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1、多晶硅生产1、多晶硅薄膜制备工艺研究多晶硅薄膜集晶体硅和非晶硅材料优点于一身,克服了光致衰退,与现有的太阳能电池研究生产技术具有兼容性,有可能成为制作太阳能电池的廉价优质材料。 等离子体辅助化学气相沉积方法(PECVD)是制备薄膜材料的几种方法中技术最为成熟、操作较为简单的一种,并且可以制备均匀性高的大面积薄膜。但是采用 PECVD 方法沉积多晶硅薄膜仍面临着两大难题:一是薄膜的晶化率有待提高;二是薄膜的生长速率也有待提高。薄膜的晶化率决定电池的性能,生长速率决定其成本,因此高速制备优质薄膜是制作太阳能电池的关键。为解决这些问题,目前研究人员多致力于沉积条件的优化以及如“二次晶化”等辅助手段的
2、采用。 本文采用 PECVD 方法,系统研究了沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数对多晶硅薄膜结晶状态及光电性能的影响,并对沉积出的多晶硅薄膜进行了固相晶化.共 43 页2、多晶硅薄膜的制备和表征 在制备高质量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作,通过激光 Raman 谱和 X 射线衍射仪(XRD)对热处理前后的等离子体化学气相沉积(PECVD)法和电子束蒸发(EBE)法所制的硅薄膜进行了分析。 首先,以 PECVD法为硅薄膜制备技术,实验取得了如下结果: 对 PECVD 法制备多晶硅薄膜的六个影响参数的调节方案是固定五个参数而调节余下的一个参数。其中,五个参数皆有三个对应的可调值
3、:氢气和硅烷气体流量比有100sccm/1sccm、100sccm/5sccm 和 50sccm/5sccm,射频功率有 50W、30W 和 10W,衬底温度有 350、200和常温,工作压强有 24Pa、48Pa 和 72Pa,而沉积时.共 64 页3、太阳能电池用多晶硅薄膜的研究研究了多晶硅薄膜的制备方法，低温下快速光热退火(RPTA)和高温下陶瓷衬底上快热化学气相沉积(RTCVD)，硅膜的生长及区熔再结晶(ZMR)，用高温方式在陶瓷衬底上做了太阳电池的尝试，在高温方式下做了层转移新方式的探索。 1等离子增强化学气相沉积(PECVD)是低温沉积硅膜的主要方法。本文的第二章中对 PECVD
4、沉积多晶硅薄膜做了研究。分析了不同沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等参数对多晶硅薄膜结晶状态及光电性能的影响。 2固相晶化法(SPC)是制备大晶粒多晶硅薄膜的主要方法。本文的第三章对 SPC，特别是对卤钨灯.共 160 页4、在柔性衬底上制备多晶硅薄膜的研究主要研究柔性衬底材料上多晶硅薄膜的制备，并对生长过程和薄膜性质进行分析表征。与非晶硅薄膜相比，多晶硅薄膜具有可与晶体硅相比拟的高迁移率，结构和性能稳定，没有严重的光致衰减效应，可作为理想的光伏器件材料；另一方面薄膜太阳电池的衬底对光伏器件的性能和应用范围也有重要的影响，柔性衬底材料具有可卷曲、质量轻、便于运输、易于大面积卷轴生产以
5、及用途广泛等优点，发展前景广阔。因此，在柔性衬底材料上制备多晶硅薄膜具有重要的科学意义和应用前景。分别利用热丝化学沉积法、等离子体增强气相沉积法以及金属诱导法制备硅薄膜，应用场发射扫描电镜对薄膜形貌进行观察，应用激光拉曼谱仪和 X 射线衍射仪对薄膜结晶性进行分析.共 72 页5、热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究主要内容是热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜工艺的研究及利用铝诱导固相晶化法增大晶粒尺寸的研究。 采用自行加工设计的 HWCVD 系统制备多晶硅薄膜,系统研究了不同沉积参数(沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类)对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。得出优化条件:沉
6、积气压 42Pa,衬底温度 250,衬底与热丝间距离 48mm,在玻璃衬底上制备出晶态比 Xc90%,择优取向为(111),横向晶粒尺寸为 200-500nm,纵向晶粒尺寸为 30nm 左右的优质多晶硅薄膜。 将反应气体中混入一定比例氩气,研究不同氩气含量对薄膜性质的影响.共 40 页 6、多晶硅化学气相沉积方法和装置 7、多晶硅薄膜的制造方法 8、用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法 9、制作多晶硅多晶硅 MOS 叠层电容器的方法 10、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法 11、多晶硅的评价方法 12、N 型掺杂多晶硅的制造方法13、在半导体制作过程中通过氘
7、以形成多晶硅层的方法 14、液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 15、横向多晶硅 PIN 二极管及其制造方法 16、制备多晶硅颗粒的方法和装置 17、多晶硅、其生产方法及生产装置 18、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法 19、多晶硅棒及其加工方法 20、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置 21、去除多晶硅残留的方法 22、去除多晶硅残留的方法 23、多晶硅间介电层的制造方法 24、多晶硅膜的制造方法 25、采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法 26、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 27、低温多晶硅有机电激发光装置的制法 28、多晶硅结晶方法
8、、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法 29、降低多晶硅层洞缺陷的方法 30、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法 31、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置 32、多晶硅层的制作方法 33、多晶硅层的制作方法 34、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法 35、多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法 36、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法 37、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法 38、制作多晶硅薄膜的方法 39、多晶硅界定阶跃恢复器件 40、形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法 41、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法 42、用于增加多晶硅熔化速率
9、的间歇式加料技术 43、利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法 44、一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 45、低温多晶硅薄膜的制造方法 46、低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 47、多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 48、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法 49、低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 50、低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管 51、低温多晶硅薄膜电晶体的结构 52、采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片53、将非晶硅转换为多晶硅的方法 54、03142448.1A 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 55、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法 56、薄膜晶体管的多晶硅制造方法 57
