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1、*大学教师授课教案（教学要求等）课程名称：模拟电子技术课程性质：必修授课教师教师职称授课对象：自动化与电子工程学院信息科学技术学院绪 论（1 学时）一、教学目的介绍模拟电子技术课程特点，学习目的，教学内容，学习方法。激励学生学习该门课的学习热情。二、教学内容1通过丰富的图片和动画，介绍电子技术在现代工业、农业、国防和科学技术领域中的重要作用。2. 介绍课程特点和应用方向。3. 介绍学习方法 课堂听课和笔记。 作业。 实验要求：实验室纪律、爱护仪器设备、预习、数据记录、结果分析、实验报告。三、教学方法多媒体课件四、外语词汇Fundamentals of Analog Electronics 模拟
2、电子技术基础第一章 常用半导体器件一、教学目的与要求使学生了解半导体材料的原理、特性及分析方法，掌握二极管、三极管、场效应管和集成电路的结构、工作原理、主要特性和使用方法，二、讲课内容主线本征半导体的共价键、自由电子和空穴本征半导体中扩散杂质形成 N 型半导体和 P 型半导体杂质半导体实现了半导体导电性的可控性两种杂质半导体制作在一起就形成 PN 结PN 结具有单向导电性，用伏安特性描述将 PN 结封装、引线构成二极管二极管的伏安特性及主要指标参数一个 PN 结还可构成其它二极管：稳压二极管、发光二极管两个 PN 结构成晶体管，它有三个区和三个极晶体管在 UBEUon且 UCEU BE时能够放
3、大，输入回路电流控制输出回路电流，即 iC=i B(在放大状态下载流子的运动和三个极电流的分配)晶体管的输入特性和输出特性、主要参数、三个工作区域输入回路电流近似为零，利用输入回路的电压控制输出回路的电流的器件：场效应管结型、绝缘栅型场效应管的工作原理、转移特性输出特性、主要参数利用一个 PN 结还可构成单结晶体管利用三个 PN 结还可构成晶闸管集成电路中元件的特点三、本章的重点和难点半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理是学习的难点，但并不是学习的重点。本章的重点是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。因此，讲
4、述管子的内部结构和载流子的运动的目的是为了更好地理解管子的外特性，应引导学生不要将注意力过多放在管子内部，而以能理解外特性为度。四、讲课要点1为什么采用半导体材料制作电子器件。2纯净的晶体结构的半导体称为本征半导体，本征半导体中有两种载流子导电，且其导电性与温度有关。3在本征半导体中利用扩散的方法掺人杂质就形成 N 型半导体和 P 型半导体，它们导电性的强弱与掺人杂质的多少成正比，实现了导电性的可控性。4将 N 型半导体和 P 型半导体制作在一起就形成 PN 结， PN 结具有单向导电性，用伏安特性描述。5二极管由一个 PN 结封装而成，二极管的电流方程、伏安特性及主要参数。6由于 PN 结中
5、的载流子数目与环境温度有关，因而二极管的伏安特性与温度有关；二极管对温度的敏感性造成其温度稳定性较差，但可用其作为热敏元件。由于 PN 结有电容效应，所以二极管存在最高工作频率。7稳压二极管和发光二极管的特点。8晶体管有发射结、集电结两个 PN 结，发射区、基区、集电区三个区域，发射极、基极、集电极三个极；u BEUon且 uCEu BE时工作在放大状态，此时 iC=i B 。9晶体管的输入特性、输出特性、主要参数和三个工作区域，放大电路中晶体管应工作在放大区。10场效应管的主要特点，结型、绝缘栅型场效应管的工作原理、转移特性、输出特性、主要参数和三个工作区域。五、知识的扩展利用 PN 结还可
6、构成其它半导体器件，本章介绍了光电二极管(由一个 PN 结构成)、光电三极管(由两个 PN 结构成)、单结晶体管(由一个 PN 结构成)和晶闸管(由三个 PN 结构成)的工作原理和主要用途。在理解二极管、晶体管和场效应管的基础上，学生可以通过自学了解上述器件。此外，本章还简单介绍了集成电路中各元件的特点，从中可体会为什么集成电路可采用复杂电路形式。六、主要外语词汇Semiconductors 半导体；intrinsic Semiconductors 本征半导体；doping 掺杂；covalent bond 共价键；carrier 载流子；semiconductors diodes 半导体二极
7、管；bipolar junction transistors 晶体管（双极型管）；saturation region 饱和区；field effect transistor 场效应管；thyristor 晶闸管；metal-oxide-semiconductor field effect transistor 金属-氧化物-半导体-场效应管七、辅助教学采用自制多媒体课件八、复习思考题1. 自测题全部2. 习题1.1；1.2（课堂练习，教师讲）；1.4；1.6；1.7；1.8；1.14；1.15；1.22；1.24九、参考资料1. 电子技术基础（模拟部分） 华中理工大学 康华光2. 模拟电子技术教师手册 清华大学 华成英3. 电路 邱关源4. Adel S.Sedra and Kenneth.Smith: Microelectronic Circuits Oxford University Press.Inc
