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1、电子技术,数字电路部分,第七章 存储器,7.1 概述,7.2 只读存储器( ROM ),7.3 随机存储器( RAM ),7.4 存储器容量的扩展,学习要点 只读存储器、随机存储器基本概念、性能指标 存储器容量扩展的方法,第七章 半导体存储器,7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式,！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限,二、分类 1、从存/取功能分： 只读存储器 (Read-Only-Memory） 随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： 双极型 MOS型,7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构,二、举例,D0 Dm,两个概念：
2、存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”,掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性,7.2.2 可编程ROM（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,7.2.2 可编程ROM（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,写入时，要使用编程器,7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM,二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同,三、快闪存储
3、器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）,1、ROM 的主要技术指标是存储容量。 它一般用 存储字数：2N 输出位数：M 来表示( 其中N为存储器的地址线数 )。例如：1024 8，4K 8 等。 2、从存/取功能分为： 只读存储器（ROM） 随机读/写存储器（RAM）,1、某台计算机的内存储器设置有10位的地址线，16位并行数据输入/输出端，它的最大存储量是多少？,举例,2、某存储量为4K 8的ROM，共有 位的地址线，有 位并行数据线，它的十六进制寻址范围是 。,总结,7.3 随机存储器RAM,7.3.1 静态随机存储器（SRA
4、M） 一、结构与工作原理,二、SRAM的存储单元,六管N沟道增强型MOS管,7.4 存储器容量的扩展,7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可,例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM,7.4.2 字扩展方式,适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时,例：用四片256 x 8位1024 x 8位 RAM,本章重点,课程内容 只读存储器；随机存储器；存储器容量的扩展 学习重点 只读存储器、随机存储器的概念、功能、性能指标 存储器容量扩展的方法,本课程总结,第一章：逻辑代数基础（10%左右）,重点：数制与
5、编码 、逻辑函数的化简。,第二章（15%左右）,半导体导电机理的特点:热敏性、光敏性、掺杂性,杂质半导体,PN结具有单向导电性,二极管的伏安特性曲线,二极管的开关特性,三极管输入输出特性曲线,放大区. 饱和区. 截止区,开关特性,TTL电路与CMOS电路的结构与外部电气特性,第三章：组合逻辑电路（30%左右）,任何时刻的输出仅决定于当时的输入，而与电路原来的状态无关。它由基本门构成，不含存贮电路和记忆元件，且无反馈线。,根据已经给定的逻辑电路，描述其逻辑功能。,（）组合电路,（）组合电路的分析,用加法器、译码器、编码器和数据选择器等设计特定电路。,根据设计要求构成功能正确、经济、可靠的电路。,
6、（）组合电路的设计,（）常用的中规模组合逻辑模块,第四章：触发器(10%左右),（1）触发器的概念,（2）RS、JK、D、T触发器的逻辑功能及其动作特点。,第五章：时序逻辑电路(20%左右),时序电路由记忆电路和组合电路两部分组成，具有存储功能。,同步时序电路的分析,同步时序电路的设计,任意进制计数器的构成方法,第六章：脉冲波形的产生和整形(10%左右),1、555集成定时器的电路组成、工作原理和基本功能。 2、555定时器构成的施密特触发器，单稳态触发器输入电压 uI与输出电压uO之间的关系，多谐振荡器振荡周期、占空比的估算方法。电路中定时元件RC的作用。,第七章：半导体存储器（5%左右）,只读存储器、随机存储器的概念、功能、性能指标 存储器容量扩展的方法,