10、、多晶硅薄膜的制造方法 58、多晶硅层的处理方法 59、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 60、多晶硅层的结晶方法 61、低温多晶硅平面显示面板 62、多晶硅薄膜的制造方法 63、形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法 64、形成多晶硅层的方法 65、多晶硅的蚀刻方法 66、多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法 67、形成多晶硅结构 68、在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构 69、利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法 70、制备多晶硅的方法 71、多晶硅的定向生长方法 72、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法 73、低温多晶硅薄膜的制造方法 74、多晶硅细脉熔丝75、具有
11、多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置 76、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管 77、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法 78、形成 T 型多晶硅栅极的方法 79、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法 80、多晶硅氢还原炉 81、低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法 82、低温多晶硅显示装置及其制作方法 83、形成多晶硅锗层的方法 84、彩色多晶硅微粒及其制备方法 85、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案 86、底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法 87、多晶硅化金属栅极结构及其制造方法 88、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 89、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅
12、退火结构及其方法 90、15-50 纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法 91、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法 92、改善栅极多晶硅层电阻值的方法 93、多晶硅液晶显示器件的制造方法 94、制造多晶硅层的方法 95、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法 96、一种制备多晶硅绒面的方法 97、半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 98、多晶硅薄膜晶体管制造方法 99、形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法 100、半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法 101、制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法 102、具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法 103、制作低温多晶硅薄
13、膜的方法 104、平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法 105、多晶硅膜的形成方法 106、多晶硅膜的形成方法 107、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 108、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法 109、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺 110、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺 111、包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法 112、多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法 113、超小粒径多晶硅的结构和方法 114、制造内层多晶硅介电层的方法 115、制造多晶硅层的方法及其光罩 116、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件 117、多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅
14、薄膜的设备 118、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅 119、硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜 120、精密多晶硅电阻器工艺 121、激光薄膜多晶硅退火光学系统122、激光薄膜多晶硅退火系统 123、用于在衬底上淀积多晶硅层的装置 124、薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法 125、多晶硅薄膜的制造方法 126、一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置 127、光罩与应用其形成多晶硅层的方法 128、制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管 129、浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用 130、溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用 131、一种制备多晶硅的方
15、法 132、多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法 133、电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳 134、多晶硅栅极掺杂方法135、多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法 136、多晶硅薄膜晶体管的制作方法 137、在半导体装置中形成多晶硅层的方法138、具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板 139、多晶硅薄膜晶体管的形成方法140、一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法 141、具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器 142、一种生产多晶硅用的还原炉 143、多晶硅的生产装置 144、限定多晶硅图案的方法 145、多晶硅的制造方法 146、具有低掺杂
16、漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 147、薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法 148、制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法 149、用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法 150、高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法 151、带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺 152、高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法 153、多晶硅炉的喷嘴 154、多晶硅太阳电池绒面的制备方法 155、多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法 156、低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法 157、一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺 158、一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法 159、一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺 160、一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺 161、一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法 162、一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺 163
