越大,它在磁场中运动轨迹的半径越小解析:由左手定则知,电子与正电子的偏转方向一定不同,选项A正确;电子与正电子的速度大小关系不确定,故无法比较它们运动的半径大小关系,选项B错误;质子与正电子的速度大小关系不确定,无法比较它们运动的半径大小关系,因此仅依据运动轨迹无法判断粒子是质子还是正电子,选项C正确;由r=可知,粒子的动能越大,其速度也越大,运动轨迹的半径越大,选项D错误。答案:AC8.(2014浙江理综)如图1所示,两根光滑平行导轨水平放置,间距为L,其间有竖直向下的匀
9、强磁场,磁感应强度为B。垂直于导轨水平对称放置一根均匀金属棒。从t=0时刻起,棒上有如图2所示的持续交变电流I,周期为T,最大值为Im,图1中I所示方向为电流正方向。则金属棒()A.一直向右移动B.速度随时间周期性变化C.受到的安培力随时间周期性变化D.受到的安培力在一个周期内做正功解析:在0时间内,由左手定则可知,金属棒所受安培力方向向右,金属棒向右加速,在T时间内,金属棒所受安培力方向向左,金属棒向右减速,t=T时,速度恰好减为零,以后又周期性重复上述运动,可知金属棒一直向右移动,其速度随时间周期性变化,受到的安培力随时间周期性变化,选项A、B、C正确;安培力在一个周期内对金属棒先做正功,
10、后做负功,由动能定理可知安培力在一个周期内做的总功为零,选项D错误。答案:ABC二、实验题(本题共2小题,共18分。把答案填在题中的横线上)9.(8分)(2013上海单科)演示地磁场存在的实验装置(由环形线圈,微电流传感器,DIS等组成)如图所示。首先将线圈竖直放置,以竖直方向为轴转动,屏幕上的电流指针(选填“有”或“无”)偏转;然后仍将线圈竖直放置,使其平面与东西向平行,并从东向西移动,电流指针(选填“有”或“无”)偏转;最后将线圈水平放置,使其从东向西移动,电流指针(选填“有”或“无”)偏转。解析:线圈竖直放置,以竖直方向为轴转动时,穿过线圈的磁通量发生变化,会产生感应电流,屏幕上的电流指
11、针有偏转;线圈竖直放置和水平放置,从东向西移动时,穿过线圈的磁通量不发生变化,不会产生感应电流,屏幕上的电流指针没有偏转。答案:有无无10.(10分)(2013山东理综)霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图甲所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=k,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。甲(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图丙所示,该同学用电压表测量UH时,应将电
12、压表的“+”接线柱与(选填“M”或“N”)端通过导线相连。(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度B=0.10 T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示。I(10-3A)3.06.09.012.015.018.0UH(10-3V)1.11.93.44.56.26.8根据表中数据画出UH-I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为10-3 VmA-1T-1(保留2位有效数字)。(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图乙所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内
13、为半导体薄片(未画出)。为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向(选填“a”或“b”),S2掷向(选填“c”或“d”)。为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其他连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件和(填器件代号)之间。乙解析:(1)由左手定则知,空穴受到的洛伦兹力方向左,半导体薄片的左侧出现正电荷,因此电压表的“+”接线柱与M端通过导线相连。(2)UH-I图线如图所示,由图象可知,图线的斜率表示k=250k,即=250k,解得k=1.510-3 VmA-1T-1。(3)当S1掷向a,S2掷向c时,电流从Q端流入,P端流出。定值电阻应串联在S1
14、和E或S2和E之间。答案:(1)M(2)见解析图1.5(1.4或1.6)(3)bcS1E(或S2,E)三、解答题(本题共3小题,共34分。解答应写出必要的文字说明。方程式和重要的演算步骤,有数值计算的题,答案中必须明确写出数值和单位)11.(10分)(2014广东理综)如图所示,足够大的平行挡板A1、A2竖直放置,间距6L。两板间存在两个方向相反的匀强磁场区域和,以水平面MN为理想分界面,区的磁感应强度为B0,方向垂直纸面向外,A1、A2上各有位置正对的小孔S1、S2,两孔与分界面MN的距离均为L,质量为m,电荷量为+q的粒子经宽度为d的匀强电场由静止加速后,沿水平方向从S1进入区,并直接偏转
15、到MN上的P点,再进入区。P点与A1板的距离是L的k倍。不计重力,碰到挡板的粒子不予考虑。(1)若k=1,求匀强电场的电场强度E;(2)若2k3,且粒子沿水平方向从S2射出,求出粒子在磁场中的速度大小v与k的关系式和区的磁感应强度B与k的关系式。解析:(1)当k=1时,设粒子在区中做圆周运动的轨道半径为r0,在磁场中的速度大小为v0。由几何关系得r0=L洛伦兹力提供向心力qv0B0=由动能定理qEd=-0联立得E=。(2)当2k3时,粒子在磁场区域中必须有且只有1个圆弧轨迹,才能保证粒子从S2出射。设、空间的圆弧轨迹半径分别为r和R,如图。在区中,洛伦兹力提供向心力qvB0=由几何关系得r2=(kL)2+(r-L)2联立得v=L(2k3)在区中,洛伦兹力提供向心力qvB=由几何关系得联立得B=B0(2k3)。答案:(1)(2)v=B=12.(12分)(2014
