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第12章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管： 概念的深入,12.1 非理想效应,12.1.1 亚域值电导,12.1.2 沟道长度调制效应,12.1.3 迁移率变化,12.1.4 速度饱和,12.1.4 弹道输运,长沟器件：,短沟器件：,弹道输运，统计规律不再适用,高速器件,12.2 MOSFET按比例缩小理论,12.2.1 恒定电场按比例缩小,12.2.2 阈值电压-一级近似,12.2.3 全部按比例缩小理论,12.3 阈值电压的修正,12.3.1 短沟道效应,12.3.2 窄沟道效应,12.4 附加电学特性,12.4.1 击穿电压,栅氧化层击穿,沟道雪崩击穿,寄生晶体管击穿,源漏穿通效应,12.4.3 通过离子注入进行阈值调整,离子注入工艺：被注入的杂质原子首先被离化，通过电场加速 获得高能量(25-200keV)。离子的穿透深度通常小于1um，离子 注入时，晶体严重损伤，必须用退火工艺修复损伤。 低剂量：调节器件特性 高剂量：形成欧姆接触,12.4.3 通过离子注入进行阈值调整,最大空间电荷宽度：,E 12.7,12.37,
